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公开(公告)号：CN109285939B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201811406143.7
申请日：2018-11-23
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司 , 江苏新广联半导体有限公司
摘要： 本发明涉及芯片制作技术领域，具体公开了一种红光倒装芯片，其中，所述红光倒装芯片包括：蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底的下表面设置发光外延层，所述发光外延层的下表面和侧面设置反射层，所述反射层的下表面设置电极，所述蓝宝石衬底的上表面、蓝宝石衬底的侧面和所述反射层的侧面均涂覆红色荧光粉胶体，所述红色荧光粉胶体能够将所述发光外延层发出的光线颜色转化成红色发出。本发明还公开了一种红光倒装芯片的制作方法。本发明提供的红光倒装芯片具有成本低且良率高的优势，为RGB倒装芯片全彩显示提供了可能。
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公开(公告)号：CN112853486B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202011633295.8
申请日：2020-12-31
申请人： 大连理工大学 , 江苏新广联科技股份有限公司
摘要： 一种空气中安全快速制备二维钙钛矿单晶的方法，属于新型半导体光电材料领域。通过反溶剂逆温快速结晶的方法制备高质量二维钙钛矿单晶(BA)2PbI4和(PEA)2PbI4，制备出的单晶为片状或条状的橙色晶体，横向尺寸为几百微米到几毫米，质量良好，可通过控制加热温度，可调制二维钙钛矿单晶生长速度和密度，并且可采用胶带剥离法将合成的单晶撕成原子级厚度的薄片。相比于之前的生长方法，此方法可在短时间内生长出大量的单晶，生长速度大大增加；并且生长过程不涉及强酸、低温，操作安全、便捷，对二维钙钛矿单晶的大批量生长具有重要意义。
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公开(公告)号：CN112750919A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011630615.4
申请日：2020-12-31
申请人： 大连理工大学 , 江苏新广联科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/109
摘要： 一种钙钛矿纳米线的异质结及其制备方法，属于新型半导体光电材料领域。通过反溶剂蒸气辅助液相重结晶法在FTO玻璃基板表面制备出高质量的CsPbBr3单晶纳米线，其中CsPbBr3单晶纳米线与FTO基板呈一定角度生长。之后，在充满氮气的手套箱中，将上述制备的CsPbBr3单晶纳米线与FTO基板一起放入含有C4H9NH3I的玻璃瓶中置于加热台上进行加热。利用气相离子交换，通过控制温度和时间，制备出具有浓度梯度的全无机CsPbBrnI3‑n纳米线异质结。本发明能够制得具有浓度梯度的CsPbBrnI3‑n全无机卤素钙钛矿纳米线异质结，这种通过气相离子交换得到的晶体质量高且能保持原有晶体的形貌。
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公开(公告)号：CN109560100B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201811409855.4
申请日：2018-11-23
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司 , 江苏新广联光电股份有限公司
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/48 , H01L33/64 , H01L21/76 , H01L21/762 , H01L33/00
摘要： 本发明属于LED微显示屏技术领域，提供一种正装GaN基LED微显示器件及其制作方法，包括蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底正面设有若干个呈阵列分布的LED微显示单元，LED微显示单元间通过绝缘SU胶隔开；LED微显示单元包括位于蓝宝石衬底上的缓冲层、N‑GaN层、多量子阱、P‑GaN层和透明导电层，在N‑GaN层上设有N电极，在N电极和绝缘SU胶上设有SiO绝缘层，SiO绝缘层上P电极，P电极穿过SiO绝缘层与透明导电层接触；在蓝宝石衬底背面设有布拉格反射镜DBR；本发明的微显示器件在LED单元隔离槽内填充较厚的绝缘SU8胶，避免了因电极应力因素导致的断路，保证了LED微显示器件的稳定性；同时背面采用布拉格反射镜DBR，使得器件的出光率更好。
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公开(公告)号：CN112037824A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010915453.2
申请日：2020-09-03
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及光盘加密技术领域，具体涉及一种光盘加密方法；它包括A.文件加密，对将要存取到光盘中的文件内部进行整合，生成iso镜像文件，并对镜像文件中的根目录文件进行加密处理；B.自定义加密内容，根据加密内容生成消息摘要，将消息摘要作为主要输出；C.对密钥进行二次加密，并对光盘设置摘要信息输入器，并额外设置密码解译器；D.设置加密识别规则，通过摘要信息输入器输入的密钥信息，依据识别规则识别加密的有效性；E.设置密码读取器，输入正确密钥数值可以正常访问光盘数据。
