-
公开(公告)号：CN105103277A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480011857.1
申请日：2014-03-12
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H01L21/316 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01G53/00 , H01L21/8246 , H01L27/105
CPC分类号： H01L28/40 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/02205 , H01L21/02269 , H01L28/56 , H01L28/60 , H01L28/87 , H01L28/91 , H01L29/513
摘要： 提供一种可压低漏电流并且平坦性优异的相对介电常数高的电介质层。本发明的电介质层(30a)包含层叠氧化物，所述层叠氧化物层叠第一氧化物层(31)和第二氧化物层(32)而成，其中所述第一氧化物层(31)通过由铋(Bi)和铌(Nb)形成的氧化物、或由铋(Bi)和锌(Zn)和铌(Nb)形成的氧化物(可包含不可避免的杂质)构成，所述第二氧化物层(32)由选自由镧(La)和钽(Ta)形成的氧化物、由镧(La)和锆(Zr)形成的氧化物、及由锶(Sr)和钽(Ta)形成的氧化物中的一种氧化物(可包含不可避免的杂质)构成。
-
公开(公告)号：CN104221154B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201380016026.9
申请日：2013-03-18
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49
摘要： 本发明的一种薄膜晶体管(100)，在栅极(20)和沟道(44)之间具备作为包含镧和锆的氧化物(可包含不可避免的杂质；这一点对于氧化物均相同)的栅绝缘层(34)，沟道(44)是由包含铟和锌，并且包含将铟作为1时原子数比为0.015以上且0.075以下的锆(Zr)的第一氧化物；包含铟，并且包含将所述铟(In)作为1时原子数比为0.055以上且0.16以下的锆(Zr)的第二氧化物；或者包含铟，并且包含将所述铟作为1时原子数比为0.055以上且0.16以下的镧的第三氧化物，构成的沟道用氧化物。
-
公开(公告)号：CN105027240B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201480011233.X
申请日：2014-01-06
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H01G4/33 , H01G4/12 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： C01G33/006 , C01P2002/36 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , C23C18/1216 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , H01B1/08 , H01G4/10 , H01G4/33 , H01L28/40
摘要： 本发明之一的氧化物层(30)具备由铋(Bi)与铌(Nb)形成的氧化物层(可包含不可避免的杂质)。此外，氧化物层(30)具有烧绿石型结晶结构的结晶相。其结果，能够得到具备使用现有技术未曾得到的高介电常数的包括由铋(Bi)与铌(Nb)形成的氧化物的氧化物层(30)。
-
公开(公告)号：CN105103277B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201480011857.1
申请日：2014-03-12
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H01L21/316 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01G53/00 , H01L21/8246 , H01L27/105
CPC分类号： H01L28/40 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/02205 , H01L21/02269 , H01L28/56 , H01L28/60 , H01L28/87 , H01L28/91 , H01L29/513
摘要： 提供一种可压低漏电流并且平坦性优异的相对介电常数高的电介质层。本发明的电介质层(30a)包含层叠氧化物，所述层叠氧化物层叠第一氧化物层(31)和第二氧化物层(32)而成，其中所述第一氧化物层(31)通过由铋(Bi)和铌(Nb)形成的氧化物、或由铋(Bi)和锌(Zn)和铌(Nb)形成的氧化物(可包含不可避免的杂质)构成，所述第二氧化物层(32)由选自由镧(La)和钽(Ta)形成的氧化物、由镧(La)和锆(Zr)形成的氧化物、及由锶(Sr)和钽(Ta)形成的氧化物中的一种氧化物(可包含不可避免的杂质)构成。
-
公开(公告)号：CN103946930B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201280056688.4
申请日：2012-11-15
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
CPC分类号： H01L21/02565 , H01B1/08 , H01L21/02614 , H01L29/247 , H01L29/7869
摘要： 本发明提供无定形导电性氧化物膜的形成方法，其特征在于，进行以下工序：在基板上涂布含有a×y摩尔份的(A1)、a×(1‑y)摩尔份的(A2)、1摩尔份的(B)和(C)的组合物，形成涂膜，在氧化性气氛下加热该涂膜，其中，(A1)选自由除铈以外的镧系元素中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐和卤化物的1种以上金属化合物，(A2)选自由铅、铋、镍、钯、铜和银中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐和卤化物的1种以上金属化合物；(B)选自由钌、铱、铑和钴中选择的金属的羧酸盐、醇盐、二酮盐、硝酸盐、卤化物、亚硝酰基羧酸盐、亚硝酰基硝酸盐、亚硝酰基硫酸盐和亚硝酰基卤化物的1种以上金属化合物；以及(C)含有选自羧酸、醇、酮、二醇和二醇醚的1种以上的溶剂。
-
公开(公告)号：CN103999207B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201280058844.0
申请日：2012-10-25
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/316 , H01L27/04
CPC分类号： H01G4/1254 , H01G4/1263 , H01G4/306 , H01L21/02205 , H01L21/02282 , H01L21/02288 , H01L21/76817 , H01L27/016 , H01L28/40 , H01L29/84
摘要： 本发明的一个固体电子装置具备包含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物层(可以包含不可避免的杂质)，其中，所述氧化物层通过将前躯体层在含氧气氛中加热而形成，所述前躯体层将前躯体溶液作为原料，所述前躯体溶液将包含所述铋(Bi)的前躯体及包含所述铌(Nb)的前躯体作为溶质，并且用于形成所述氧化物层的加热温度为520℃以上且650℃以下。
-
公开(公告)号：CN103987680B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201280055282.4
申请日：2012-11-07
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC分类号： C04B35/622 , B28B11/10 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8246 , H01L27/04 , H01L27/105 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L41/22
CPC分类号： H01L27/1255 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1637 , B41J2/1645 , H01L21/28291 , H01L21/67098 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/1262 , H01L27/127 , H01L28/55 , H01L29/78391 , H01L29/7869 , H01L41/0973 , H01L41/317 , H01L41/332 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/147 , H01L45/1608
摘要： 本发明的一种功能性设备的制造方法包括模压工艺、功能性固体材料层形成工艺。模压工艺中，在对以功能性固体材料前驱体溶液作为起始材料的功能性固体材料前驱体层推压用于形成模压结构的模具的期间的至少一部分时间内，以使对所述功能性固体材料前驱体层供应热量的热源的第一温度高于所述功能性固体材料前驱体层的第二温度的方式，对所述功能性固体材料前驱体层实施模压加工的模压工艺。另外，功能性固体材料层形成工艺中，在所述模压工艺后，在含氧气氛中通过用高于所述第一温度的第三温度对所述功能性固体材料前驱体层进行热处理，从而由所述功能性固体材料前驱体层形成功能性固体材料层。
-
公开(公告)号：CN105027240A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480011233.X
申请日：2014-01-06
申请人： 国立研究开发法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H01G4/33 , H01G4/12 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： C01G33/006 , C01P2002/36 , C01P2004/04 , C01P2006/40 , C23C18/1216 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , H01B1/08 , H01G4/10 , H01G4/33 , H01L28/40
摘要： 本发明之一的氧化物层(30)具备由铋(Bi)与铌(Nb)形成的氧化物层(可包含不可避免的杂质)。此外，氧化物层(30)具有烧绿石型结晶结构的结晶相。其结果，能够得到具备使用现有技术未曾得到的高介电常数的包括由铋(Bi)与铌(Nb)形成的氧化物的氧化物层(30)。
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.041 秒)
