公开(公告)号：CN109643720A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780041826.4

申请日：2017-07-03

申请人： 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社华哥姆研究所

发明人： 高桥光惠 ,  酒井滋树 ,  楠原昌树 ,  都田昌之 ,  梅田优 ,  佐佐木善和

IPC分类号： H01L27/1159 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L27/11587

摘要： 提供一种使用宽度为100nm以下且高度为宽度的2倍以上的高纵横比的形状的存储体的半导体存储元件和其制造方法。一种半导体存储元件，具有在半导体基板(1)之上堆叠存储体(2)和导体(3)的层叠构造，存储体(2)的底面(12)与半导体基板(1)接触，存储体(2)的上表面(10)与导体(3)接触，存储体(2)的侧面(11)与隔壁(4)接触而被包围，存储体(2)的底面(12)的宽度是100nm以下，导体(3)与半导体基板(1)之间的最短的距离是存储体(2)的底面(12)的宽度的2倍以上，存储体(2)的侧面(11)的宽度在比底面(12)靠上的任何位置都与底面(12)的宽度相同而一定、或在底面(12)以外的比底面(12)靠上的位置最宽。

公开(公告)号：CN107452742A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710265559.0

申请日：2017-04-21

申请人： 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社华哥姆研究所

发明人： 酒井滋树 ,  高桥光惠 ,  楠原昌树 ,  都田昌之 ,  梅田优 ,  佐佐木善和

IPC分类号： H01L27/11502 ,  H01L27/11507

CPC分类号： H01L29/40111 ,  G11C11/223 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02356 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

摘要： 本发明提供FeFET及其制造方法，该FeFET在不损害以往开发的FeFET具有的105秒以上的数据保持特性和108次以上的耐数据改写性特性的情况下，将强电介质的膜厚(df)减小至59nm

公开(公告)号：CN109564873A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780037112.6

申请日：2017-04-14

申请人： 株式会社华哥姆研究所

发明人： 都田昌之 ,  佐佐木善和 ,  梅田优 ,  楠原昌树

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/318

CPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/31

摘要： 提供一种能够对反应部稳定地供给原料且能够长期使用的HfN膜的制造方法及HfN膜。HfN膜的制造方法使用的成膜装置具备：经由配管供给被气化器气化了的原料气体的同时、将该原料气体喷射至与喷嘴表面对向配置的被成膜基板的喷气嘴，所述喷气嘴由以所述配管的导入口为中心扩展的外壁、从该外壁的扩展端部升起的周壁、以及覆盖该周壁的端部的喷嘴表面所构成，其中，按照将反应气体直接供给到反应腔室的方式设置气体供给口，在基座上搭载晶片，原料气体TEMAH的流量为0.2CCM，在反应腔室的压力为4Torr下，基座的温度为250℃以上且270℃以下的范围，反应气体NH3的流量为9.0CCM以上且15.0CCM以下的范围。

公开(公告)号：CN109643720B

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN201780041826.4

申请日：2017-07-03

申请人： 国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社华哥姆研究所

发明人： 高桥光惠 ,  酒井滋树 ,  楠原昌树 ,  都田昌之 ,  梅田优 ,  佐佐木善和

IPC分类号： H10B51/10 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H10B51/30

摘要： 提供一种使用宽度为100nm以下且高度为宽度的2倍以上的高纵横比的形状的存储体的半导体存储元件和其制造方法。一种半导体存储元件，具有在半导体基板(1)之上堆叠存储体(2)和导体(3)的层叠构造，存储体(2)的底面(12)与半导体基板(1)接触，存储体(2)的上表面(10)与导体(3)接触，存储体(2)的侧面(11)与隔壁(4)接触而被包围，存储体(2)的底面(12)的宽度是100nm以下，导体(3)与半导体基板(1)之间的最短的距离是存储体(2)的底面(12)的宽度的2倍以上，存储体(2)的侧面(11)的宽度在比底面(12)靠上的任何位置都与底面(12)的宽度相同

公开(公告)号：CN105493265B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201480041965.3

申请日：2014-07-24

申请人： 独立行政法人产业技术综合研究所 ,  株式会社华哥姆研究所

发明人： 酒井滋树 ,  高桥光惠 ,  楠原昌树 ,  都田昌之 ,  梅田优

IPC分类号： H01L21/8246 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316 ,  H01L27/105

摘要： 本发明的目的是提供一种强介电体装置及其制造方法，上述强介电体装置具有强介电体装置的特征即非挥发性存储保持与多次改写耐受性，并且与以往的使用以锶、铋及钽的氧化物Sr‑Bi‑Ta‑O为主成分的强介电体的强介电体装置相比、存储器窗口更广且适合于微细化。在半导体上直接或介由绝缘体，将使用合适的成膜原料利用有机金属气相沉积法进行成膜的以锶、钙、铋及钽的氧化物Sr‑Ca‑Bi‑Ta‑O为主成分的第1强介电体以及导体层叠，在经蚀刻加工的栅极堆栈的侧面对第2强介电体与绝缘体进行成膜后，进行用于示出第1强介电性的热处理。

公开(公告)号：CN105493265A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201480041965.3

申请日：2014-07-24

申请人： 独立行政法人产业技术综合研究所 ,  株式会社华哥姆研究所

发明人： 酒井滋树 ,  高桥光惠 ,  楠原昌树 ,  都田昌之 ,  梅田优

IPC分类号： H01L21/8246 ,  C23C16/40 ,  H01L21/316 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L29/78391 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28291 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/516 ,  H01L29/6684

摘要： 本发明的目的是提供一种强介电体装置及其制造方法，上述强介电体装置具有强介电体装置的特征即非挥发性存储保持与多次改写耐受性，并且与以往的使用以锶、铋及钽的氧化物Sr-Bi-Ta-O为主成分的强介电体的强介电体装置相比、存储器窗口更广且适合于微细化。在半导体上直接或介由绝缘体，将使用合适的成膜原料利用有机金属气相沉积法进行成膜的以锶、钙、铋及钽的氧化物Sr-Ca-Bi-Ta-O为主成分的第1强介电体以及导体层叠，在经蚀刻加工的栅极堆栈的侧面对第2强介电体与绝缘体进行成膜后，进行用于示出第1强介电性的热处理。