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公开(公告)号：CN105097909B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510218776.5
申请日：2015-04-30
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L29/747
摘要： 本发明提供一种能够应用于高电流容量的SSR的双向光敏晶闸管芯片。该双向光敏晶闸管芯片(40)在一个半导体芯片的表面搭载有多个单元(42)，各单元(42)包括彼此分离形成的第一光敏晶闸管部(42a)和第二光敏晶闸管部(42b)，各光敏晶闸管部(42a、42b)具有PNPN部，该PNPN部包括：在一个方向上延伸并且具有N型和P型中的一种导电型的阳极扩散区域(43)；具有N型和P型中的另一种导电型的衬底(41)；与阳极扩散区域(43)相对的具有上述一种导电型的控制极扩散区域(44)；在该控制极扩散区域(44)内与阳极扩散区域(43)相对形成并且具有上述另一种导电型的阴极扩散区域(45)。
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公开(公告)号：CN104241435A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410263931.0
申请日：2014-06-13
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L31/111 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H03K17/78
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/1113 , H01L31/035272 , H01L31/125 , H01L31/1804
摘要： 本发明提供双向光控晶体闸流管芯片、光触发耦合器和固态继电器。在半导体芯片的表面具备第一光控晶体闸流管部和第二光控晶体闸流管部，各光控晶体闸流管部具有PNPN部，该PNPN部包括：一种导电类型的阳极扩散区域；另一种导电类型的衬底；一种导电类型的控制极扩散区域；和在该控制极扩散区域内形成的另一种导电类型的阴极扩散区域，切割面与控制极扩散区域的距离为400μm以下。这样，将在导通时在第一光控晶体闸流管部侧产生的少数载流子，在迁移之前回收到第一光控闸流管部侧的切割面。其结果，能够不形成肖特基势垒二极管或沟道分离区域，而大幅提高整流特性，能够抑制芯片面积的增大，用1个芯片进行光触发来控制负载。
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公开(公告)号：CN102202445B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201110037221.2
申请日：2011-01-30
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H05B37/02
CPC分类号： H05B33/0815 , Y02B20/383
摘要： LED驱动电路、LED照明用具、LED照明装置和LED照明系统。一种LED驱动电路，其中输入交变电压并且驱动LED，并且该LED驱动电路可连接至相位控制调光器。该LED驱动电路设置有：边缘检测器，用于检测相位控制调光器的输出电压的边缘；以及电流提取器，用于从电流馈送线提取电流以将LED驱动电流馈送至LED；其中由电流提取器从电流馈送线提取的电流值根据边缘检测器的检测结果改变。
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公开(公告)号：CN101720150B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200910169007.5
申请日：2009-09-04
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H05B37/02 , F21V23/00 , F21Y101/02
CPC分类号： H05B33/0815 , H05B33/0803 , H05B33/0824
摘要： 一种LED驱动电路是接收交流电压以驱动LED的LED驱动电路，并且包括从LED驱动电流提供给LED的电流供给线撤除电流的电流撤除部分。如果至LED驱动电路的输入电流是不必要电流，则LED由于电流撤除部分的电流撤除而不发光。如果至LED驱动电路的输入电流从不必要电流转变为LED驱动电流，则电流去除部分减小所撤除的电流量。
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公开(公告)号：CN105097909A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510218776.5
申请日：2015-04-30
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L29/747
摘要： 本发明提供一种能够应用于高电流容量的SSR的双向光敏晶闸管芯片。该双向光敏晶闸管芯片(40)在一个半导体芯片的表面搭载有多个单元(42)，各单元(42)包括彼此分离形成的第一光敏晶闸管部(42a)和第二光敏晶闸管部(42b)，各光敏晶闸管部(42a、42b)具有PNPN部，该PNPN部包括：在一个方向上延伸并且具有N型和P型中的一种导电型的阳极扩散区域(43)；具有N型和P型中的另一种导电型的衬底(41)；与阳极扩散区域(43)相对的具有上述一种导电型的控制极扩散区域(44)；在该控制极扩散区域(44)内与阳极扩散区域(43)相对形成并且具有上述另一种导电型的阴极扩散区域(45)。
