一种单相电压暂降快速检测方法

    公开(公告)号:CN109507542A

    公开(公告)日:2019-03-22

    申请号:CN201811607646.0

    申请日:2018-12-27

    IPC分类号: G01R31/08 H03H21/00

    摘要: 本发明公开了一种单相电压暂降快速检测方法,首先,监测节点电压、相位等原始数据;其次,根据采样数据,采用延时向量构造法得到αβ静止坐标系下的uα和uβ分量;然后,采用自适应RLS滤波器进行滤波得到基波分量;再进行αβ-d q变换,得到基波分量在dq旋转坐标系下的d轴直流分量和q轴直流分量;最后,根据d、q轴直流分量计算出电压幅值与相位。本发明一方面可以同时滤除信号误差和延时构造产生的噪声,另一方面避免了αβ-d q变换对谐波的方法作用。最后,采用自适应滤波器代替传统的低通滤波器,对谐波含量大的情况有更好的消除效果。自适应滤波器采用递归最小二乘(RLS)算法,实现更快的初始收敛速度与更高的检测精度。

    基于区块链技术的完全去中心社区化网络游戏运算方法

    公开(公告)号:CN109173243B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201810725018.6

    申请日:2018-07-04

    申请人: 清华大学

    摘要: 本发明公开了基于区块链技术的完全去中心社区化网络游戏运算方法,它属于计算机领域,游戏的账户管理、用户状态、重要资产放在区块链上进行存储,游戏的核心资产逻辑在智能合约上完成,用户的渲染材料、本地渲染逻辑、计算逻辑在用户本地计算机运算;在一个多人参与的大型网络游戏中,将度相对较低的节点连接起来,形成一个“划分面”,和/或,以用户聚类和游戏场景为划分依据,将游戏内容划分为多个服务对象群,每个服务对象群拥有一个独立的节点作为新的中心服务器承担信息交换中心的角色,新的中心服务器之间产生了新的信息交换;非重要的游戏内交互数据,由于不适合存放在区块链上,因此将其放置在新的中心服务器进行运算。

    一种智能插座及其控制方法

    公开(公告)号:CN107017530A

    公开(公告)日:2017-08-04

    申请号:CN201710196354.1

    申请日:2017-03-29

    申请人: 清华大学

    摘要: 本发明公开了一种智能插座及其控制方法,涉及插座技术领域。该智能插座包括壳体、控制模块、开关、物联网无线通信模块、计量模块、温度传感器和供电模块;其中,壳体上设置有二维码;控制模块分别与开关的控制端、物联网无线通信模块、计量模块和温度传感器连接,控制模块用于控制物联网无线通信模块、开关、计量模块的用电信息采集和处理以及温度传感器的数据采集和处理;开关用于控制用电负载用电回路的导通和断开;物联网无线通信模块用于与基站之间进行通信;计量模块用于获取用电负载的用电信息;供电模块用于从火线获取电能,为控制模块和物联网无线通信模块提供工作电流。本发明用于在实现电量计量的同时,使得智能插座的通信距离长、功耗低、成本低。

    一种智能插座的管理系统及其方法

    公开(公告)号:CN106887773A

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:CN201710199964.7

    申请日:2017-03-29

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H01R13/66 H04L29/08

    摘要: 本发明公开了一种智能插座的管理系统及其方法,涉及物联网通信技术领域,解决了管理分散于较大的范围内的智能插座群的技术问题。本发明所提供的智能插座包括插座本体和物联网通信模块,插座本体上安装有开关控制元件,开关控制元件与物联网通信模块连接;本发明所提供的智能插座管理系统包括至少一个上所述的智能插座,还包括移动终端、云服务器和至少一个物联网基站,移动终端上运行有智能插座客户端;云服务器上运行有智能插座管理平台;智能插座通过物联网通信模块与其所属范围内的物联网基站进行通信,物联网基站又通过无线或有线网络与智能插座客户端和智能插座管理平台进行通信。本发明可对分散的插座群进行管理。

    利用喷镀贵金属膜控制碳纳米管三维图形化生长的方法

    公开(公告)号:CN1730387A

    公开(公告)日:2006-02-08

    申请号:CN200510098719.4

    申请日:2005-09-07

    申请人: 清华大学

    发明人: 张政军 周雅 岳阳

    摘要: 本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的一种利用喷镀贵金属膜控制碳纳米管三维图形化生长的方法。以金或银等贵金属为靶材,在洁净的硅基底上覆盖适当形状和层数的掩膜,在真空镀膜机内,喷镀贵金属膜层,随后将按上述过程处理的硅片置于石英真空管式炉中,利用二茂铁和二甲苯作为反应物,通过化学气相沉积法制备碳纳米管,控制生长时间,可在硅基底上获得三维图形化生长的碳纳米管阵列,该制备方法简单,容易控制,图形化效果好。此方法在制造纳米电子器件和场发射器等方面具有广泛的应用前景。