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公开(公告)号：CN101917558B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201010148235.7
申请日：2010-03-24
申请人： 国际商业机器公司
发明人： J·J·埃利斯-莫纳甘 , M·D·贾菲 , C·F·穆萨恩特
IPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/355 , H04N5/357
摘要： 本发明涉及一种可变动态范围像素传感器单元、设计结构及方法。根据可变电容下来自浮置扩散区的多个基准数据点和信号数据点对的测量，阐述了一种包括列电路的像素传感器单元、一种用于制造包括所述列电路的所述像素传感器单元的设计结构，以及一种用于操作包括所述列电路的所述像素传感器单元的方法。通过在浮置扩散区电容以外排除或包括传输门晶体管电容来提供所述可变电容。此类可变电容为包括所述列电路的所述像素传感器单元提供了可变动态范围。
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公开(公告)号：CN1846309A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480024967.8
申请日：2004-06-30
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/76 , H01L21/00 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/84 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/823821 , H01L27/1203 , H01L29/66795 , H01L29/785 , Y10S438/947
摘要： 公开了一种用于集成电路结构的方法和结构，该集成电路结构利用了互补鳍片型场效应晶体管(FinFET)。本发明具有包括第一鳍片(100)的第一类型FinFET，以及包括平行于第一鳍片(100)延伸的第二鳍片(102)的第二类型FinFET。本发明还具有位于第一类型FinFET和第二类型FinFET的源极/漏极区域(130)之间的绝缘鳍片。绝缘鳍片具有与第一鳍片(100)和第二鳍片(102)基本相同的宽度尺寸，以便第一类型FinFET和第二类型FinFET之间的间隔大约等于一个鳍片的宽度。本发明还具有在第一类型FinFET和第二类型FinFET的沟道区域上形成的公共栅极(106)。栅极(106)包括与第一类型FinFET相邻的第一杂质掺杂区域和与第二类型FinFET相邻的第二杂质掺杂区域。第一杂质掺杂区域和第二杂质掺杂区域之间的差别给所述栅极提供与第一类型FinFET和第二类型FinFET之间的差别相关的不同的功函数。第一鳍片(100)和第二鳍片(102)具有大约相同的宽度。
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公开(公告)号：CN104253157B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201410294991.9
申请日：2014-06-26
申请人： 国际商业机器公司
发明人： M·J·阿鲍-科哈利尔 , A·B·伯塔拉 , M·D·贾菲 , A·J·乔瑟夫 , J·A·斯林克曼
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78654 , H01L21/28123 , H01L21/84 , H01L29/66613
摘要： 本发明涉及薄本体开关晶体管，具体公开了一种集成的凹陷薄本体场效应晶体管及其制造方法。该方法包括使半导体材料的一部分凹陷。该方法还包括在半导体材料的凹陷部分内形成至少一个栅极结构。
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公开(公告)号：CN103247566B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310035105.6
申请日：2013-01-30
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： 本发明涉及绝缘体上硅（SOI）结构及形成该结构的相关方法。在一种情况下，一种方法包括提供绝缘体上硅（SOI）处理衬底，所述处理衬底具有：沿所述处理衬底的深度的基本均匀的电阻率分布；以及小于约10每百万原子分率（ppma）的填隙氧（Oi）浓度。所述方法还包括对所述处理衬底的表面区域进行反向掺杂，使得所述表面区域具有大于约3kOhm-cm的电阻率；以及使所述处理衬底的所述表面区域与供体晶片接合。
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公开(公告)号：CN103227619B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310022416.9
申请日：2013-01-22
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H03H9/64
CPC分类号： H03H9/13 , G06F17/5081 , H01L41/08 , H03H3/08 , H03H9/02543 , H03H9/64 , H03H9/6403 , H03H9/6413 , H03H2003/0071 , H03H2009/02299 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49126 , Y10T29/49147 , Y10T29/49155
