-
公开(公告)号：CN1574518A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410068432.2
申请日：2004-05-09
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 喜根井聪文
IPC: H01S5/00 , H01L21/58 , H01L21/603
CPC classification number: H01S5/0224 , H01L24/32 , H01L2924/12042 , H01S5/0207 , H01S5/02236 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体激光装置的方法，包括：在半导体激光器件(21)的安装表面部分(28a)上形成第一结合层(22)，使发光区(26)附近的第一区(31)露出；在下安装件(41)的安装表面部分(43)上形成第二结合层(42)，第二结合层(42)的熔点T2比第一结合层的熔点T1低；在低于第一结合层(22)的熔点T1而高于第二结合层(42)的熔点T2的温度T(T1＞T＞T2)及对第一和第二结合层彼此施压的状态下，加热第一和第二结合层(22、42)，以便将半导体激光器件(21)结合到下安装件(41)上。在将半导体激光器件(21)结合到下安装件(41)上时，第一区(31)用作非结合区。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1673919A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059134.1
申请日：2005-03-24
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 喜根井聪文
IPC: G05B19/418
CPC classification number: G05B19/4185 , Y02P90/18
Abstract: 公开了一种低成本的工厂内数据控制系统，该系统能收集从没有数据发送功能的设施中输出的数据，以及不是自动发送客体的数据，并且进行数据控制，如对所收集数据的处理/分析。在工厂内数据控制系统(20)中，输出到具有数据输出功能但没有数据发送功能的设施(21)的数据输出部件(24)中的数据被输入到便携式的便携式终端(22)中，所输入的数据通过无线通信被从便携式终端(22)发送到主计算机(23)，并且对由主计算机(23)接收到的数据进行处理和/或分析。
-
公开(公告)号：CN1673919B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200510059134.1
申请日：2005-03-24
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 喜根井聪文
IPC: G05B19/418
CPC classification number: G05B19/4185 , Y02P90/18
Abstract: 公开了一种低成本的工厂内数据控制系统，该系统能收集从没有数据发送功能的设施中输出的数据，以及不是自动发送客体的数据，并且进行数据控制，如对所收集数据的处理/分析。在工厂内数据控制系统(20)中，输出到具有数据输出功能但没有数据发送功能的设施(21)的数据输出部件(24)中的数据被输入到便携式的便携式终端(22)中，所输入的数据通过无线通信被从便携式终端(22)发送到主计算机(23)，并且对由主计算机(23)接收到的数据进行处理和/或分析。
-
公开(公告)号：CN1622407A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410095283.9
申请日：2004-11-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体激光元件，包括：第一导电型的覆层；有源层；第二导电型的第一覆层；由第二导电型的第二覆层和第二导电型的盖层构成的脊，它们从第一覆层侧开始按照这种顺序层叠在第二导电型的第一覆层上；形成在除脊顶部以外的脊侧面上的电介质膜；以及覆盖所述脊的金属电极层，其中盖层的底面宽度和第二覆层的顶面宽度几乎相等。由盖层构成的凸起的宽度可形成得比现有技术中的小，因此，可以减少厚膜电极形成之后出现在脊侧面上的空洞部。因此，激光振荡时产生的热量变得很容易散逸，并可获得激光特性和可靠性均提高的激光元件。
-
公开(公告)号：CN100346543C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410095283.9
申请日：2004-11-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/227
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体激光元件，包括：第一导电型的覆层；有源层；第二导电型的第一覆层；由第二导电型的第二覆层和第二导电型的盖层构成的脊，它们从第一覆层侧开始按照这种顺序层叠在第二导电型的第一覆层上；形成在除脊顶部以外的脊侧面上的电介质膜；以及覆盖所述脊的金属电极层，其中盖层的底面宽度和第二覆层的顶面宽度几乎相等。由盖层构成的凸起的宽度可形成得比现有技术中的小，因此，可以减少厚膜电极形成之后出现在脊侧面上的空洞部。因此，激光振荡时产生的热量变得很容易散逸，并可获得激光特性和可靠性均提高的激光元件。
-
公开(公告)号：CN1309126C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410068432.2
申请日：2004-05-09
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 喜根井聪文
IPC: H01S5/00 , H01L21/58 , H01L21/603
CPC classification number: H01S5/0224 , H01L24/32 , H01L2924/12042 , H01S5/0207 , H01S5/02236 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体激光装置的方法，包括：在半导体激光器件(21)的安装表面部分(28a)上形成第一结合层(22)，使发光区(26)附近的第一区(31)露出；在下安装件(41)的安装表面部分(43)上形成第二结合层(42)，第二结合层(42)的熔点T2比第一结合层的熔点T1低；在低于第一结合层(22)的熔点T1而高于第二结合层(42)的熔点T2的温度T(T1＞T＞T2)及对第一和第二结合层彼此施压的状态下，加热第一和第二结合层(22、42)，以便将半导体激光器件(21)结合到下安装件(41)上。在将半导体激光器件(21)结合到下安装件(41)上时，第一区(31)用作非结合区。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.016 seconds)
