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公开(公告)号：CN117253789A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311239641.8
申请日：2023-09-25
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网山西省电力公司信息通信分公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L29/45 , H01L29/41 , C09K13/06
摘要： 本发明提供了一种钛铝腐蚀底层钛超出铝边缘的腐蚀方法及器件，属于半导体制造技术领域。其中，方法包括：在晶圆表面依次沉积金属钛层和金属铝层；在待腐蚀区域表面上旋涂光刻胶，并进行光刻处理，形成具有预设形状窗口的光刻胶膜；通过预设形状窗口对金属铝层和金属钛层依次进行腐蚀，然后根据刻蚀液对膜的腐蚀选择性特点，再进行钛铝金属膜腐蚀使铝层边缘缩进，去除光刻胶膜，从而实现底层钛超出铝边缘的腐蚀形貌。本发明通过二次铝层腐蚀的方法，既可以去除铝屋檐结构，又可以实现钛金属层超出铝层边缘的独特形貌，使金属电极接触更加充分，从而使边缘不易脱落，也为后续工艺提供更加良好的接触界面，以到提高芯片可靠性的目的。
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公开(公告)号：CN118039454A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211366740.8
申请日：2022-11-01
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网山西省电力公司信息通信分公司
摘要： 一种提高PECVD生长氧化硅薄膜致密性的方法及碳化硅器件，包括：在衬底晶圆上通过等离子体增强化学的气相沉积方法生长设定厚度的二氧化硅介质层；将所述二氧化硅介质层放置在包含氧气的气体氛围内，在退火温度大于预设温度条件下进行退火处理，形成致密的二氧化硅薄膜。本发明通过在包含氧气的气体氛围内，使退火温度大于预设温度条件下，通过大于预设温度的退火温度、退火时间以及包含氧气的气体氛围内对二氧化硅介质层进行退火，从而可以使二氧化硅介质层中处于畸变位置的一些原子，恢复到正常状态，可以进一步消除冻结的缺陷，发生各种再结晶，从而导致晶粒增大晶界减少，提高二氧化硅薄膜的致密性。
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公开(公告)号：CN117995676A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211358623.7
申请日：2022-11-01
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/308 , H01L29/06
摘要： 一种制备平缓的碳化硅斜面的方法及终端结构，包括：在碳化硅晶圆表面生长掩膜介质层，在所述掩膜介质层上旋涂光刻胶，并对所述光刻胶进行光刻处理，得到具有预设倾角的斜面形貌的光刻掩膜；基于所述光刻掩膜，对所述掩膜介质层进行湿法腐蚀，得到具有所述倾角的掩膜介质层形貌；根据所述掩膜介质层形貌对应的倾角，对所述碳化硅晶圆进行干法刻蚀，得到具有目标倾角的碳化硅斜坡。本发明通过将湿法腐蚀和干法腐蚀进行结合，对碳化硅晶圆进行全面刻蚀，最终得到一个平缓的碳化硅斜面；通过本发明的方法能够获得一个平缓的斜面碳化硅形貌，且这种形貌用于终端时，可以使曲率半径变大，电场分散，可以较好的减轻主结电场集中效应。
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公开(公告)号：CN118039472A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211358217.0
申请日：2022-11-01
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/308 , H01L29/06
摘要： 一种制备小角度SiC平缓台面的刻蚀方法及终端结构，包括：在SiC衬底表面依次沉积第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜；对所述第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜进行湿法侧向腐蚀，得到具有预设角度台面的第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜；基于所述第一SiO2薄膜和第二SiO2薄膜，对所述SiC衬底进行干法刻蚀，得到具有目标角度台面的SiC衬底；其中，所述第一SiO2薄膜的致密度大于所述第二SiO2薄膜的致密度；本发明通过将湿法腐蚀和干法刻蚀相结合能够有效实现二氧化硅台阶形貌转移，最终得到小角度、底部平缓、侧壁光滑的SiC台面，进而提高刻蚀小角度SiC平缓台面的制备效率。
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公开(公告)号：CN117238766A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311238579.0
申请日：2023-09-25
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/28 , H01L29/45 , C09K13/08
