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公开(公告)号：CN104282770B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410309128.6
申请日：2014-06-30
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L21/84 , H01L27/0744 , H01L27/075 , H01L27/1203 , H01L29/66121 , H01L29/66181 , H01L29/66371 , H01L29/7408 , H01L29/87 , H01L29/945
摘要： 包括硅控整流器的器件结构和设计结构以及用于这样的器件结构的制作方法。在绝缘体上硅衬底的器件层中形成阱。形成包括该阱中的阳极的硅控整流器。形成包括与该阱相耦合的板面的深沟槽电容器。该深沟槽电容器的板面从器件层通过该绝缘体上硅衬底的掩埋绝缘体层延伸并且延伸到该绝缘体上硅衬底的承载晶片之中。
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公开(公告)号：CN103339630B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201280006066.0
申请日：2012-01-20
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： H01L27/0255 , G06F17/5022 , G06F17/5045 , H01L27/0262 , H01L27/1203 , H01L29/6609 , H01L29/66393 , H01L29/7436 , H01L29/861
摘要： SOI工艺的具有减小的结面积的器件结构、制造所述器件结构的方法，以及横向二极管（56）的设计结构。所述器件结构包括一个或多个介电区域（20a、20b、20c），例如STI区域，其位于器件区域（18）中并与阳极（40、42）和阴极（28、30、48a、48b、49a、49b、50a、50b）之间的p?n结（52、54）相交。可以使用浅沟槽隔离技术形成的所述介电区域用于针对与p?n结横向间隔的位置处的所述阴极和所述阳极的宽度范围减小p?n结的宽度。该宽度差异和该介电区域的存在将产生非对称二极管结构。最小化所述介电区域占用的所述器件区域的体积以便保持所述阴极和阳极的体积。
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公开(公告)号：CN104282770A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410309128.6
申请日：2014-06-30
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L21/84 , H01L27/0744 , H01L27/075 , H01L27/1203 , H01L29/66121 , H01L29/66181 , H01L29/66371 , H01L29/7408 , H01L29/87 , H01L29/945
摘要： 包括硅控整流器的器件结构和设计结构以及用于这样的器件结构的制作方法。在绝缘体上硅衬底的器件层中形成阱。形成包括该阱中的阳极的硅控整流器。形成包括与该阱相耦合的板面的深沟槽电容器。该深沟槽电容器的板面从器件层通过该绝缘体上硅衬底的掩埋绝缘体层延伸并且延伸到该绝缘体上硅衬底的承载晶片之中。
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公开(公告)号：CN103339630A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201280006066.0
申请日：2012-01-20
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： H01L27/0255 , G06F17/5022 , G06F17/5045 , H01L27/0262 , H01L27/1203 , H01L29/6609 , H01L29/66393 , H01L29/7436 , H01L29/861
摘要： SOI工艺的具有减小的结面积的器件结构、制造所述器件结构的方法，以及横向二极管（56）的设计结构。所述器件结构包括一个或多个介电区域（20a、20b、20c），例如STI区域，其位于器件区域（18）中并与阳极（40、42）和阴极（28、30、48a、48b、49a、49b、50a、50b）之间的p-n结（52、54）相交。可以使用浅沟槽隔离技术形成的所述介电区域用于针对与p-n结横向间隔的位置处的所述阴极和所述阳极的宽度范围减小p-n结的宽度。该宽度差异和该介电区域的存在将产生非对称二极管结构。最小化所述介电区域占用的所述器件区域的体积以便保持所述阴极和阳极的体积。
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