半导体激光器件、其制造方法和该制造方法中使用的夹具

    公开(公告)号:CN1512638A

    公开(公告)日:2004-07-14

    申请号:CN200310123320.8

    申请日:2003-12-10

    Inventor: 大岛升

    CPC classification number: H01S5/028 H01S5/0281 H01S5/0425 H01S5/16

    Abstract: 一种半导体激光器件包括其上层叠包括有源层的半导体薄膜的半导体衬底、分别设置在衬底的相对表面上的一对电极、在暴露有源层和至少一个电极的边缘的衬底侧面上限定的发光表面、和覆盖发光表面的保护膜。该保护膜在电极边缘上的厚度小于在有源层上的厚度。这种布置可以抑制电极材料在保护膜中的扩散和充分地保护了发光表面。

    半导体激光元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN100346543C

    公开(公告)日:2007-10-31

    申请号:CN200410095283.9

    申请日:2004-11-22

    CPC classification number: H01S5/2231 H01S5/0425 H01S5/2214 H01S2304/04

    Abstract: 一种半导体激光元件,包括:第一导电型的覆层;有源层;第二导电型的第一覆层;由第二导电型的第二覆层和第二导电型的盖层构成的脊,它们从第一覆层侧开始按照这种顺序层叠在第二导电型的第一覆层上;形成在除脊顶部以外的脊侧面上的电介质膜;以及覆盖所述脊的金属电极层,其中盖层的底面宽度和第二覆层的顶面宽度几乎相等。由盖层构成的凸起的宽度可形成得比现有技术中的小,因此,可以减少厚膜电极形成之后出现在脊侧面上的空洞部。因此,激光振荡时产生的热量变得很容易散逸,并可获得激光特性和可靠性均提高的激光元件。

    半导体激光器件、其制造方法和该制造方法中使用的夹具

    公开(公告)号:CN1322642C

    公开(公告)日:2007-06-20

    申请号:CN200310123320.8

    申请日:2003-12-10

    Inventor: 大岛升

    CPC classification number: H01S5/028 H01S5/0281 H01S5/0425 H01S5/16

    Abstract: 一种半导体激光器件包括其上层叠包括有源层的半导体薄膜的半导体衬底、分别设置在衬底的相对表面上的一对电极、在暴露有源层和至少一个电极的边缘的衬底侧面上限定的发光表面、和覆盖发光表面的保护膜。该保护膜在电极边缘上的厚度小于在有源层上的厚度。这种布置可以抑制电极材料在保护膜中的扩散和充分地保护了发光表面。

    半导体激光元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1622407A

    公开(公告)日:2005-06-01

    申请号:CN200410095283.9

    申请日:2004-11-22

    CPC classification number: H01S5/2231 H01S5/0425 H01S5/2214 H01S2304/04

    Abstract: 一种半导体激光元件,包括:第一导电型的覆层;有源层;第二导电型的第一覆层;由第二导电型的第二覆层和第二导电型的盖层构成的脊,它们从第一覆层侧开始按照这种顺序层叠在第二导电型的第一覆层上;形成在除脊顶部以外的脊侧面上的电介质膜;以及覆盖所述脊的金属电极层,其中盖层的底面宽度和第二覆层的顶面宽度几乎相等。由盖层构成的凸起的宽度可形成得比现有技术中的小,因此,可以减少厚膜电极形成之后出现在脊侧面上的空洞部。因此,激光振荡时产生的热量变得很容易散逸,并可获得激光特性和可靠性均提高的激光元件。

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