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公开(公告)号：CN115763300A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211075810.4
申请日：2022-09-02
申请人： 圆益IPS股份有限公司
摘要： 本发明涉及基板处理装置，更详细地说，涉及通过高压及低压执行基板处理的基板处理装置。本发明公开了一种基板处理装置，包括：工艺腔室(100)，形成内部空间(S1)；基板支撑部(200)，在上面放置基板(1)；内盖部(300)，可上下移动地设置在所述内部空间(S1)，通过下降，一部分紧贴于所述工艺腔室(100)底面(120)，进而形成内部有所述基板支撑部(200)的密封的处理空间(S2)；气体供应部(400)，将工艺气体供应于所述处理空间(S2)；内盖驱动部(600)，驱动所述内盖部(300)的上下移动。
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公开(公告)号：CN112670205A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202010952156.5
申请日：2020-09-11
申请人： 圆益IPS股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及基板处理方法，更详细地说，涉及去除基板的薄膜内杂质及改善薄膜特性的基板处理方法，包括：增压步骤，将腔室内的压力上升至高于常压的第一压力；第一减压步骤，在所述增压步骤之后，将所述腔室内的压力从所述第一压力下降到第二压力；第二减压步骤，在所述第一减压步骤之后，将所述腔室内的压力从所述第二压力下降至低于常压的第三压力。
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公开(公告)号：CN112447570A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010885072.4
申请日：2020-08-28
申请人： 圆益IPS股份有限公司
摘要： 本发明涉及基板处理，更详细地说，涉及用于对准成为基板处理对象的基板的对准模块及包括此的基板处理系统。本发明公开了一种对准模块(100)，选择性对准从外部导入的直角四边形形状的单张基板(11)或者将所述单张基板(11)分为2张的2张分割基板(12)，包括：对准腔室(110)，形成密封的内部空间；基板支撑部(120)，设置在所述对准腔室(110)内，以支撑所述单张基板(11)或者所述2张分割基板(12)；对准部，向所述对准腔室(110)内导入所述单张基板(11)时，对准所述单张基板(11)，在向所述对准腔室(110)内导入所述2张分割基板(12)时，对准所述2张分割基板(12)。
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公开(公告)号：CN104882361A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510089810.3
申请日：2015-02-27
申请人： 圆益IPS股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/314 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/34 , C23C16/45534 , C23C16/4554 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/76829 , H01L21/02172 , H01L21/02269
摘要： 本发明涉及利用原子层沉积法而稳定地维持膜质并能够容易调整压缩应力的氮化膜制作方法，执行包括以下四个步骤的单位周期至少一次以上，从而在所述基板上形成具有压缩应力的氮化膜，所述四个步骤，包括：第1步骤，将源气体供应到基板上，所述源气体的至少一部分被吸附到所述基板上；第2步骤，将第1净化气体供应到基板上；第3步骤，将包含氮气(N2)的应力调整气体及包含氮气(N2)以外的氮成分(N)的反应气体，以等离子状态同时供应到所述基板上，从而在所述基板上形成单位沉积膜；及第4步骤，将第2净化气体供应到基板上。
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公开(公告)号：CN112447570B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202010885072.4
申请日：2020-08-28
申请人： 圆益IPS股份有限公司
摘要： 本发明涉及基板处理，更详细地说，涉及用于对准成为基板处理对象的基板的对准模块及包括此的基板处理系统。本发明公开了一种对准模块(100)，选择性对准从外部导入的直角四边形形状的单张基板(11)或者将所述单张基板(11)分为2张的2张分割基板(12)，包括：对准腔室(110)，形成密封的内部空间；基板支撑部(120)，设置在所述对准腔室(110)内，以支撑所述单张基板(11)或者所述2张分割基板(12)；对准部，向所述对准腔室(110)内导入所述单张基板(11)时，对准所述单张基板(11)，在向所述对准腔室(110)内导入所述2张分割基板(12)时，对准所述2张分割基板(12)。
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公开(公告)号：CN115938980A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211075808.7
申请日：2022-09-02
申请人： 圆益IPS股份有限公司
摘要： 本发明涉及基板处理装置，更详细地说，涉及通过高压及低压执行基板处理的基板处理装置。本发明公开了一种基板处理装置，包括：工艺腔室(100)，形成内部空间(S1)；基板支撑部(200)，在上面放置基板(1)；内盖部(300)，形成内部有所述基板支撑部(200)的密封的处理空间(S2)；气体供应部(400)，将工艺气体供应于所述处理空间(S2)；内盖驱动部(600)，驱动所述内盖部(300)的上下移动；填充部件(700)，设置在所述基板支撑部(200)与所述设置槽(130)的内面之间，以填充所述基板支撑部(200)与所述设置槽(130)的内面之间的空间中的至少一部分。
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公开(公告)号：CN115810564A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211101412.5
申请日：2022-09-09
申请人： 圆益IPS股份有限公司
摘要： 本发明涉及基板处理装置，更详细地说，涉及通过在高压与低压之间的变压执行基板处理的基板处理装置。本发明公开了一种基板处理装置，包括：工艺腔室(100)，形成贯通孔(150)，并且形成内部空间(S1)；基板支撑部(200)，在上面放置基板(1)；气体供应部(400)，供应用于基板处理的工艺气体；排气部(500)，向外部排放通过气体供应部(400)供应的工艺气体；其中，腔室主体(110)形成有排气通道，排气通道形成在基板支撑轴(220)外周面与贯通孔(150)内侧面之间以与排气部(500)连通。
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公开(公告)号：CN115763301A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211075937.6
申请日：2022-09-02
申请人： 圆益IPS股份有限公司
摘要： 本说明涉及一种基板处理装置，具体而言，涉及一种通过低压和高压的变压转换而执行基板处理的基板处理装置。本发明公开一种基板处理装置，其包括：工艺腔体(100)，腔体主体(110)，基板支撑部(200)，内部引线部(300)，第一压力调节部(400)，第二压力调节部(500)，以及控制部。
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