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公开(公告)号：CN1790673A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510119987.X
申请日：2005-09-30
申请人： 因芬尼昂技术股份公司
IPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/8224 , H01L21/8226 , H01L21/8228 , H01L27/082
CPC分类号： H01L21/8226 , H01L21/8224 , H01L27/0214 , H01L27/0237 , H01L27/0744 , H01L27/0821 , H01L29/6625 , H01L29/735
摘要： 一种制备I2L电路中的方法，包括(i)在衬底中形成公共的横向双极晶体管的基极和垂直双极多集电极晶体管的发射极，公共的横向晶体管的集电极和垂直多集电极晶体管的基极，以及横向晶体管的发射极(10)；(ii)由第一淀积多晶层形成共集电极/基极的接触区(7’)和横向晶体管的发射极的接触区(7”)；(iii)形成电隔离共集电极/基极的多晶接触区(7’)的隔离结构(8)；以及(iv)由第二淀积多晶层形成共基极/发射极的接触区(11’)和垂直多集电极晶体管的多个集电极(11”)。
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公开(公告)号：CN101494239A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910119961.3
申请日：2009-02-27
申请人： 电子科技大学
发明人： 陈星弼
IPC分类号： H01L29/739
CPC分类号： H01L29/66333 , H01L27/0705 , H01L27/0744 , H01L29/0634 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/7393 , H01L29/7395
摘要： 本发明涉及一种高速IGBT，在下表面有发射极和基极的联出线，在上表面的IGBT的元胞均被一个表面耐压区所包围；表面耐压区如由横向变化掺杂的层所构成，则在几乎任何电压下耐压区之边缘设立的区域均可产生与未耗尽的中性区有差别的电位，而且此差别与外加电极的电压有关，可用来控制设在上表面且与下表面有联接的发射极与基极的电压，从而控制少子注入效率，由此可降低IGBT关断时间。
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公开(公告)号：CN100435319C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200510119987.X
申请日：2005-09-30
申请人： 因芬尼昂技术股份公司
IPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/8224 , H01L21/8226 , H01L21/8228 , H01L27/082
CPC分类号： H01L21/8226 , H01L21/8224 , H01L27/0214 , H01L27/0237 , H01L27/0744 , H01L27/0821 , H01L29/6625 , H01L29/735
摘要： 一种制备I2L电路中的方法，包括(i)在衬底中形成公共的横向双极晶体管的基极和垂直双极多集电极晶体管的发射极，公共的横向晶体管的集电极和垂直多集电极晶体管的基极，以及横向晶体管的发射极(10)；(ii)由第一淀积多晶层形成共集电极/基极的接触区(7’)和横向晶体管的发射极的接触区(7”)；(iii)形成电隔离共集电极/基极的多晶接触区(7’)的隔离结构(8)；以及(iv)由第二淀积多晶层形成共基极/发射极的接触区(11’)和垂直多集电极晶体管的多个集电极(11”)。
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公开(公告)号：CN104282770A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410309128.6
申请日：2014-06-30
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L21/84 , H01L27/0744 , H01L27/075 , H01L27/1203 , H01L29/66121 , H01L29/66181 , H01L29/66371 , H01L29/7408 , H01L29/87 , H01L29/945
摘要： 包括硅控整流器的器件结构和设计结构以及用于这样的器件结构的制作方法。在绝缘体上硅衬底的器件层中形成阱。形成包括该阱中的阳极的硅控整流器。形成包括与该阱相耦合的板面的深沟槽电容器。该深沟槽电容器的板面从器件层通过该绝缘体上硅衬底的掩埋绝缘体层延伸并且延伸到该绝缘体上硅衬底的承载晶片之中。
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公开(公告)号：CN102222670A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110162549.7
申请日：2011-06-16
申请人： 深圳市力生美半导体器件有限公司
IPC分类号： H01L27/082 , H01L29/732 , H02M7/02
CPC分类号： H01L27/0744 , H01L29/73
