公开(公告)号：CN105612276A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480018246.X

申请日：2014-08-29

申请人： 创光科学株式会社

发明人： 西瑞尔·佩诺特 ,  平野光

IPC分类号： C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC分类号： C30B25/183 ,  C30B29/38 ,  C30B29/406 ,  C30B31/08 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

摘要： 提供一种外延生长用模板的制作方法，具有：将Ga原子分散提供到蓝宝石基板的表面的表面处理工序、和在所述蓝宝石基板上使AlN层外延生长的AlN生长工序，所述AlN层的除去从表面起到深度100nm为止的表面近旁区域以外的所述AlN层的内部区域中的能以二次离子质量分析法得到的Ga浓度在与所述蓝宝石基板的表面垂直的深度方向的浓度分布当中的得到所述Ga浓度的最大值的所述深度方向的位置，存在于从所述蓝宝石基板的界面到向所述AlN层侧离开400nm的位置为止的界面近旁区域内，所述Ga浓度的最大值为3×1017atoms/cm3以上、2×1020atoms/cm3以下。

公开(公告)号：CN104466677A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410483638.5

申请日：2014-09-19

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 阿江敬 ,  北村昌太郎 ,  奥田哲朗 ,  加藤豪 ,  渡边功

IPC分类号： H01S5/227

CPC分类号： H01S5/3202 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2272 ,  H01S5/34313 ,  H01S2304/04

摘要： 本发明的各个实施例涉及半导体器件的方法及半导体器件。为了改进半导体器件(半导体激光器)的特性，由InP构成的有源层波导(AWG)形成为，在从(100)平面在[1-1-1]方向上偏离了0.5°至1.0°范围内的角度的衬底的表面的暴露部分之上，在[0-1-1]方向上延伸。以2000或更高的Ⅴ/Ⅴ比，在AWG之上形成由p型InP构成的覆盖层。因此，可以通过减少AWG的膜厚度变化来获得优异的多量子阱(MQW)。此外，可以形成具有这样的侧面的覆盖层，在该侧面处主要出现与衬底表面几乎垂直的(0-11)平面。覆盖层与AWG的叠层部分的截面形状变为接近矩形的形状。因此，可以扩大电气化区域，从而可以降低半导体器件的电阻。

公开(公告)号：CN102422391B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201080020617.X

申请日：2010-10-18

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 吉田俊治 ,  加藤亮 ,  横川俊哉

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3202 ,  H01S2304/04

摘要： 在本发明的氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法中，首先，通过有机金属气相生长法，在不同的生长条件下形成主面为非极性面或半极性面的InyGa1-yN(0＜y＜1)层。接着，基于在多个InyGa1-yN(0＜y＜1)层中形成发光波长相等的InxGa1-xN(0＜x＜1)层的生长条件，求出在压力和生长速率恒定时的生长温度和In供给摩尔比之间的关系。然后，在表示生长温度和In供给摩尔比之间的所述关系的曲线上，决定生长温度随着In供给摩尔比的增加而单调增加的区域和饱和的区域之间的饱和点。在与该饱和点对应的生长条件下，使主面为非极性面或半极性面的InxGa1-xN(0＜x＜1)层生长。

公开(公告)号：CN103190042A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201180053428.7

申请日：2011-10-28

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  善积祐介 ,  西塚幸司

IPC分类号： H01S5/323 ,  H01L21/205 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06 ,  H01L33/325 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S2302/00 ,  H01S2304/04

摘要： 提供一种具有氧浓度降低的p型氮化镓系半导体层的III族氮化物半导体元件。III族氮化物半导体元件(11)包括：基板(13)、n型III族氮化物半导体区域(15)、发光层(17)及p型III族氮化物半导体区域(19)。基板(13)的主面(13a)自与沿该第1氮化镓系半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面(Sc)以50度以上且低于130度的范围的角度倾斜。p型III族氮化物半导体区域(19)包含第一p型氮化镓系半导体层(21)，第一p型氮化镓系半导体层(21)的氧浓度为5×1017cm-3以下。第一p型氮化镓系半导体层(21)的p型掺杂物浓度Npd与氧浓度Noxg的浓度比(Noxg/Npd)为1/10以下。

公开(公告)号：CN101855798B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200880115311.5

申请日：2008-10-31

申请人： 日亚化学工业株式会社

发明人： 园部真也 ,  枡井真吾

IPC分类号： H01S5/22

CPC分类号： H01S5/168 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0283 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/166 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/222 ,  H01S5/3214 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/176 ,  H01S2301/18 ,  H01S2304/04

