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公开(公告)号：CN109632539A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811382650.1
申请日：2018-11-20
申请人： 大连市锅炉压力容器检验研究院 , 中国特种设备检测研究院 , 大连理工大学
IPC分类号： G01N3/36
CPC分类号： G01N3/36 , G01N2203/0005 , G01N2203/0019 , G01N2203/0044 , G01N2203/0073 , G01N2203/0202
摘要： 一种液化石油气气瓶疲劳试验系统及其工作方法，属于液化石油气瓶的疲劳试验技术领域。这种疲劳试验系统包括高压储罐、压缩机、控制器和低压缓冲罐。高压储罐上设有压力传感器、充放电磁阀和安全阀，高压储罐采用管道经压缩机连接低压缓冲罐，低压缓冲罐采用管道经电磁阀连接试件，试件采用管道经电磁阀连接高压储罐；在试验的整个过程中，压缩机保持正常的运转状态；控制器采用PLC控制器，对各压力传感器、电磁阀进行控制，实现对试件的循环疲劳试验。该疲劳试验系统可有效模拟真实情况下液化气气瓶的充放气过程，完成相关气瓶的疲劳测试，保证气瓶质量和工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN105806711A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610144330.7
申请日：2016-03-11
申请人： 大连理工大学 , 大连市锅炉压力容器检验研究院
IPC分类号： G01N3/12
CPC分类号： G01N3/12
摘要： 一种采用增压器的油驱水压力循环试验系统，涉及高压与超高压容器试验技术领域。主要包括油箱(1)、电机泵组(2)、低压换向阀组(3)、高压水泄压阀(11)、高压传感器(7)、压力表(8)、高压过滤器(9)、低压过滤器(17)、换热器(16)、低压传感器(4)、水箱(13)、水泵(12)、两个增压器、两个高压水换向阀组、控制装置(15)以及相应的连接管线和控制线组成；控制装置接收低压传感器(4)和高压传感器(7)的压力信号，并自动控制低压换向阀组(3)、两个高压水换向阀组和高压水泄压阀(11)，使得组建的管路系统通过两个增压器交替工作对受试容器进行油驱水加压，达到对不同容积的受试容器采用标准化的增压器进行试验的目的。
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公开(公告)号：CN113162613B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202110581803.0
申请日：2021-05-24
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明涉及模拟集成电路技术领域，提供一种应用于图像传感器锁相环的线性相位误差比较器，包括：斜坡发生器和控制信号生成电路；所述控制信号生成电路，用于对输入参考时钟信号和输出时钟信号进行采样和比较，生成包含有相位差信息的控制信号，用于斜坡发生器的充放电控制；所述斜坡发生器，包括：基准电流源、电压跟随器、第一电容、基准电压源、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管。本发明能够实现线性的，连续的相位误差比较，降低相位误差比较器的量化噪声，实现低噪声锁相环。
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公开(公告)号：CN112420759B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202011243957.0
申请日：2020-11-10
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/76
摘要： 本发明涉及CMOS图像传感器技术领域，提供一种基于仿生视觉的CMOS图像传感器像素结构，包括：彩色信号收集单元、黑白信号收集单元、第三转移晶体管TG3、复位晶体管RST、源极跟随器SF和行选择晶体管RS；所述黑白信号收集单元，包括：第一钳位光电二极管PPD1、第一转移晶体管TG1和第一浮置扩散电容FD1；所述彩色信号收集单元，包括：第二钳位光电二极管PPD2、第二转移晶体管TG2和第二浮置扩散电容FD2。本发明能够在同一CMOS图像传感器中分别获得高灵敏度的黑白图像信号和彩色图像信号。
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公开(公告)号：CN112036107B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202010836466.0
申请日：2020-08-19
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： G06F30/337 , G06F30/3315 , G06F119/02 , G06F119/12