摘要： 一种AC-DC开关电源及其功率三极管结构，该功率三极管包括一作为集电极的衬底，在该衬底上形成的相互隔离的至少两个基区、在每个基区上形成的一个发射极以及与该衬底电连接的集电极引脚、与该些基区电连接的至少两个基极引脚、与该些发射极电连接的至少两个发射极引脚，该衬底、每个基区、每个基区上的发射极及相应的引脚构成一个三极管单元。该AC-DC开关电源，包括一电源管理电路和与该电源管理电路电连接的开关管，该开关管具有前述的功率三极管结构。本发明可在控制成本的前提下，确保开关电源的性能。
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公开(公告)号：CN100390996C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN02828380.5
申请日：2002-02-28
申请人： ST微电子公司
发明人： 塞萨尔·龙西斯瓦莱
IPC分类号： H01L27/07
CPC分类号： H01L27/0825 , H01L21/8222 , H01L27/0744
摘要： 本发明涉及一种具有传统的基极(B)、集电极(C)和发射极(E)端子的类型的、可以集成为达林顿结构的改进双极晶体管结构(1)，包括：在集电极(C)和(B)之间的电阻(R)；以及在基极(B)和发射极(E)之间的闸流晶体管器件(3)SCR。所述电阻(R)是使晶体管结构保持为常导通的高电压电阻，而闸流晶体管是在其栅极端子上使能和驱动的截止电路。
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公开(公告)号：CN104282770B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410309128.6
申请日：2014-06-30
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L21/84 , H01L27/0744 , H01L27/075 , H01L27/1203 , H01L29/66121 , H01L29/66181 , H01L29/66371 , H01L29/7408 , H01L29/87 , H01L29/945
摘要： 包括硅控整流器的器件结构和设计结构以及用于这样的器件结构的制作方法。在绝缘体上硅衬底的器件层中形成阱。形成包括该阱中的阳极的硅控整流器。形成包括与该阱相耦合的板面的深沟槽电容器。该深沟槽电容器的板面从器件层通过该绝缘体上硅衬底的掩埋绝缘体层延伸并且延伸到该绝缘体上硅衬底的承载晶片之中。
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公开(公告)号：CN105633074A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610134893.8
申请日：2016-03-10
申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L27/0744 , H01L29/7416
摘要： 本发明公开了一种由反偏二极管触发的双向可控硅器件，其器件结构由P型衬底；P型衬底上的BN+埋层和高压N阱（HV Nwell）；以及位于高压N阱（HV Nwell）中的P-body、P-base、P-base、P-body；位于P-body之中的P+扩散区、N+扩散区、P+扩散区；位于P-base之中的P+环形扩散区、N+扩散区；位于P-base之中的P+环形扩散区、N+扩散区；位于P-body之中的N+扩散区、P+扩散区、P+扩散区构成。本发明为可控硅静电防护器件，具有双向泄放静电的能力和基本对称的正反向静电防护特性；采用二极管反偏的击穿电压触发SCR的开启，有效地降低了SCR的触发电压；在版图的布局上将触发用二极管嵌入到SCR结构中，较大地节省了器件面积。
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公开(公告)号：CN101494239B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910119961.3
申请日：2009-02-27
申请人： 电子科技大学
发明人： 陈星弼
IPC分类号： H01L29/739
CPC分类号： H01L29/66333 , H01L27/0705 , H01L27/0744 , H01L29/0634 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/7393 , H01L29/7395
摘要： 本发明涉及一种高速IGBT，在下表面有发射极和基极的联出线，在上表面的IGBT的元胞均被一个表面耐压区所包围；表面耐压区如由横向变化掺杂的层所构成，则在几乎任何电压下耐压区之边缘设立的区域均可产生与未耗尽的中性区有差别的电位，而且此差别与外加电极的电压有关，可用来控制设在上表面且与下表面有联接的发射极与基极的电压，从而控制少子注入效率，由此可降低IGBT关断时间。
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公开(公告)号：CN1623233A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN02828380.5
申请日：2002-02-28
申请人： ST微电子公司
发明人： 塞萨尔·龙西斯瓦莱
IPC分类号： H01L27/07
CPC分类号： H01L27/0825 , H01L21/8222 , H01L27/0744
摘要： 本发明涉及一种具有传统的基极(B)、集电极(C)和发射极(E)端子的类型的、可以集成为达林顿结构的改进双极晶体管结构(1)，包括：在集电极(C)和(B)之间的电阻(R)；以及在基极(B)和发射极(E)之间的闸流晶体管器件(3)SCR。所述电阻(R)是使晶体管结构保持为常导通的高电压电阻，而闸流晶体管是在其栅极端子上使能和驱动的截止电路。
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