摘要： 本发明的目的在于提供在高输出的半导体激光器元件中，也能够将共振器端面处的放热限于最小限度，能够提高COD电平，并且能够得到良好的FFP形状，且可靠性高、长寿命的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具有：层叠体，其由第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层构成；由绝缘体构成的第二埋入层，其具有与所述第二导电型半导体层接触且与共振器方向平行的带状的槽部，在所述槽部的共振器端面侧埋入有由电介质构成的第一埋入层，在所述槽部的内侧埋入有导电层。

公开(公告)号：CN102823088A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180017281.6

申请日：2011-04-05

申请人： 加利福尼亚大学董事会

发明人： Y-D·林 ,  H·太田 ,  S·纳卡姆拉 ,  S·P·德恩巴拉斯 ,  J·S·斯派克

IPC分类号： H01S5/34

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/342 ,  H01S2304/04

摘要： 半极性平面III-氮化物半导体基激光二极管或发光二极管，其包含用于发射光的半极性含铟多量子阱，具有含铝量子阱阻挡层，其中所述含铟多个量子阱和含铝阻挡层在半极性平面上以半极性取向生成。

公开(公告)号：CN101442094B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200810176804.1

申请日：2008-11-19

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 金本恭三 ,  盐泽胜臣 ,  川崎和重 ,  阿部真司 ,  佐久间仁

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04

摘要： 本发明“氮化物半导体发光元件的制造方法”，是一种能够减小p型电极的接触电阻率的氮化物半导体发光元件的制造方法。在GaN单晶衬底(1)上形成层叠有p型GaN接触层(11)等的半导体层叠结构。在p型GaN接触层上(11)形成具有Pd层(16)和Ta层(17)的p型电极(15)。在形成了p型电极(15)后，在含氧气氛中在400℃～600℃的温度进行热处理。在热处理后，在p型电极(15)上形成含Au的平头电极(18)。

公开(公告)号：CN101548400B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200880000776.6

申请日：2008-04-17

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 秋田胜史 ,  京野孝史 ,  石桥惠二 ,  笠井仁

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： 设置有源层以便发射具有在440到550nm范围内的发光波长的光。在预定轴(Ax)方向上布置第一导电类型氮化镓基半导体区域(13)、有源层(17)以及第二导电类型氮化镓基半导体区域(15)。有源层(17)包括由六方晶系InXGa1-XN(0.16≤X≤0.35，X：应变组分)构成的阱层，并且铟组分X由应变组分表示。六方晶系InXGa1-XN的a面在预定轴(Ax)方向被对准。阱层的厚度在大于2.5nm到10nm的范围内。当阱层的厚度被设定为2.5nm或以上时，可以形成具有440nm或以上的发光波长的发光器件。

公开(公告)号：CN102177593A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200980139859.8

申请日：2009-10-06

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  上野昌纪 ,  京野孝史

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3404 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： 本发明提供一种具有可提高偏光度的结构的氮化镓系半导体发光元件。发光二极管(11a)包括半导体区域(13)、InGaN层(15)及活性层(17)。半导体区域(13)具有表现出半极性的主面(13a)，且包含GaN或者AlGaN。半导体区域(13)的主面(13a)相对于与该主面(13a)的[0001]轴方向的基准轴Cx正交的平面Sc以角度α倾斜。半导体区域(13)的厚度D13大于InGaN层(15)的厚度DInGaN，且InGaN层(15)的厚度DInGaN为150nm以上。InGaN层(15)设置于半导体区域(13)的主面13a的正上方，且与主面(13a)相接。活性层(17)设置于InGaN层(15)的主面15a上，且与该主面(15a)接触。活性层(17)包含InGaN阱层(21)。

公开(公告)号：CN101682172B

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980000378.9

申请日：2009-02-17

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 京野孝史 ,  秋田胜史 ,  善积祐介

IPC分类号： H01S5/343

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/3407 ,  H01S2304/04

摘要： 本发明提供了一种III族氮化物半导体激光器，该III族氮化物半导体激光器具有良好的光学限制特性，并且包括具有良好晶体质量的InGaN阱层。在第一光引导层(21)与第二光引导层(23)之间设置有源层(19)。有源层(19)可以包括阱层(27a)、(27b)和(27c)，并且还包括在所述阱层之间设置的至少一个第一势垒层(29a)。第一光引导层(21)和第二光引导层(23)分别包括比第一势垒层(29a)的带隙(E29)小的第一InGaN区21a和第二InGaN区23a，并且因此可以使得第一光引导层(21)和第二光引导层(23)的平均折射率(n引导)大于第一势垒层(29a)的折射率(n29)。因此，实现了良好的光学限制。第一势垒层(29a)的带隙(E29)大于第一InGaN区(21a)的带隙(E21)和第二InGaN区(23a)的带隙(E23)。