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公开(公告)号：CN104282770A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410309128.6
申请日：2014-06-30
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L21/84 , H01L27/0744 , H01L27/075 , H01L27/1203 , H01L29/66121 , H01L29/66181 , H01L29/66371 , H01L29/7408 , H01L29/87 , H01L29/945
摘要： 包括硅控整流器的器件结构和设计结构以及用于这样的器件结构的制作方法。在绝缘体上硅衬底的器件层中形成阱。形成包括该阱中的阳极的硅控整流器。形成包括与该阱相耦合的板面的深沟槽电容器。该深沟槽电容器的板面从器件层通过该绝缘体上硅衬底的掩埋绝缘体层延伸并且延伸到该绝缘体上硅衬底的承载晶片之中。
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公开(公告)号：CN103378010B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310143062.3
申请日：2013-04-23
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/84 , H01L27/0262 , H01L27/1203
摘要： 本发明涉及具有集成二极管的二极管触发可控硅整流器。用于可控硅整流器的器件结构、设计结构和制造方法。在器件区中形成第一导电类型的阱，所述器件区由绝缘体上半导体衬底的器件层限定。在所述阱中形成第二导电类型的掺杂区。在所述器件区中形成可控硅整流器的阴极和二极管的阴极。所述可控硅整流器包括所述阱的第一部分以及由所述掺杂区的第一部分构成的阳极。所述二极管包括所述阱的第二部分以及由所述掺杂区的第二部分构成的阳极。
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公开(公告)号：CN104282770B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410309128.6
申请日：2014-06-30
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L21/84 , H01L27/0744 , H01L27/075 , H01L27/1203 , H01L29/66121 , H01L29/66181 , H01L29/66371 , H01L29/7408 , H01L29/87 , H01L29/945
摘要： 包括硅控整流器的器件结构和设计结构以及用于这样的器件结构的制作方法。在绝缘体上硅衬底的器件层中形成阱。形成包括该阱中的阳极的硅控整流器。形成包括与该阱相耦合的板面的深沟槽电容器。该深沟槽电容器的板面从器件层通过该绝缘体上硅衬底的掩埋绝缘体层延伸并且延伸到该绝缘体上硅衬底的承载晶片之中。
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公开(公告)号：CN103378010A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310143062.3
申请日：2013-04-23
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/84 , H01L27/0262 , H01L27/1203
摘要： 本发明涉及具有集成二极管的二极管触发可控硅整流器。用于可控硅整流器的器件结构、设计结构和制造方法。在器件区中形成第一导电类型的阱，所述器件区由绝缘体上半导体衬底的器件层限定。在所述阱中形成第二导电类型的掺杂区。在所述器件区中形成可控硅整流器的阴极和二极管的阴极。所述可控硅整流器包括所述阱的第一部分以及由所述掺杂区的第一部分构成的阳极。所述二极管包括所述阱的第二部分以及由所述掺杂区的第二部分构成的阳极。
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