公开(公告)号：CN103794493A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310511538.4

申请日：2013-10-25

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 程鹏 ,  P.B.格雷 ,  V.贾因 ,  R.K.莱迪 ,  刘奇志

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/762 ,  H01L29/73 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/732 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76283 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7378 ,  H01L29/66234 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/73

摘要： 本发明公开了半导体器件制造方法及器件结构，硬件描述语言设计结构，具体公开了一种制造器件结构，以及双极结型晶体管的器件结构与设计结构的方法。该器件结构包括在基板中的集电极区域、延伸到该基板中且包括电绝缘体的多个隔离结构、以及在该基板中的隔离区域。隔离结构具有长度，并且以横向于该长度的节距布置，使得隔离结构的每个相邻对被基板的相应部分分开。隔离区域通过集电极区域的第一部分与隔离结构中的至少一个侧向分开。隔离区域将集电极区域的第二部分与集电极区域的第一部分侧向分开。所述器件结构还包括在集电极区域第二部分上的本征基极和在本征基极上的发射极。发射极具有相对于隔离结构的长度横向定向的长度。

公开(公告)号：CN103794493B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201310511538.4

申请日：2013-10-25

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 程鹏 ,  P.B.格雷 ,  V.贾因 ,  R.K.莱迪 ,  刘奇志

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/762 ,  H01L29/73 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/732 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76283 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7378

摘要： 本发明公开了半导体器件制造方法及器件结构，硬件描述语言设计结构，具体公开了一种制造器件结构，以及双极结型晶体管的器件结构与设计结构的方法。该器件结构包括在基板中的集电极区域、延伸到该基板中且包括电绝缘体的多个隔离结构、以及在该基板中的隔离区域。隔离结构具有长度，并且以横向于该长度的节距布置，使得隔离结构的每个相邻对被基板的相应部分分开。隔离区域通过集电极区域的第一部分与隔离结构中的至少一个侧向分开。隔离区域将集电极区域的第二部分与集电极区域的第一部分侧向分开。所述器件结构还包括在集电极区域第二部分上的本征基极和在本征基极上的发射极。发射极具有相对于隔离结构的长度横向定向的长度。