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公开(公告)号：CN112292751A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201880094419.4
申请日：2018-06-07
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 薄膜晶体管包括支承于基板的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘层、配置于栅极绝缘层上且包含多晶硅区域p的半导体层，多晶硅区域p具有：半导体层，其包括第一区域Rs、第二区域Rd、以及位于第一区域与第二区域之间的沟道区域Rc；源电极s，其与第一区域电连接；漏电极d，其与第二区域电连接，保护绝缘层，其配置于半导体层与源电极及漏电极之间；i型半导体层，其以与沟道区域的一部分直接接触的方式配置于保护绝缘层与沟道区域之间，由本征的半导体构成；以及侧壁，其配置于保护绝缘层的侧面，i型半导体层具有比多晶硅区域大的带隙，当从基板的法线方向观察时，i型半导体层与第一区域之间以及i型半导体层与第区域之间，侧壁与沟道区域直接接触。
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