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公开(公告)号：CN110870077A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201780092980.4
申请日：2017-07-12
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368
Abstract: 半导体装置包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包含：基板1；栅极电极2，被基板1支撑；半导体层4，在栅极电极上介隔栅极绝缘层3而设置，包含第一区域Rs、第二区域Rd、位于第一区域以及第二区域之间，且，从基板的法线方向观察时与栅极电极重叠的源极漏极间区域SG；与第一区域相接的第一接触层Cs，以及与第二区域相接的第二接触层Cd；源极电极8s，经由第一接触层而与第一区域电连接；漏极电极8d，经由第二接触层而与第二区域电连接；其中半导体层包含结晶质硅区域4c，结晶质硅区域的至少一部分位于源极漏极间区域SG；半导体层位于源极漏极间区域SG，且，包含到达栅极绝缘层的至少一个开口部P。
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公开(公告)号：CN104395821B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201480001663.3
申请日：2014-01-29
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: G02F1/1345 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: G09G3/3648 , G02F1/1345 , G02F1/136204 , G02F1/136286 , G09G2300/0404 , G09G2300/0413 , G09G2300/0426 , G09G2300/0469 , G09G2300/0478 , G09G2320/0219
Abstract: 提供一种显示装置，即使在使虚设引线与用于向显示区域提供驱动信号的信号引线相邻的情况下，也能够抑制因虚设引线的存在而引起的静电破坏。2个第一提供电路基板15向各行的显示像素提供扫描信号，4个第二提供电路基板16向各列的显示像素提供数据信号。在连接于各个第一提供电路基板15的多个扫描信号引线150当中，在基板上与最外侧的扫描信号引线150相邻的位置配设有虚设引线151。并且，使得虚设引线151与除扫描信号引线150以外的周围的导体部的间隔距离，比虚设引线151与扫描信号引线150的间隔距离更长。
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公开(公告)号：CN112740420A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201880096405.6
申请日：2018-08-08
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L29/786
Abstract: 薄膜晶体管(101)具有栅极(2)；半导体层(4)，在栅极上隔着栅极绝缘层(3)配置；源极(8s)，在半导体层(4)的一部分上隔着第一接触层(Cs)配置；漏极(8d)，在另一部分上隔着第二接触层(Cd)配置,第一和第二接触层具有包含第一非晶硅层和N个(N为1以上的整数)双层结构S(n)(n为1以上且N以下的整数)的层叠结构，所述第一非晶硅层与所述源电极或所述漏电极直接接触,所述N个双层结构S(n)分别由第二非晶硅层72(n)、与第二非晶硅层72(n)的上表面直接接触的第三非晶硅层73(n)构成,各双层结构S(n)的第二非晶硅层以及第三非晶硅层中的n型杂质浓度C2(n)、C3(n)和第一非晶硅层的n型杂质浓度Cl对于任意的n,满足C2(n)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112292751A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201880094419.4
申请日：2018-06-07
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 薄膜晶体管包括支承于基板的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘层、配置于栅极绝缘层上且包含多晶硅区域p的半导体层，多晶硅区域p具有：半导体层，其包括第一区域Rs、第二区域Rd、以及位于第一区域与第二区域之间的沟道区域Rc；源电极s，其与第一区域电连接；漏电极d，其与第二区域电连接，保护绝缘层，其配置于半导体层与源电极及漏电极之间；i型半导体层，其以与沟道区域的一部分直接接触的方式配置于保护绝缘层与沟道区域之间，由本征的半导体构成；以及侧壁，其配置于保护绝缘层的侧面，i型半导体层具有比多晶硅区域大的带隙，当从基板的法线方向观察时，i型半导体层与第一区域之间以及i型半导体层与第区域之间，侧壁与沟道区域直接接触。
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公开(公告)号：CN111788658A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201880090243.5