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公开(公告)号：CN104952889A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510130205.6
申请日：2015-03-24
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L27/144 , H01L31/111
摘要： 本发明提供具有横向结构的PNPN元件并且能够实现高电流化的双向光控晶闸管芯片、触发型耦合器和固态继电器。双向光控晶闸管芯片中，1个半导体芯片的表面上的第一光控晶闸管部(42a)和第二光控晶闸管部(42b)具有PNPN部，该PNPN部包括：在一个方向延伸的阳极扩散区域(43)；衬底；控制极扩散区域(44)；和在控制极扩散区域(44)内形成的阴极扩散区域(45)，阳极扩散区域(43)和控制极扩散区域(44)的相互相对的两个侧边、以及阴极扩散区域(45)的与阳极扩散区域(43)相对的侧边(45a)中的至少任一个侧边的平面形状，形成为使从阳极扩散区域(43)向控制极扩散区域(44)和阴极扩散区域(45)供给的电流向一个方向的中央部的集中缓和的形状。
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公开(公告)号：CN102821518B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210270469.8
申请日：2009-09-04
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H05B37/02
CPC分类号： H05B33/0815 , H05B33/0803 , H05B33/0824
摘要： 本发明涉及LED驱动电路、LED照明器件、LED照明设备和LED照明系统，其中LED驱动电路是接收交流电压以驱动LED的LED驱动电路，并且包括从LED驱动电流提供给LED的电流供给线撤除电流的电流撤除部分。如果至LED驱动电路的输入电流是不必要电流，则LED由于电流撤除部分的电流撤除而不发光。如果至LED驱动电路的输入电流从不必要电流转变为LED驱动电流，则电流去除部分减小所撤除的电流量。
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公开(公告)号：CN102202445A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110037221.2
申请日：2011-01-30
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H05B37/02
CPC分类号： H05B33/0815 , Y02B20/383
摘要： LED驱动电路、LED照明用具、LED照明装置和LED照明系统。一种LED驱动电路，其中输入交变电压并且驱动LED，并且该LED驱动电路可连接至相位控制调光器。该LED驱动电路设置有：边缘检测器，用于检测相位控制调光器的输出电压的边缘；以及电流提取器，用于从电流馈送线提取电流以将LED驱动电流馈送至LED；其中由电流提取器从电流馈送线提取的电流值根据边缘检测器的检测结果改变。
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公开(公告)号：CN101257750B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200810080676.0
申请日：2008-02-28
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H05B37/00 , H05B37/02 , F21S4/00 , F21Y101/02
CPC分类号： H05B33/0869 , H05B33/0815 , H05B33/0821 , H05B33/0863 , Y02B20/346
摘要： 提供了一种发光二极管驱动电路和发光二极管发光设备。驱动器电路3在来自商用电源4的交流电力的每个半波将脉冲信号送至SSR 2，从而单独地控制形成LED单元1的LED组1x和1y的发光量，LED组1x和1y并联使得指向不同方向。即，用于控制LED组1x的发光持续时间的第一脉冲信号和用于控制LED组1y的发光持续时间的第二脉冲信号从驱动器电路3送至SSR 2。
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公开(公告)号：CN1508880B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200310123928.0
申请日：2003-12-18
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L29/747
CPC分类号： H01L31/1113 , H03K17/04 , H03K17/74 , H03K17/79 , H03K17/7955
摘要： 在CH1一侧的一光可控硅和在CH2一侧的一光可控硅中，在一P栅极扩散区33和一N型硅衬底31之间一肖特基势垒二极管44。采用这种布置，少数载流子从P栅极扩散区33向N型硅衬底31的注入受到限制，减少了残余载流子的数目，而且整流期间仍然在N型硅衬底31中过量的载流子向相对沟道侧移动的机会也得以减少，使整流特性得到改善。因而，通过与一LED相结合，就可提供一光触发耦合器，用以触发和控制负载。
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