公开(公告)号：CN115678025B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202211282957.0

申请日：2022-10-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王帅 ,  董俊杰

IPC: C08G83/00 ,  C08J5/18 ,  C08L87/00

Abstract: 本发明属于功能薄膜技术领域，具体为大尺寸、高厚度Ni‑BHT MOFs薄膜的制备方法。本发明是由六巯基苯和氯化镍用界面限域提拉法制备Ni‑BHT MOFs薄膜；其中，将氯代苯溶液换成氯代苯和乙酸乙酯的混合溶液；包括：采用硅片作为基底，对其进行表面亲水和富羟基化处理；在硅片表面均匀喷上一层NiCl2水溶液，再将氯代苯/乙酸乙酯不同配比的六巯基苯溶液滴到其上面并完全覆盖；反应结束后，将硅片竖直放置在自然环境下晾干，即在硅片表面形成一层均匀、干净、完整的大尺寸Ni‑BHT薄膜，该薄膜厚度随氯代苯和乙酸乙酯的体积比减少而增加，最大厚度可达到42.65 nm，可大大拓宽其应用领域。

公开(公告)号：CN113394078A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110668242.8

申请日：2021-06-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王帅 ,  董俊杰 ,  陈欣

IPC: H01L21/02 ,  C25B11/04

Abstract: 本发明公开了一种基于六巯基苯的带隙可调的MOFs电极及其制备方法。本发明采用清洗干净的硅片作为基底，先依次旋涂牺牲层LOR3A和光刻胶S1813，随后用激光光刻机刻蚀后显影液清洗方法在硅片上刻出预先设计好的电极图案；将六巯基苯溶液和金属盐溶液分别放到两个电动气泵喷枪中，用喷枪交替向带有电极图案的硅片上均匀喷洒上述两种溶液，直至在电极位置生长出连续均匀的MOFs。电极制备完成后去除电极外的光刻胶，即得到MOFs电极。本发明制备的MOFs电极其载流子迁移率为σ=0.001~0.1cm2V−1s−1。本发明能通过改变金属类型得到不同带隙的电极，可匹配不同类型的半导体材料。

公开(公告)号：CN112661991A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011412335.6

申请日：2020-12-04

Applicant: 复旦大学 ,  珠海复旦创新研究院

Inventor： 王帅 ,  董俊杰 ,  陈欣 ,  吴凡

IPC: C08J5/18 ,  C08G83/00 ,  C08L87/00

Abstract: 本发明属于功能薄膜技术领域，具体为一种由四巯基苯制备的导电MOFs薄膜材料及其制备方法。本发明方法包括：采用硅片作为基底，除去表面残留的杂质；配置四巯基苯的氯代苯溶液和金属盐的水溶液；使用匀胶机，将金属盐溶液均匀地滴在硅片上，低转速下将多余的盐溶液甩飞，再将四巯基苯溶液滴加在金属盐溶液上方，使其完全覆盖住金属盐溶液；反应结束后，在高转速下将剩余溶液甩飞，即得到导电MOFs薄膜材料，其电导率为σ=10~100 S/cm。本发明用制备了一种基于四巯基苯的新型导电MOFs薄膜，薄膜表面连续且平整，拓宽了其应用领域。

公开(公告)号：CN112679764A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011420476.2

申请日：2020-12-08

Applicant: 复旦大学 ,  珠海复旦创新研究院

Inventor： 王帅 ,  董俊杰 ,  吴凡 ,  陈欣

IPC: C08J5/18 ,  C08L87/00 ,  C08K3/08 ,  C23C14/24 ,  C23C14/04 ,  C23C14/16

Abstract: 本发明公开了一种Au/Ni‑BHT异质结导电MOFs薄膜材料及其可控制备方法。其制备方法如下：先将切好的硅片清洗干净后蒸镀金电极；接着配制六巯基苯/氯代苯溶液、不同浓度比的金和镍的金属盐的混合水溶液；随后将带金电极的硅片放到匀胶机上，先滴加金属盐的混合水溶液，后滴加六巯基苯/氯代苯溶液，并确保将下层的金属盐的混合水溶液完全覆盖，静置1~3分钟，再启动匀胶机旋转硅片，将硅片表面剩余的溶液甩飞；最后将硅片放到真空烘箱中干燥，即得到表面平整的Au/Ni异质结导电MOFs薄膜。本发明得到的薄膜表面连续且平整，导电性好，拓宽了薄膜应用领域。

