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公开(公告)号：CN105322894B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201510456882.7
申请日：2015-07-29
申请人： 天工方案公司
发明人： F.G.巴尔蒂努 , J.A.马塞多 , P.H.R.波普尔韦尔 , J.F.平戈特
摘要： 一种改善功率放大器在接近DC的低频处的效率的低频损耗校正电路。该低频损耗校正电路可以包括：信号误差检测电路，配置为响应于检测到经过电容路径而基本上衰减的、跟踪信号的低于截止频率的一个或多个频率分量，产生误差信号。该低频损耗校正电路可以包括：驱动电路，配置为将所述误差信号转换为低频校正信号，并向电源电压线提供所述低频校正信号，该低频校正信号包括经过电容路径而基本上衰减的、所述跟踪信号的低于截止频率的一个或多个频率分量中的至少一些。
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公开(公告)号：CN104169826A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201280066414.3
申请日：2012-11-13
发明人： P.H.R.波普尔韦尔 , J.F.平戈特 , F.G.巴尔特努 , M.威尔逊 , M.塔克威尔
CPC分类号： H03F1/0227 , H02M3/156 , H02M3/158 , H03F1/0211 , H03F1/025 , H03F3/19 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/211 , H03F2200/102 , H03F2200/451 , H03F2203/21106
摘要： 本发明提供用于电压转换器的装置和方法。在一个实施例中，电压转换系统包括旁路电路和电压转换器，所述电压转换器包括电感器和被配置为控制通过所述电感器的电流的多个开关。所述旁路电路包括第一p-型场效应晶体管(PFET)、第二PFET、第一n-型场效应晶体管(NFET)和第二NFET。所述第一和第二NFET晶体管以及所述第一和第二PFET晶体管电连接在所述电感器的第一端和第二端之间，使得所述第一PFET晶体管的源极和所述第一NFET晶体管的漏极电连接到所述电感器的第一端，并且使得所述第二PFET晶体管的漏极和所述第二NFET晶体管的源极电连接到所述电感器的第二端。
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公开(公告)号：CN104169826B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201280066414.3
申请日：2012-11-13
发明人： P.H.R.波普尔韦尔 , J.F.平戈特 , F.G.巴尔特努 , M.威尔逊 , M.塔克威尔
CPC分类号： H03F1/0227 , H02M3/156 , H02M3/158 , H03F1/0211 , H03F1/025 , H03F3/19 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/211 , H03F2200/102 , H03F2200/451 , H03F2203/21106
摘要： 提供用于电压转换器的装置和方法。在一个实施例中，电压转换系统包括旁路电路和电压转换器，所述电压转换器包括电感器和被配置为控制通过所述电感器的电流的多个开关。所述旁路电路包括第一p-型场效应晶体管(PFET)、第二PFET、第一n-型场效应晶体管(NFET)和第二NFET。所述第一和第二NFET晶体管以及所述第一和第二PFET晶体管电连接在所述电感器的第一端和第二端之间，使得所述第一PFET晶体管的源极和所述第一NFET晶体管的漏极电连接到所述电感器的第一端，并且使得所述第二PFET晶体管的漏极和所述第二NFET晶体管的源极电连接到所述电感器的第二端。
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公开(公告)号：CN105322894A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510456882.7
申请日：2015-07-29
申请人： 天工方案公司
发明人： F.G.巴尔蒂努 , J.A.马塞多 , P.H.R.波普尔韦尔 , J.F.平戈特
摘要： 一种改善功率放大器在接近DC的低频处的效率的低频损耗校正电路。该低频损耗校正电路可以包括：信号误差检测电路，配置为响应于检测到经过电容路径而基本上衰减的、跟踪信号的低于截止频率的一个或多个频率分量，产生误差信号。该低频损耗校正电路可以包括：驱动电路，配置为将所述误差信号转换为低频校正信号，并向电源电压线提供所述低频校正信号，该低频校正信号包括经过电容路径而基本上衰减的、所述跟踪信号的低于截止频率的一个或多个频率分量中的至少一些。
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