申请日：2018-03-07
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L21/268 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 一种激光退火装置(100)具有向载物台(20)的照射区域R1射出多个激光束LB的激光照射装置(10)，激光照射装置具有：激光装置，其射出激光束LA；以及聚光单元30，其具有微透镜阵列(34)和掩膜(32)，接受来自激光装置的激光束，并在照射区域R1内形成多个激光束各自的聚光点，其中，所述微透镜阵列(34)具有排列成m行n列的多个微透镜(34A)，所述掩膜32具有多个开口部(32A)，多个激光束是由m行n列的微透镜中的p行q列的微透镜(p＜m或q＜n)来形成的p行q列的激光束，激光照射装置还具有摆动机构，其改变聚光单元(30)和照射区域R1之间的配置关系，使得从m行n列的微透镜中能够选择至少2个不同的p行q列的微透镜组。
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公开(公告)号：CN104395821A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201480001663.3
申请日：2014-01-29
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: G02F1/1345 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: G09G3/3648 , G02F1/1345 , G02F1/136204 , G02F1/136286 , G09G2300/0404 , G09G2300/0413 , G09G2300/0426 , G09G2300/0469 , G09G2300/0478 , G09G2320/0219
Abstract: 提供一种显示装置，即使在使虚设引线与用于向显示区域提供驱动信号的信号引线相邻的情况下，也能够抑制因虚设引线的存在而引起的静电破坏。2个第一提供电路基板15向各行的显示像素提供扫描信号，4个第二提供电路基板16向各列的显示像素提供数据信号。在连接于各个第一提供电路基板15的多个扫描信号引线150当中，在基板上与最外侧的扫描信号引线150相邻的位置配设有虚设引线151。并且，使得虚设引线151与除扫描信号引线150以外的周围的导体部的间隔距离，比虚设引线151与扫描信号引线150的间隔距离更长。
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公开(公告)号：CN112740420B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201880096405.6
申请日：2018-08-08
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H10D30/67
Abstract: 薄膜晶体管(101)具有栅极(2)；半导体层(4)，在栅极上隔着栅极绝缘层(3)配置；源极(8s)，在半导体层(4)的一部分上隔着第一接触层(Cs)配置；漏极(8d)，在另一部分上隔着第二接触层(Cd)配置,第一和第二接触层具有包含第一非晶硅层和N个(N为1以上的整数)双层结构S(n)(n为1以上且N以下的整数)的层叠结构，所述第一非晶硅层与所述源电极或所述漏电极直接接触,所述N个双层结构S(n)分别由第二非晶硅层72(n)、与第二非晶硅层72(n)的上表面直接接触的第三非晶硅层73(n)构成,各双层结构S(n)的第二非晶硅层以及第三非晶硅层中的n型杂质浓度C2(n)、C3(n)和第一非晶硅层的n型杂质浓度Cl对于任意的n,满足C2(n)
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公开(公告)号：CN110870078A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201780093020.X
申请日：2017-07-12
Applicant: 堺显示器制品株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368
Abstract: 本发明的半导体装置，包括薄膜晶体管(101)，所述薄膜晶体管(101)包含：半导体层(4)，于栅极电极(2)上介隔栅极绝缘层(3)而设置，具有第一区域(Rs)、第二区域(Rd)、以及位于第一区域以及第二区域之间，且从基板的法线方向看时与栅极电极重叠的源极漏极间区域(RG)；保护层(5)，配置于所述半导体层(4)上；与第一区域相接的第一接触层(Cs)以及与第二区域相接的第二接触层(Cd)；源极电极(8s)；以及漏极电极(8d)；半导体层(4)包含结晶质硅区域(4p)，结晶质硅区域(4p)的至少一部分位于源极漏极间区域(RG)；至少1个开口部(10)被设置，所述至少1个开口部(10)贯通保护层(5)以及半导体层(4)，且到达栅极绝缘层(3)，当从基板的法线方向看时，至少1个开口部(10)位于源极漏极间区域(RG)内。
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