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公开(公告)号：CN1797742A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510124204.7
申请日：2005-11-21
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/1463 , H01L27/14687 , H01L27/14689
摘要： 一种新颖的在第一导电类型的衬底上形成的图像传感器结构，所述图像传感器结构包括第二导电类型的光敏器件和所述第一导电类型的表面钉扎层。邻近所述光敏器件钉扎层形成沟槽隔离区。所述结构包括杂质区，所述杂质区包括沿所述隔离区的侧壁形成的所述第一导电类型的材料，并适于将所述钉扎层电连接至所述衬底。通过首先制造所述光致抗蚀剂层，并通过去除其阻挡所述倾斜注入材料的拐角或拐角部分减小其尺寸，相应的方法便于在所述隔离区侧壁中倾斜离子注入杂质材料。为便于越过抗蚀剂阻挡掩膜对所述侧壁边缘进行倾斜注入，提出了两种方法：1)对成像的光致抗蚀剂进行隔离物型蚀刻；或者，2)对成像的光致抗蚀剂进行拐角溅射工艺。
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公开(公告)号：CN1983610A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610164118.3
申请日：2006-11-14
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/822 , G02B6/42 , G02B6/10
CPC分类号： G01J1/04 , G01J1/0407 , G01J1/0422 , G01J1/0488
摘要： 一种光传感结构及其形成方法。所述结构包括(a)半导体衬底和(b)在所述半导体衬底上的光收集区域。所述结构还包括在所述光收集区域的顶部上的漏斗状光导管。所述漏斗状光导管包括(i)在所述光收集区域的的顶部上的底部柱状部分，以及(ii)具有锥形形状且在所述底部柱状部分的顶部上并与所述底部柱状部分直接物理接触的漏斗状部分。所述结构还包括在所述漏斗状光导管的顶部上的滤色区域。
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公开(公告)号：CN100552970C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200580044500.4
申请日：2005-12-14
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/04
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L21/76819 , H01L21/76834 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L27/14683
摘要： 一种图像传感器(20)及制造方法，其中该传感器包括铜(Cu)金属化级(135a，135b)，允许结合较薄的级间介质叠层(130a-130c)以导致像素阵列(100)显示增加的光敏感性。图像传感器包括具有最小厚度的阻挡金属层(132a，132b)的结构，阻挡金属层经过传感器阵列中的每个像素的光路，或者具有从每个像素的光路选择除去的阻挡金属层的一部分(50)，从而最小化反射率。即，通过进行各种阻挡或单掩模方法，在阵列中的每个像素的光路的位置完全除去阻挡金属层的一部分。在另一个实施例中，可以通过自对准沉积在Cu金属化上形成阻挡金属层(142)。
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公开(公告)号：CN100536153C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610164118.3
申请日：2006-11-14
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/822 , G02B6/42 , G02B6/10
CPC分类号： G01J1/04 , G01J1/0407 , G01J1/0422 , G01J1/0488
摘要： 一种像素传感结构及其形成方法。所述结构包括(a)半导体衬底和(b)在所述半导体衬底上的光收集区域。所述结构还包括在所述光收集区域的顶部上的漏斗状光导管。所述漏斗状光导管包括(i)在所述光收集区域的的顶部上的底部柱状部分，以及(ii)具有锥形形状且在所述底部柱状部分的顶部上并与所述底部柱状部分直接物理接触的漏斗状部分，其中所述漏斗状部分的截面具有凸面形状。所述结构还包括在所述漏斗状光导管的顶部上的滤色区域。
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公开(公告)号：CN100359670C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200510124204.7
申请日：2005-11-21
申请人： 国际商业机器公司
摘要： 一种新颖的在第一导电类型的衬底上形成的图像传感器结构，所述图像传感器结构包括第二导电类型的光敏器件和所述第一导电类型的表面钉扎层。邻近所述光敏器件钉扎层形成沟槽隔离区。所述结构包括杂质区，所述杂质区包括沿所述隔离区的侧壁形成的所述第一导电类型的材料，并适于将所述钉扎层电连接至所述衬底。通过首先制造所述光致抗蚀剂层，并通过去除其阻挡所述倾斜注入材料的拐角或拐角部分减小其尺寸，相应的方法便于在所述隔离区侧壁中倾斜离子注入杂质材料。为便于越过抗蚀剂阻挡掩膜对所述侧壁边缘进行倾斜注入，提出了两种方法：1)对成像的光致抗蚀剂进行隔离物型蚀刻；或者，2)对成像的光致抗蚀剂进行拐角溅射工艺。
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公开(公告)号：CN101088165A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200580044500.4
申请日：2005-12-14
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/04
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L21/76819 , H01L21/76834 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L27/14683
摘要： 一种图像传感器(20)及制造方法，其中该传感器包括铜(Cu)金属化级(135a，135b)，允许结合较薄的级间介质叠层(130a－130c)以导致象素阵列(100)显示增加的光敏感性。图像传感器包括具有最小厚度的阻挡金属层(132a，132b)的结构，阻挡金属层经过传感器阵列中的每个象素的光路，或者具有从每个象素的光路选择除去的阻挡金属层的一部分(50)，从而最小化反射率。即，通过进行各种阻挡或单掩模方法，在阵列中的每个象素的光路的位置完全除去阻挡金属层的一部分。在另一个实施例中，可以通过自对准沉积在Cu金属化上形成阻挡金属层(142)。
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