公开(公告)号：CN104282792A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410453615.X

申请日：2014-09-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 赵利 ,  庄军 ,  李宁 ,  董晓 ,  朱震 ,  邵和助

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/101 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明属于红外探测器技术领域，具体为一种非制冷的光子型硅基红外探测器芯片及其备作方法和应用。本发明结构自上而下依次为：n+重掺杂微结构层、硅表面的微结构以及n型硅片。本发明结构为一固有连接的整体，所述硅表面的锥体结构是在含氮元素的气体氛围中，用超快激光辐照背面n型硅片获得，由于辐照区域氮原子的高浓度掺入，在锥体结构表层形成所述n+重掺杂微结构层，并在硅禁带中引入杂质能带。本发明的红外探测器芯片吸收近红外和中红外波段光波，尤其吸收“大气窗口”的透过波段，因此可用于军工红外探测方面。同时制作工艺简单，生产良率高。另外，非制冷光子型硅基红外探测器可以在常温下工作，成本低，可以普及到民用方面。

公开(公告)号：CN104008961A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410227149.3

申请日：2014-05-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 赵利 ,  庄军 ,  邵和助 ,  李宁 ,  董晓 ,  朱震 ,  孙海彬 ,  梁葱

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/223

Abstract: 本发明涉及半导体晶片技术领域，具体为一种改善半导体硅晶片机械性能的方法。本发明方法包括如下步骤：选择工业用FZ或CZ方法得到的硅晶片，对所述硅晶片彻底清洗；将所述硅晶片置于一定压强的含氮密闭气体氛围中；在所述气体氛围中，用超快激光辐照所述硅片。使用该方法得到的硅晶片，由于氮元素的超饱和重掺杂作用，氮元素聚集在硅晶片位错周围，形成团簇或复合物。所述团簇与复合物间具有强烈的相互作用并将位错锁定，达到增强该硅片机械性能的目的。同时，由于氮元素的超饱和重掺杂的效果，使得硅晶片中的氧含量减少，提高产品良率。