公开(公告)号：CN109148292A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810934180.9

申请日：2018-08-16

申请人： 盛世瑶兰(深圳)科技有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L29/66234 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/0296 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/73

摘要： 本发明涉及一种瞬态电压抑制器，包括：衬底；形成于所述衬底表面区域的第二导电类型的第一注入区；形成于所述衬底上的第一外延层；形成在所述第一外延层上的第一导电类型的第二外延层；形成在所述第二外延层内且位于所述第一部分上方的第一沟槽，以及形成第二外延层内且位于所述第二部分上方的第二沟槽，所述第一沟槽及第二沟槽贯穿所述第二外延层；分别形成于所述第一沟槽及所述第二沟槽内的第一导电类型的第三外延层及第一导电类型的第四外延层，所述第三外延层与所述第一部分连接且其高度小于所述第一沟槽的深度，所述第四外延层与所述第二部分连接且其高度小于所述第二沟槽的深度；形成在所述第四外延层上表面区域的第二注入区。

公开(公告)号：CN108695313A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201710889880.6

申请日：2017-09-27

申请人： 意法半导体国际有限公司

发明人： R·斯坦安达姆

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H02H9/046 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/87 ,  H01L27/0285

摘要： 在使用遂穿场效应晶体管(TFET)或碰撞电离MOSFET(IMOS)的电路中提供静电放电(ESD)保护。这些电路被支持在绝缘体上硅(SOI)和体基底配置中，以用作保护二极管、电源钳位、故障保护电路和切分单元。具有寄生双极型器件的实现方式提供了附加的并行放电路径。

公开(公告)号：CN107180799A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710280643.X

申请日：2017-04-26

申请人： 东莞市柏尔电子科技有限公司

发明人： 崔华生

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/367 ,  H01L29/73

CPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/367 ,  H01L29/73

摘要： 本发明在输送槽轨相应的限位和翻转的结构，能对方形二极管的正反方形进行筛选，在输送槽轨上实现统一方向输出方形二极管。本发明公开了一种大功率三极管的封装基板，包括矩形的基板，基板的下侧成型有若干道竖直的散热槽，散热槽的两端成型有向前弯折的挡块；基板的前端面上粘贴固定有石墨导热片，石墨导热片的前端面粘贴覆盖有PET膜，挡块穿过石墨导热片和PET膜插套固定有绝缘套。本发明结构简单，对封装的基板进行了优化改进，提高了散热效率，从而能提高大功率半导体三极管的散热效果，提高半导体三极管的使用寿命。

公开(公告)号：CN104737293B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201480002396.1

申请日：2014-11-26

申请人： 伍震威

发明人： 单建安 ,  伊夫蒂哈尔.艾哈迈德 ,  伍震威

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/405 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/8611

摘要： 提供一种功率半导体装置的结构和制造方法。提供位于在功率半导体装置的表面处的金属电极（21、22、23）之间的薄半绝缘场板（32、33、34）结构。所述薄半绝缘场板（32、33、34）通过在金属化之前进行沉积并且在所述金属化之后进行退火而形成。可以用于横向功率半导体装置和垂直功率半导体装置中。

公开(公告)号：CN106409674A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610609447.8

申请日：2016-07-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： P.伊西格勒 ,  A.迈泽 ,  W.维尔纳

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/765 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66234 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/785

摘要： 本发明涉及制造半导体结构的方法和半导体器件。一种在半导体本体（304）中制造结构的方法包括在所述半导体本体（304）的第一表面307）之上形成第一掩模（320）。所述第一掩模320）包括围绕所述第一掩模（320）的第一部分3201）的开口（322），由此将所述第一掩模（320）的第一部分（3201）和第二部分（3202）分开。穿过在所述第一表面（307）处的所述开口（322）处理所述半导体本体（304）。通过去除所述第一部分3201）中的所述第一掩模（320）的至少一部分同时保持所述第二部分（3202）中的所述第一掩模320）来增大所述开口（322）。穿过在所述第一表面（307）处的所述开口（322）进一步处理所述半导体本体（304）。

