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公开(公告)号:CN1291834C
公开(公告)日:2006-12-27
申请号:CN02817858.0
申请日:2002-09-13
申请人: 埃普科斯股份有限公司
发明人: C·霍夫曼 , K·-D·埃希霍尔策
CPC分类号: B32B18/00 , B32B2310/0843 , B32B2315/02 , C04B35/10 , C04B35/457 , C04B35/48 , C04B35/6303 , C04B37/001 , C04B2235/3205 , C04B2235/36 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/346 , C04B2237/348 , C04B2237/365 , C04B2237/56 , C04B2237/562 , C04B2237/702 , H01L21/481 , H01L21/4857 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H05K1/0306 , H05K3/4629 , H05K3/4688 , Y10T29/49885 , H01L2924/00014
摘要: 本发明涉及制造陶瓷基片的方法,它有以下几个步骤:a)准备好一个基体(2),它有由相互重叠的层(3)构成的叠层(2a),各层含有一种未烧结的陶瓷材料和一种烧结辅助材料(5),叠层(2a)中的一个层(3a)比相邻的层含有较多的烧结辅助材料(5);b)烧结所述叠层(2a)在烧结过程中,在所述烧结辅助材料(5)含量较高的层(3a)和所述相邻的层之间形成一个反应层(9),所述反应层促成这两个彼此相邻的层之间的附着。本发明还涉及一种陶瓷基片。通过更高的烧结辅助材料的含量,可以改善一个层(3a)与相邻层(3)的机械连结。