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公开(公告)号:CN1298887C
公开(公告)日:2007-02-07
申请号:CN200410030292.X
申请日:2004-02-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , C23C16/40 , C23C16/42 , G11C2213/31 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1616
Abstract: 提供一种单一溶液MOCVD先驱物,以便淀积PCMO。提供采用决定先驱物溶液内各金属分成的淀积速度,根据在衬底温度和蒸发器温度的温度范围内各自的淀积速度和淀积的PCMO的组成决定金属的摩尔比,控制PCMO的组成的MOCVD工艺。PCMO的组成通过调节衬底温度,蒸发器温度或其两者而进一步控制。
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公开(公告)号:CN1532303A
公开(公告)日:2004-09-29
申请号:CN200410030292.X
申请日:2004-02-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , C23C16/40 , C23C16/42 , G11C2213/31 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1616
Abstract: 提供一种单一溶液MOCVD先驱物,以便淀积PCMO。提供采用决定先驱物溶液内各金属分成的淀积速度,根据在衬底温度和蒸发器温度的温度范围内各自的淀积速度和淀积的PCMO的组成决定金属的摩尔比,控制PCMO的组成的MOCVD工艺。PCMO的组成通过调节衬底温度,蒸发器温度或其两者而进一步控制。
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