一种晶体硅太阳能电池组件的焊接生产线

    公开(公告)号:CN102485406A

    公开(公告)日:2012-06-06

    申请号:CN201010568349.7

    申请日:2010-12-01

    IPC分类号: B23K28/02

    摘要: 本发明提供一种晶体硅太阳能电池组件的焊接生产线,包括单焊工作台,串焊工作台,叠层工作台,第一水平传输带,第二水平传输带,其中单焊工作台设置在串焊工作台前面,二者分别对称分布在第一水平传输带的两侧;叠层工作台设置在串焊工作台后面,叠层工作台对称分布在第二水平传输带两侧的后端;单焊工作台和叠层工作台的侧边都设置有急停按钮,第二水平传输带高于第一水平传输带,第二、第一水平传输带在串焊工作台区域上下重叠,传输带的两端设置有传感器,并且两传输带的驱动是各自独立的。本发明结构简单,使用方便,消除了由于搬运产生的电池片隐蔽开裂的质量隐患,同时提高了生产效率,提高了生产安全性。

    一种新型背接触太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:CN102487091B

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201010568275.7

    申请日:2010-12-01

    CPC分类号: Y02E10/50 Y02P70/521

    摘要: 本发明提供一种新型的金属穿孔缠绕型背接触太阳能电池及其制作方法,晶体硅片上有2-5列孔洞,孔洞除与硅片中轴线重合的一列外,其余各列与中轴线有一倾斜夹角,晶体硅片的正面印刷有细栅线,细栅线通过孔洞内的银浆与晶体硅片背面的负电极相连,正电极也位于晶体硅片的背面,正、负电极均呈“梯”形倾斜布置。本发明提供的新型背接触电池,提高了入射光线的利用率,结构简单,封装时电池片的间距更小,可以降低组件的尺寸,提高单位面积组件的发电效率,焊带在同一侧直线互联,降低了对电池的应力,可以有效降低碎片率,尤其适合薄硅片的高效晶体硅太阳能电池,适合手工串焊和互联,制造成本低,适合大规模生产。

    一种采用CVD反应直接生长单晶硅的方法

    公开(公告)号:CN102485974A

    公开(公告)日:2012-06-06

    申请号:CN201010572202.5

    申请日:2010-12-03

    IPC分类号: C30B25/00 C30B29/06

    摘要: 本发明公开了一种生长单晶硅晶体的方法。具体地,是一种采用CVD反应直接生长单晶硅的方法,具体实施步骤为:(1)在硅衬底表面镀上一层厚度为1-100微米的金属薄层;(2)将该镀有金属薄层的硅衬底放入CVD反应器腔体内,腔体内升温至高于硅衬底与金属共晶点温度,使共晶层液化,形成液态共晶层;其中,所述的共晶点温度低于1000℃;(3)通入含硅原料气至腔体内,同时腔体内升温至该原料气的还原分解温度,生成气相硅原子;(4)生成的气相硅原子被步骤(2)所形成的液态共晶层吸收至过饱和后,在硅衬底下方析出单晶结构的晶体硅。本发明节省了生产工序,降低了成产成本;同时可以选择分解温度较低的硅源气,降低生产能耗。