公开(公告)号：CN109643720A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780041826.4

申请日：2017-07-03

申请人： 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社华哥姆研究所

发明人： 高桥光惠 ,  酒井滋树 ,  楠原昌树 ,  都田昌之 ,  梅田优 ,  佐佐木善和

IPC分类号： H01L27/1159 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L27/11587

摘要： 提供一种使用宽度为100nm以下且高度为宽度的2倍以上的高纵横比的形状的存储体的半导体存储元件和其制造方法。一种半导体存储元件，具有在半导体基板(1)之上堆叠存储体(2)和导体(3)的层叠构造，存储体(2)的底面(12)与半导体基板(1)接触，存储体(2)的上表面(10)与导体(3)接触，存储体(2)的侧面(11)与隔壁(4)接触而被包围，存储体(2)的底面(12)的宽度是100nm以下，导体(3)与半导体基板(1)之间的最短的距离是存储体(2)的底面(12)的宽度的2倍以上，存储体(2)的侧面(11)的宽度在比底面(12)靠上的任何位置都与底面(12)的宽度相同而一定、或在底面(12)以外的比底面(12)靠上的位置最宽。

公开(公告)号：CN109643720B

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN201780041826.4

申请日：2017-07-03

申请人： 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社华哥姆研究所

发明人： 高桥光惠 ,  酒井滋树 ,  楠原昌树 ,  都田昌之 ,  梅田优 ,  佐佐木善和

IPC分类号： H10B51/10 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H10B51/30

摘要： 提供一种使用宽度为100nm以下且高度为宽度的2倍以上的高纵横比的形状的存储体的半导体存储元件和其制造方法。一种半导体存储元件，具有在半导体基板(1)之上堆叠存储体(2)和导体(3)的层叠构造，存储体(2)的底面(12)与半导体基板(1)接触，存储体(2)的上表面(10)与导体(3)接触，存储体(2)的侧面(11)与隔壁(4)接触而被包围，存储体(2)的底面(12)的宽度是100nm以下，导体(3)与半导体基板(1)之间的最短的距离是存储体(2)的底面(12)的宽度的2倍以上，存储体(2)的侧面(11)的宽度在比底面(12)靠上的任何位置都与底面(12)的宽度相同

公开(公告)号：CN107452742A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710265559.0

申请日：2017-04-21

申请人： 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社华哥姆研究所

发明人： 酒井滋树 ,  高桥光惠 ,  楠原昌树 ,  都田昌之 ,  梅田优 ,  佐佐木善和

IPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/11507

CPC分类号： H01L29/40111 ,  G11C11/223 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02356 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

摘要： 本发明提供FeFET及其制造方法，该FeFET在不损害以往开发的FeFET具有的105秒以上的数据保持特性和108次以上的耐数据改写性特性的情况下，将强电介质的膜厚(df)减小至59nm

公开(公告)号：CN107452742B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201710265559.0

申请日：2017-04-21

申请人： 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社和广武

发明人： 酒井滋树 ,  高桥光惠 ,  楠原昌树 ,  都田昌之 ,  梅田优 ,  佐佐木善和

IPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/11507

摘要： 本发明提供FeFET及其制造方法，该FeFET在不损害以往开发的FeFET具有的105秒以上的数据保持特性和108次以上的耐数据改写性特性的情况下，将强电介质的膜厚(df)减小至59nm

公开(公告)号：CN109564873A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780037112.6

申请日：2017-04-14

申请人： 株式会社华哥姆研究所

发明人： 都田昌之 ,  佐佐木善和 ,  梅田优 ,  楠原昌树

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/318

CPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/31

摘要： 提供一种能够对反应部稳定地供给原料且能够长期使用的HfN膜的制造方法及HfN膜。HfN膜的制造方法使用的成膜装置具备：经由配管供给被气化器气化了的原料气体的同时、将该原料气体喷射至与喷嘴表面对向配置的被成膜基板的喷气嘴，所述喷气嘴由以所述配管的导入口为中心扩展的外壁、从该外壁的扩展端部升起的周壁、以及覆盖该周壁的端部的喷嘴表面所构成，其中，按照将反应气体直接供给到反应腔室的方式设置气体供给口，在基座上搭载晶片，原料气体TEMAH的流量为0.2CCM，在反应腔室的压力为4Torr下，基座的温度为250℃以上且270℃以下的范围，反应气体NH3的流量为9.0CCM以上且15.0CCM以下的范围。