公开(公告)号：CN105185818A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510283585.7

申请日：2015-05-28

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·金勒 ,  G·施密特 ,  M·斯波恩 ,  M·卡恩 ,  J·斯泰恩布伦纳 ,  R·K·乔施

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/762 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/345 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/16 ,  H01L29/408 ,  H01L29/73 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02592

摘要： 根据各种实施例，一种半导体晶片可以包括：包括集成电路结构的半导体本体；以及形成在该集成电路结构之上和/或形成在该集成电路结构中的至少一个四面体非晶碳层，该至少一个四面体非晶碳层可以包括大于大致0.4的sp3杂化碳的物质量分数和小于大致0.1的氢的物质量分数。

公开(公告)号：CN103117300B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201110363181.0

申请日：2011-11-16

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 陈帆 ,  陈雄斌 ,  薛恺 ,  周克然 ,  潘嘉 ,  李昊 ,  蔡莹 ,  陈曦

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66234 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/735

摘要： 本发明公开了一种寄生横向型PNP器件，由形成于相邻的两个有源区中的N型注入层组成基区，由基区的两个有源区之间的浅槽场氧底部形成的P型掺杂的多晶硅赝埋层组成发射区，由基区的两个有源区两侧的浅槽场氧底部形成的P型掺杂的多晶硅赝埋层组成集电区。最后形成的器件的结构为C-B-E-B-C，该结构能将器件的基区的电流通路变成直线型，能提升器件的电流能力，使器件的电流增益和频率特征都得到显著的改善；还能减少器件的面积，提高电流密度。多晶硅赝埋层能降低发射极和集电极的连接电阻且使阻值均匀，能较大的提高器件的截止频率。本发明还公开了一种寄生横向型PNP器件的制造方法。

公开(公告)号：CN102412276B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201110348411.6

申请日：2011-09-22

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： K·迪芬贝克

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0813 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/66234 ,  H01L29/66287

摘要： 根据本发明的实施例公开了一种晶体管。该晶体管包括集电极、基极和发射极，其中该基极的第一端宽度比该基极的中间宽度大，其中该集电极的第一端宽度比该集电极的中间宽度大，或其中该发射极的第一端宽度比该发射极的中间宽度大。

公开(公告)号：CN104217945A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310222181.8

申请日：2013-06-05

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 李勇

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L29/66234 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/73

摘要： 一种双极晶体管、半导体器件和双极晶体管的形成方法，其中，双极晶体管的形成方法包括：提供衬底，在衬底上形成有绝缘层、位于绝缘层上的纳米线，定义纳米线两端之间的部分长度纳米线为中区；去除中区下部分厚度的绝缘层形成镂空区；在形成镂空区后，对纳米线进行第一类型杂质掺杂，形成集电区；在中区表面形成环绕集电区的基区，在基区中掺杂有第二类型杂质，第二类型杂质的类型与第一类型杂质的类型相反；在部分长度基区表面形成环绕基区的发射区，在发射区中掺杂有第一类型杂质。本发明结合具有全包围栅极的场效应晶体管制造方法制造双极晶体管，实现了具有全包围栅极的场效应晶体管制造工艺和双极晶体管制造工艺的兼容。

公开(公告)号：CN104124152A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201310156946.2

申请日：2013-04-28

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 黄新运 ,  李勇 ,  陶佳佳 ,  张帅 ,  居建华

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/66234 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/73

摘要： 一种鳍式双极结型晶体管及其形成方法，所述鳍式双极结型晶体管包括：基底；位于所述基底上的鳍部，所述鳍部为基区；所述鳍部包括相互隔开的第一区和第二区；位于所述第一区上的集电区；位于所述第二区上的发射区。由本发明提供的方法形成的鳍式双极结型晶体管，基区与发射区之间形成的PN结具有较大的面积，该PN结面积可调，且可调范围很大。