摘要： 本发明提供了一种特殊半导体器件的钛铝腐蚀方法，属于半导体制造技术领域。所述方法包括：在有氧化膜和高温退火镍金属膜的晶圆表面依次沉积金属钛层和金属铝层；旋涂光刻胶、进行光刻处理；对铝金属层进行腐蚀；配制钛腐蚀液，对金属钛层进行腐蚀；去除所述光刻胶膜，得到所述金属钛铝层的窗口形貌为预设形状。所述方法达到了既完成金属腐蚀，又不影响腐蚀区域的高温镍膜，氧化膜腐蚀量不影响芯片性能的目的。
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公开(公告)号：CN117096014A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202211687933.3
申请日：2022-12-27
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/04 , H01L21/311
摘要： 一种半导体器件的刻蚀方法，包括如下步骤：晶圆打标号，晶圆清洗，保护层的形成，涂胶工艺，在一定温度和一定真空度下进行低温真空干燥处理，在一定磁场功率和一定射频偏压功率辅助条件下将高压氮气分散到真空干燥处理后的晶圆上，形成光刻胶掩膜步进式光刻机曝光，曝光后显影，刻蚀，去胶，清洁。本发明用于消除光刻胶膜上形成的微波纹，提高光刻胶的致密性和均匀性，达到精准刻蚀的目的。
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公开(公告)号：CN116682862A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202211742055.0
申请日：2022-12-29
IPC分类号： H01L29/808 , H01L21/337
摘要： 一种提高耐压和通流的功率器件栅极结构，所述栅极结构包括如下模块：(1)注入增强型的JFET区，通过高温注入形成；(2)JFET区中心的沟槽栅氧，通过碳化硅热氧形成，与周围JFET区碳化硅通过原子级硅氧键连接；(3)沟槽栅氧周围设置与JFET区类型相反的PN保护结，通过高温注入形成；(4)JFET区上方设置栅氧层，通过碳化硅热氧形成，与JFET中心沟槽栅氧实现无界面连接，与下方JFET区通过原子级硅氧键连接。本发明基于JFET耗尽过程中的电场变化，提供了一种新型的栅结构，并提供了一套可行性的工艺流程，实现了设计结构的工艺验证。
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公开(公告)号：CN116779641A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310394327.0
申请日：2023-04-13
申请人： 北京智慧能源研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 本发明涉及一种低反向漏电流的肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括元胞区，元胞区包括衬底层、外延层、高掺杂区、高肖特基势垒接触区域、中肖特基势垒接触区域、正面电极层、背面电极层；所述外延层位于所述衬底层之上。本发明通过在常规肖特基势垒面积较大的区域加入部分高肖特基势垒区域，此区域导通开启电压小，但具有高肖特基势垒，在正向通流能力损失较少的情况下，减少肖特基势垒二极管和结势垒肖特基二极管部分因肖特基区域镜像力导致反向阻断漏电过大的问题。
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公开(公告)号：CN115083909A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110280158.9
申请日：2021-03-16
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司德州供电公司
摘要： 本发明公开了一种用于半导体电极制备中的镍腐蚀方法，其包括：在晶圆上镍成膜并高温退火；选择性去除所述晶圆上的镍膜；处理晶圆，本发明提供的技术方案有效的去除了氧化膜表面镍，保留了镍和晶圆接触处且不腐蚀氧化膜，满足了欧姆接触工艺对腐蚀的严格要求，且操作步骤简单。
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公开(公告)号：CN118039464A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211357785.9
申请日：2022-11-01
申请人： 国网智能电网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 一种减少碳化硅表面损伤的离子注入方法及碳化硅器件，包括：在碳化硅晶圆上依次生长第一掩膜介质层和第二掩膜介质层；在所述第二掩膜介质层上进行干法刻蚀，得到具有预设图案的第二掩膜介质层；对所述第一掩膜介质层进行退火处理，形成致密均匀的第一掩膜介质层；基于所述第一掩膜介质层和第二掩膜介质层对碳化硅晶圆进行离子注入；其中，所述第二掩膜介质层与所述第一掩膜介质层的厚度和材质不同。本发明中采取两层介质膜进行离子注入，由于第一掩膜介质层的存在，在对第二掩膜介质层进行刻蚀时可自截止在第二掩膜介质层刻蚀完成的地方，剩余的第一掩膜介质层可以防止刻蚀离子和注入离子对碳化硅晶圆表面轰击造成损伤。
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