摘要： 本发明提供了一种基于层次化可靠性验证的单元替换的时序优化设计方法，属于数字电路可靠性设计领域，适用于可靠性引起的电路时序违背优化设计。该设计由晶体管退化模型抽象出标准单元的退化时序模型，从而生成退化的单元库，利用退化的单元库对数字电路进行时序分析，大大节省大规模数字电路可靠性验证的时间，提高验证效率。针对时序违背路径，采用单元替换进行时序优化，实现在设计早期阶段考虑HCI、NBTI和TDDB效应对电路时序的影响。
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公开(公告)号：CN114640808A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210221520.X
申请日：2022-03-09
申请人： 大连理工大学
摘要： 基于复位晶体管复用技术的高动态范围图像传感器，属于半导体光电方向图像传感器领域。通过控制像素工作过程中的时序信号和调整工艺制造结构的方式控制像素电路中复位晶体管的工作方式，使得复位晶体管在像素工作过程中的复位阶段起到复位作用，在像素积分阶段复位晶体管形成二极管连接起到电荷补偿作用。本发明的复位晶体管复用技术使得像素电路在弱光下保持低噪声和线性关系，在强光下由光电二极管流到FD点的光生电荷形成的电流与复位晶体管形成的二极管中的导通电流将达到动态平衡，此时FD点电荷将不再随积分时间变化，而只和光强成对数关系。使用该像素结构的图像传感器，积分过程中复位晶体管能够构成电荷补偿通路，极大的拓展动态范围。
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公开(公告)号：CN112036107A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010836466.0
申请日：2020-08-19
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： G06F30/337 , G06F30/3315 , G06F119/02 , G06F119/12
摘要： 本发明提供了一种基于层次化可靠性验证的单元替换的时序优化设计方法，属于数字电路可靠性设计领域，适用于可靠性引起的电路时序违背优化设计。该设计由晶体管退化模型抽象出标准单元的退化时序模型，从而生成退化的单元库，利用退化的单元库对数字电路进行时序分析，大大节省大规模数字电路可靠性验证的时间，提高验证效率。针对时序违背路径，采用单元替换进行时序优化，实现在设计早期阶段考虑HCI、NBTI和TDDB效应对电路时序的影响。
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公开(公告)号：CN118568661A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410655575.0
申请日：2024-05-24
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： G06F18/25 , G06F21/62 , G06F18/22 , G06N3/0464 , G06F18/15
摘要： 本发明一种泄露数据融合分析方法，包括以下步骤：对不同领域的泄漏数据进行处理，再将不同格式和结构的泄漏数据转化为统一的格式；将来自不同领域的已泄露数据进行多模态融合；利用相似度匹配算法和模式识别方法，对已融合的泄露数据进行匹配和分类，通过与已分级信息的数据泄露信息特征词进行比对和匹配，确定泄露数据与已分级信息的数据泄露信息特征词的相似度和关联程度；根据匹配结果，将泄露数据各元素分为不同的级别；利用层次分析法对泄露数据各元素进行权重的分析，最后通过模糊逻辑的方法对泄露数据的风险进行评估，在计算出风险值后，将数据泄露风险等级根据数据泄露风险值划分不同安全风险等级，该方法来可以用来保护数据安全和隐私。
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公开(公告)号：CN114640808B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210221520.X
申请日：2022-03-09
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H04N25/57 , H04N25/76 , H04N25/779
摘要： 基于复位晶体管复用技术的高动态范围图像传感器像素单元，属于半导体光电方向图像传感器领域。通过控制像素工作过程中的时序信号和调整工艺制造结构的方式控制像素电路中复位晶体管的工作方式，使得复位晶体管在像素工作过程中的复位阶段起到复位作用，在像素积分阶段复位晶体管形成二极管连接起到电荷补偿作用。复位晶体管复用技术使得像素电路在弱光下保持低噪声和线性关系，在强光下由光电二极管流到FD点的光生电荷形成的电流与复位晶体管形成的二极管中的导通电流将达到动态平衡，此时FD点电荷将不再随积分时间变化，而只和光强成对数关系。使用该像素结构的图像传感器，积分过程中复位晶体管能够构成电荷补偿通路，极大的拓展动态范围。
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