基于DOA-RBF的TMR传感器温度补偿方法及装置

    公开(公告)号:CN118068237A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202410217664.7

    申请日:2024-02-27

    摘要: 本发明涉及隧穿磁电阻传感器温度补偿技术领域,公开了基于DOA‑RBF的TMR传感器温度补偿方法及装置,方法包括:基于训练集和测试集对径向基神经网络进行训练,获取输出数据;获取种群中每个个体的适应度值;将适应度值最小的个体作为超参数的全局最优解;对种群进行迭代更新;基于更新后的种群执行对径向基神经网络进行训练的步骤;在迭代更新次数大于等于阈值的情况下,获取全局最优解;通过S折交叉验证方法确定目标径向基神经网络;将TMR传感器输出电压值和温度值输入到目标径向基神经网络,获得补偿后的TMR传感器所处磁场值。本发明能够快速确定径向基神经网络中超参数的全局最优解且目标径向基神经网络的补偿精度高。

    基于长短时滑动窗口的局放脉冲实时检测方法及传感器

    公开(公告)号:CN116068349A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202310181762.5

    申请日:2023-02-21

    IPC分类号: G01R31/12

    摘要: 本发明公开了一种基于长短时滑动窗口的局放脉冲实时检测方法及传感器,该方法包括:获取待检测信号;根据长时滑动窗口截取待检测信号中信号幅值大于或等于设置的第一阈值的高幅值长时窗口信号;基于所述高幅值长时窗口信号,根据短时滑动窗口内信号的能量分布平均值和其滑过的所述高幅值长时窗口信号的能量分布平均值的比值关系,以及所述短时滑动窗口在滑动过程中的两个相邻窗口内信号最大幅值的比值关系,判断是否检测到局部放电脉冲信号,本发明实施例在检测局部放电脉冲时,基于信号幅值的急剧变化来辨识脉冲信号,可以最大程度的排除一部分上升沿变化缓慢的干扰信号,提高局部放电脉冲信号识别的准确性。

    一种面向电缆监测垂直型磁敏传感芯片和磁敏传感器

    公开(公告)号:CN115727876A

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202211474394.5

    申请日:2022-11-23

    IPC分类号: G01D5/12

    摘要: 本发明公开了一种面向电缆监测垂直型磁敏传感芯片和磁敏传感器,该芯片包括:传感单元,传感单元包括在垂直方向上层叠设置的至少四个磁敏感单元以及至少三个绝缘间隔层,磁敏感单元和绝缘间隔层交替设置,相邻磁敏感单元中磁敏感方向交替反平行,四个磁敏感单元通过串并联构成全桥结构。通过实施本发明,在垂直方向上堆叠设置多个磁敏感单元,可以使磁敏感单元实现高集成度;同时设置相邻磁敏感单元中磁敏感方向交替反平行,且四个磁敏感单元通过串并联形成全桥结构,相比传统面内互联形成全桥结构的方式,大大减小了磁敏传感芯片的面积,由此便于后续磁敏传感器的微缩。此外,通过磁敏感单元的串并联,能够降低磁敏传感芯片的噪声,提升灵敏度。