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公开(公告)号：CN116322238A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310234683.6
申请日：2023-03-13
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明提供一种卤化物钙钛矿微纳阵列结构及其制备方法，属于新型半导体光电材料领域。采用表面活性剂辅助液相结晶法，无需任何微纳加工工艺即可直接制备高质量单晶卤化物钙钛矿微纳阵列结构。所制备的钙钛矿微纳阵列结构由数十至数百根水平排布的微米线或纳米线构成，其长度可在数十至数百微米间进行可控调节、宽度可在数十纳米至数十微米间进行可控调节、厚度可在数十纳米至数百纳米间进行可控调节。本发明完全通过原子自组装方式实现阵列，无需任何模板、光刻、电子束刻蚀等微纳加工技术；成本低廉、可控性高，在卤化物钙钛矿阵列光电传感器、发光二极管与太阳能电池等半导体光电和光伏器件中具有广泛的应用潜力。
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公开(公告)号：CN112853486B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202011633295.8
申请日：2020-12-31
申请人： 大连理工大学 , 江苏新广联科技股份有限公司
摘要： 一种空气中安全快速制备二维钙钛矿单晶的方法，属于新型半导体光电材料领域。通过反溶剂逆温快速结晶的方法制备高质量二维钙钛矿单晶(BA)2PbI4和(PEA)2PbI4，制备出的单晶为片状或条状的橙色晶体，横向尺寸为几百微米到几毫米，质量良好，可通过控制加热温度，可调制二维钙钛矿单晶生长速度和密度，并且可采用胶带剥离法将合成的单晶撕成原子级厚度的薄片。相比于之前的生长方法，此方法可在短时间内生长出大量的单晶，生长速度大大增加；并且生长过程不涉及强酸、低温，操作安全、便捷，对二维钙钛矿单晶的大批量生长具有重要意义。
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公开(公告)号：CN112625679B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202011432997.X
申请日：2020-12-10
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： C09K11/66
摘要： 一种全无机卤素钙钛矿纳米线的异质结及其制备方法，属于新型半导体光电材料领域。通过反溶剂蒸气辅助液相重结晶法制备长径比大、晶体质量良好的δ‑CsPbI3和CsPbBr3单晶纳米线；利用微纳操作转移系统，在微纳米尺度条件下，将CsPbI3单晶纳米线和CsPbBr3单晶纳米线交叉接触，氮气环境下，通过加热反应，得到具有不同长度交换区域的CsPbBrnI3‑n/δ‑CsPbI3；其中交换区域及交换长度可以根据具体需要进行精确定位和控制。本发明制得的CsPbBrnI3‑n/δ‑CsPbI3全无机纳米线异质结具有明显的结界面和横向异质结构，本方法可以在在单根纳米线上可以根据具体要求集成多个不同尺寸的异质结构或像素点阵，且这种通过固固离子交换得到的晶体质量高且能保持原有晶体的形貌。
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公开(公告)号：CN112750919A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011630615.4
申请日：2020-12-31
申请人： 大连理工大学 , 江苏新广联科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/109
摘要： 一种钙钛矿纳米线的异质结及其制备方法，属于新型半导体光电材料领域。通过反溶剂蒸气辅助液相重结晶法在FTO玻璃基板表面制备出高质量的CsPbBr3单晶纳米线，其中CsPbBr3单晶纳米线与FTO基板呈一定角度生长。之后，在充满氮气的手套箱中，将上述制备的CsPbBr3单晶纳米线与FTO基板一起放入含有C4H9NH3I的玻璃瓶中置于加热台上进行加热。利用气相离子交换，通过控制温度和时间，制备出具有浓度梯度的全无机CsPbBrnI3‑n纳米线异质结。本发明能够制得具有浓度梯度的CsPbBrnI3‑n全无机卤素钙钛矿纳米线异质结，这种通过气相离子交换得到的晶体质量高且能保持原有晶体的形貌。
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公开(公告)号：CN112625679A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011432997.X
申请日：2020-12-10
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： C09K11/66
摘要： 一种全无机卤素钙钛矿纳米线的异质结及其制备方法，属于新型半导体光电材料领域。通过反溶剂蒸气辅助液相重结晶法制备长径比大、晶体质量良好的δ‑CsPbI3和CsPbBr3单晶纳米线；利用微纳操作转移系统，在微纳米尺度条件下，将CsPbI3单晶纳米线和CsPbBr3单晶纳米线交叉接触，氮气环境下，通过加热反应，得到具有不同长度交换区域的CsPbBrnI3‑n/δ‑CsPbI3；其中交换区域及交换长度可以根据具体需要进行精确定位和控制。本发明制得的CsPbBrnI3‑n/δ‑CsPbI3全无机纳米线异质结具有明显的结界面和横向异质结构，本方法可以在在单根纳米线上可以根据具体要求集成多个不同尺寸的异质结构或像素点阵，且这种通过固固离子交换得到的晶体质量高且能保持原有晶体的形貌。
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公开(公告)号：CN112750919B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202011630615.4
申请日：2020-12-31
申请人： 大连理工大学 , 江苏新广联科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/109
摘要： 一种钙钛矿纳米线的异质结及其制备方法，属于新型半导体光电材料领域。通过反溶剂蒸气辅助液相重结晶法在FTO玻璃基板表面制备出高质量的CsPbBr3单晶纳米线，其中CsPbBr3单晶纳米线与FTO基板呈一定角度生长。之后，在充满氮气的手套箱中，将上述制备的CsPbBr3单晶纳米线与FTO基板一起放入含有C4H9NH3I的玻璃瓶中置于加热台上进行加热。利用气相离子交换，通过控制温度和时间，制备出具有浓度梯度的全无机CsPbBrnI3‑n纳米线异质结。本发明能够制得具有浓度梯度的CsPbBrnI3‑n全无机卤素钙钛矿纳米线异质结，这种通过气相离子交换得到的晶体质量高且能保持原有晶体的形貌。
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公开(公告)号：CN112853486A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011633295.8
申请日：2020-12-31
申请人： 大连理工大学 , 江苏新广联科技股份有限公司
摘要： 一种空气中安全快速制备二维钙钛矿单晶的方法，属于新型半导体光电材料领域。通过反溶剂逆温快速结晶的方法制备高质量二维钙钛矿单晶(BA)2PbI4和(PEA)2PbI4，制备出的单晶为片状或条状的橙色晶体，横向尺寸为几百微米到几毫米，质量良好，可通过控制加热温度，可调制二维钙钛矿单晶生长速度和密度，并且可采用胶带剥离法将合成的单晶撕成原子级厚度的薄片。相比于之前的生长方法，此方法可在短时间内生长出大量的单晶，生长速度大大增加；并且生长过程不涉及强酸、低温，操作安全、便捷，对二维钙钛矿单晶的大批量生长具有重要意义。
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