公开(公告)号：CN118528078A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410591969.4

申请日：2024-05-14

申请人： 天津理工大学

发明人： 周伯儒 ,  付情 ,  南娓娜 ,  李思佳 ,  陈昆 ,  叶宁 ,  胡章贵

IPC分类号： B24B1/00 ,  B24B29/02 ,  C09G1/02

摘要： 本发明公开了一种AgBi2I7晶体的抛光工艺，涉及晶体材料表面处理技术领域，包括以下步骤：首先对待抛光的晶片表面采用2500目和5000目砂纸打磨处理以快速去除晶体机械切割痕；采用异丙醇与粉末粒径为20μm的氧化铝粉末配制粗抛液并对晶片进行粗抛；再用异丙醇与粉末粒径为30nm的氧化铝粉末配制细抛液并对晶片进行细抛；最后用异丙醇对抛光的晶片进行清洗，用氮气吹干。该方法简单实用易操作，可高效获得光学显微镜下表面光滑平整、无划痕的镜面级抛光晶片，抛光后的晶片光学性能及电学性能均有显著提升。

公开(公告)号：CN116654980A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310559208.6

申请日：2023-05-18

申请人： 天津理工大学

发明人： 胡章贵 ,  南娓娜 ,  周伯儒 ,  李超 ,  付情 ,  叶宁 ,  吴以成

IPC分类号： C01G29/00 ,  C30B35/00

摘要： 本申请涉及卤化物原料提纯技术领域，具体涉及一种晶体生长用溴化铋的提纯方法及应用。具体为：将装有溴化铋原料的容器放置于真空加热设备中，启动真空加热设备，并依次进行升温、保温、降温过程，所述真空加热设备至少设有一组高温区和低温区，所述容器同时穿过至少一组高温区和低温区。通过在密闭环境中的升温，使溴化铋在高温区气化，而杂质无法气化，在真空状态下，气相的溴化铋可以快速的移动到达低温区后由于温度的降低，从而形成固相的溴化铋，沉积在石英管的管口，完成分离提纯的操作。该方法提纯得到的溴化铋原料的杂质浓度显著下降，并且用纯化后的溴化铋原料生长的晶体质量更优。

公开(公告)号：CN117987925A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202211328653.3

申请日：2022-10-27

申请人： 天津理工大学

发明人： 叶宁 ,  陈金东 ,  彭广 ,  杨光赛

IPC分类号： C30B29/46 ,  C30B1/10 ,  G02F1/355

摘要： 本发明涉及Hg3AsSe4Br、Hg3AsSe4I非线性光学晶体及其制备方法和应用。所述Hg3AsSe4Br、Hg3AsSe4I非线性光学晶体属于六方晶系，空间群为P63mc，晶胞参数为#imgabs0#α＝β＝90°，γ＝120°，z＝2。#imgabs1#该非线性光学晶体可使用高温熔体法或者化学气相输运法制备。该晶体具有红外透过范围宽、非线性光学效应大、机械性能好、易于加工等优点，可在各种非线性光学领域中得到广泛应用，并将开拓在中红外波段的应用。

公开(公告)号：CN118756317A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410835786.2

申请日：2024-06-26

申请人： 天津理工大学

发明人： 周伯儒 ,  陈昆 ,  南娓娜 ,  李思佳 ,  付情 ,  胡章贵 ,  叶宁 ,  吴以成

IPC分类号： C30B11/02 ,  C30B29/12 ,  C30B33/02 ,  C30B28/04

摘要： 一种碘铋银单晶的制备方法，首先将符合一定摩尔比的AgI和BiI3原料抽真空密封在生长坩埚中，然后装入合料炉内，合料炉先升温到BiI3熔点之上，通过摇摆使BiI3混合均匀，将合料炉升温到AgI熔点之上，通过摇摆使AgI和BiI3混合均匀，获得成分均匀的碘铋银多晶锭，将多晶锭放入生长炉，设定生长控制参数进行碘铋银晶体生长，最终生长出高质量碘铋银单晶。本发明制备方法简单、成本低，通过控制合适的晶体生长参数，可制备出大尺寸的无开裂碘铋银单晶，解决了现有碘铋银单晶制备方法复杂和晶体开裂的技术问题。同时，多晶料合成和晶体生长在一个坩埚内，避免了原料的污染。采用本申请的制备方法生长获得的碘铋银单晶，具有缺陷密度低、光电性能优异等优点。

公开(公告)号：CN118894531A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410930052.2

申请日：2024-07-11

申请人： 天津理工大学

发明人： 陈金东 ,  叶宁 ,  高利华

IPC分类号： C01B33/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/10 ,  C30B23/00 ,  C30B9/12 ,  C30B11/00 ,  G02F1/355

摘要： 本发明涉及磷硅铟镉化合物、磷硅铟镉非线性光学晶体及其制备方法和用途。本发明的磷硅铟镉化合物化学式为Cd2In3Si2P7，该化合物可使用高温固相法制备。本发明的磷硅铟镉非线性光学晶体，化学式为Cd2In3Si2P7，属于单斜晶系。本发明的磷硅铟镉非线性光学晶体具有红外透过范围宽、非线性光学效应大、机械性能好、易于加工等优点，可在各种非线性光学领域和中红外波段中得到广泛应用。

公开(公告)号：CN117682559A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202211080802.9

申请日：2022-09-05

申请人： 天津理工大学

发明人： 叶宁 ,  陈开创 ,  彭广

IPC分类号： C01G33/00 ,  C30B7/10 ,  C30B7/14 ,  C30B29/32

摘要： 本发明公开一种锗酸铌钾化合物和锗酸铌钾非线性光学/电光晶体及其制备方法和用途，该化合物的化学式为KNbGeO5，分子量284.60，空间群Pna21，属于正交晶系，晶胞参数#imgabs0##imgabs1#Z＝8。该化合物采用固相合成法制备，并经高温溶液法或水热法生长得到晶体。该晶体兼具非线性光学效应和电光效应，其倍频效应约为KH2PO4(KDP)的11‑12倍，紫外截止边为270nm，红外截止边为7.25μm，透光范围宽，物化性能稳定，在非线性光学和激光科技以及电光调制等领域中有着重要应用。