摘要： 本文中公开了可切换和/或可调谐滤波器、制造方法和设计结构。形成所述滤波器的方法包括形成至少一个压电滤波器结构，所述至少一个压电滤波器结构包括在压电基底上形成的多个电极。该方法还包括在所述压电基底上形成具有多个指状物的固定电极。该方法还包括在所述压电基底之上形成具有多个指状物的可动电极。该方法还包括形成与所述可动电极的所述多个指状物中的一个或多个指状物对准的致动器。
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公开(公告)号：CN104253157A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410294991.9
申请日：2014-06-26
申请人： 国际商业机器公司
发明人： M·J·阿鲍-科哈利尔 , A·B·伯塔拉 , M·D·贾菲 , A·J·乔瑟夫 , J·A·斯林克曼
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78654 , H01L21/28123 , H01L21/84 , H01L29/66613 , H01L21/28026 , H01L29/0684
摘要： 本发明涉及薄本体开关晶体管，具体公开了一种集成的凹陷薄本体场效应晶体管及其制造方法。该方法包括使半导体材料的一部分凹陷。该方法还包括在半导体材料的凹陷部分内形成至少一个栅极结构。
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公开(公告)号：CN100483734C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200480024967.8
申请日：2004-06-30
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/76 , H01L21/00 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/84 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/823821 , H01L27/1203 , H01L29/66795 , H01L29/785 , Y10S438/947
摘要： 公开了一种用于集成电路结构的方法和结构，该集成电路结构利用了互补鳍片型场效应晶体管(FinFET)。本发明具有包括第一鳍片(100)的第一类型FinFET，以及包括平行于第一鳍片(100)延伸的第二鳍片(102)的第二类型FinFET。本发明还具有位于第一类型FinFET和第二类型FinFET的源极/漏极区域(130)之间的绝缘鳍片。绝缘鳍片具有与第一鳍片(100)和第二鳍片(102)基本相同的宽度尺寸，以便第一类型FinFET和第二类型FinFET之间的间隔大约等于一个鳍片的宽度。本发明还具有在第一类型FinFET和第二类型FinFET的沟道区域上形成的公共栅极(106)。栅极(106)包括与第一类型FinFET相邻的第一杂质掺杂区域和与第二类型FinFET相邻的第二杂质掺杂区域。第一杂质掺杂区域和第二杂质掺杂区域之间的差别给所述栅极提供与第一类型FinFET和第二类型FinFET之间的差别相关的不同的功函数。第一鳍片(100)和第二鳍片(102)具有大约相同的宽度。
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公开(公告)号：CN103187947B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310001517.8
申请日：2013-01-04
申请人： 国际商业机器公司
摘要： 本文中公开了可切换和/或可调谐的滤波器、制造方法和设计结构。形成滤波器的方法包括形成至少一个压电滤波器结构，所述至少一个压电滤波器结构包括在压电基底上形成的多个电极。该方法还包括形成微机电结构（MEMS），所述MEMS包括在所述压电基底上方且在如下位置处形成的MEMS梁：在该位置中，所述MEMS梁在致动时通过接触所述多个电极中的至少一个来短接所述压电滤波器结构。
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公开(公告)号：CN103187947A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310001517.8
申请日：2013-01-04
申请人： 国际商业机器公司
摘要： 本发明公开了可切换和/或可调谐的滤波器、制造方法和设计结构。形成滤波器的方法包括形成至少一个压电滤波器结构，所述至少一个压电滤波器结构包括在压电基底上形成的多个电极。该方法还包括形成微机电结构（MEMS），所述MEMS包括在所述压电基底上方且在如下位置处形成的MEMS梁：在该位置中，所述MEMS梁在致动时通过接触所述多个电极中的至少一个来短接所述压电滤波器结构。
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公开(公告)号：CN1797742A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510124204.7
申请日：2005-11-21
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/1463 , H01L27/14687 , H01L27/14689
摘要： 一种新颖的在第一导电类型的衬底上形成的图像传感器结构，所述图像传感器结构包括第二导电类型的光敏器件和所述第一导电类型的表面钉扎层。邻近所述光敏器件钉扎层形成沟槽隔离区。所述结构包括杂质区，所述杂质区包括沿所述隔离区的侧壁形成的所述第一导电类型的材料，并适于将所述钉扎层电连接至所述衬底。通过首先制造所述光致抗蚀剂层，并通过去除其阻挡所述倾斜注入材料的拐角或拐角部分减小其尺寸，相应的方法便于在所述隔离区侧壁中倾斜离子注入杂质材料。为便于越过抗蚀剂阻挡掩膜对所述侧壁边缘进行倾斜注入，提出了两种方法：1)对成像的光致抗蚀剂进行隔离物型蚀刻；或者，2)对成像的光致抗蚀剂进行拐角溅射工艺。
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