公开(公告)号：CN115678025A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211282957.0

申请日：2022-10-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王帅 ,  董俊杰

IPC: C08G83/00 ,  C08J5/18 ,  C08L87/00

Abstract: 本发明属于功能薄膜技术领域，具体为大尺寸、高厚度Ni‑BHT MOFs薄膜的制备方法。本发明是由六巯基苯和氯化镍用界面限域提拉法制备Ni‑BHT MOFs薄膜；其中，将氯代苯溶液换成氯代苯和乙酸乙酯的混合溶液；包括：采用硅片作为基底，对其进行表面亲水和富羟基化处理；在硅片表面均匀喷上一层NiCl2水溶液，再将氯代苯/乙酸乙酯不同配比的六巯基苯溶液滴到其上面并完全覆盖；反应结束后，将硅片竖直放置在自然环境下晾干，即在硅片表面形成一层均匀、干净、完整的大尺寸Ni‑BHT薄膜，该薄膜厚度随氯代苯和乙酸乙酯的体积比减少而增加，最大厚度可达到42.65 nm，可大大拓宽其应用领域。

公开(公告)号：CN113262807A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110477727.9

申请日：2021-04-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王帅 ,  徐睿 ,  池凯 ,  陈欣 ,  王良杰 ,  董俊杰

IPC: B01J27/24 ,  B01J35/00 ,  B01J37/00 ,  B01J37/08 ,  C07C213/02 ,  C07C215/82 ,  C25B11/093 ,  C25B1/27

Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种限域界面定向锚定Pt单原子于N‑AC1/N‑AC2复合材料的方法。制备步骤包括：改性SiO2与酸化g‑C3N4结合，制备g‑C3N4/SiO2；g‑C3N4/SiO2与盐酸多巴胺反应，制备PDA/g‑C3N4/SiO2复合材料；惰性气体下煅烧；酸/碱除去SiO2，制备N‑AC1/N‑AC2空心球；负载铂单原子。本发明巧妙的利用限域界面、较低温定向锚定单原子技术，避免了常规方法中单原子的聚集失活现象的发生，提高了贵金属的利用率，提升了材料性能。本发明工艺安全、操作简单，可大幅降低生产成本，对环境几乎没有污染，便于大规模应用。

公开(公告)号：CN113200535A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110587676.5

申请日：2021-05-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王帅 ,  徐睿 ,  王良杰 ,  池凯 ,  陈欣 ,  董俊杰

IPC: C01B32/184 ,  C01B32/194 ,  C01B21/082 ,  B01J27/24 ,  C07C213/02 ,  C07C215/76

Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体为Pd单原子定向锚定于rGO/g‑C3N4二维界面的方法及材料。本发明方法包括：蚕茧派生的N掺杂生物质石墨烯的制备，rGO/g‑C3N4二维界面的制备；Pd单原子定向锚定于rGO/g‑C3N4二维界面。与常规石墨烯制备相比，本发明选材取自大自然，价格低廉、可再生；制备工艺简单安全，对环境几乎不产生任何污染，还大大降低生产成本，适合大规模生产。另外，在Pd单原子定向锚定于rGO/g‑C3N4二维界面过程采用较低温度锚定技术，避免常规操作中的高温煅烧，可增加单原子的负载量、提升实际应用效果，减少能量的消耗；制备的Pd@rGO/g‑C3N4复合材料应用前景广阔，可以直接应用在有机催化、超级电容器等领域。