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公开(公告)号：CN110993760A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911385775.4
申请日：2019-12-29
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种具有温度监控的大功率倒装LED芯片，包括衬底层；在所述衬底层上依次生长有N-GaN层、量子阱层、P-GaN层；P-GaN层上设有反射层；量子阱层、P-GaN层、反射层被第一绝缘层包覆；第一绝缘层上设有互联电极层；互联电极层穿透第一绝缘层，分别连接反射层和N-GaN层；互联电极层被第二绝缘层包覆；第二绝缘层上设有引出电极层；所述引出电极层包括穿透第二绝缘层与互联电极层分别连接的两个焊盘电极，以及穿透第二绝缘层、互联电极层、第一绝缘层、反射层、P-GaN层以及量子阱层与N-GaN层分别连接的两个热阻监控电极；所述两个热阻监控电极与N-GaN层连接处形成探温节。本发明实现LED芯片结温的实时监控。
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公开(公告)号：CN104299630B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410540559.3
申请日：2014-10-14
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
IPC分类号： G11B23/50
摘要： 本发明涉及一种金属母盘表面清洗溶液的配制方法，属于清洗剂技术领域。其包括去离子水、混合磷酸盐、氨基磺酸、湿润剂和氢氧化钠，经混合后得到金属母盘表面清洗溶液。本发明提供的清洗溶液对环境的污染较小，废水处理简单。此配方溶液具有较强的溶解性，能够吸附金属母盘上的油脂、手印、灰尘等，同时也能有效的去处母盘上的光刻胶。
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公开(公告)号：CN103050598B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201210548819.2
申请日：2012-12-17
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种混合型不等间距图形化衬底，包括基本衬底，其特征是：在所述基本衬底的正面刻蚀形成以阵列形式排列的凸起周期，所述每个凸起周期包括至少两个大小、形状不一的凸起。所述凸起的形状为半球状、半椭球状、圆锥状或角锥状。所述凸起的直径为0.1~100μm。同一个凸起周期中的凸起之间的距离不等距。所述基本衬底采用蓝宝石衬底或碳化硅衬底。本发明在衬底的表面采用若干不等距排列的大小不一的凸起，更大程度地改变光在反射后外延出光面的夹角，最大限度地减少全反射的产生，整体发光效率可比现有技术的图形化衬底提升3%~10%。
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公开(公告)号：CN103887377A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410089088.9
申请日：2014-03-12
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
发明人： 李睿
CPC分类号： H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L2933/0033
摘要： 本发明提供一种减少GaN基垂直结构LED漏电的器件工艺，包括光刻外延晶圆，形成LED器件第一台面和第二台面；在LED器件侧壁形成钝化层；蒸镀p型反射欧姆电极及p型键合电极；在LED器件间的沟槽中制作侧壁缓冲保护结构；将导电基板与外延晶圆进行低温金属键合；采用固体激光器，以小束斑相互交叠逐点扫描剥离衬底；采用干法蚀刻减薄剥离衬底后的n-GaN层，去除剥离面至第二台面之间n-GaN层以消除剥离损伤；去除侧壁缓冲保护结构。本方法能够减少剥离面及侧壁由于激光剥离导致的损伤缺陷，降低LED器件侧壁破损概率，有效遏制器件新生漏电通道的产生。
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公开(公告)号：CN103794603A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410054122.9
申请日：2014-02-18
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/64
摘要： 本发明涉及一种免封装UVLED固化光源模组，包括硅基板，其特征是：在所述硅基板的正面设置反射互联层，反射互联层的上表面设置若干组正负共晶层，每组正负共晶层均由P共晶电极和N共晶电极组成，在每组正负共晶层上设置LED芯片，LED芯片表面覆盖灌封胶；所述LED芯片由365nm、380nm、395nm、405nm四种波长的LED芯片按1:1:1:1配比集成。在所述硅基板的背面通过焊接层连接水冷散热器。所述水冷散热器上设置进水管和出水管。本发明通过不同波长芯片的驱动电流，可以满足绝大多数UV墨水和胶水对固化波长及能量比的需求，试验光源模组测试热阻系数低于3℃/W，单颗LED芯片最大驱动功率可达5W。
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