公开(公告)号：CN104576850B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201510022433.1

申请日：2015-01-16

申请人： 太原理工大学

发明人： 李天保 ,  贾伟 ,  许并社 ,  余春艳 ,  章海霞

IPC分类号： H01L33/00

摘要： 本发明涉及一种垂直结构发光二极管的制备方法，以解决目前垂直结构发光二极管制备中存在的成本较高、良率低的技术问题。一种垂直结构发光二极管的制备方法，利用表面石墨烯化的薄片状Ti3AlC2材料作为衬底材料，生长发光二极管外延结构，外延结构包括n型掺杂层、多量子阱发光层和p型掺杂层。本发明以表面石墨烯化的Ti3AlC2材料作为衬底材料，一方面利用石墨烯层状结构特有的层间范德华力，生长了受晶格常数匹配约束较小的外延薄膜材料，另一方面利用Ti3AlC2材料在HF酸溶液中反应分解的特点，制备了垂直结构发光二极管，降低了器件的制造成本，提高了器件的成品率。

公开(公告)号：CN104465922A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410750310.5

申请日：2014-12-10

申请人： 太原理工大学

发明人： 李天保 ,  贾伟 ,  许并社 ,  梁建 ,  余春艳 ,  章海霞

IPC分类号： H01L33/16 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L33/14 ,  H01L33/16 ,  H01L2933/0008

摘要： 本发明涉及一种低成本氮化镓基发光二极管的制备方法，以解决目前发光二极管制备中存在的成本较高、衬底难以重复利用的技术问题。一种低成本氮化镓基发光二极管制备方法，利用表面石墨烯化的薄片状TiC材料作为衬底材料，生长发光二极管外延结构，外延结构包括n型掺杂层、多量子阱发光层和p型掺杂层。本发明以表面石墨烯化的TiC材料作为衬底材料，利用石墨烯与外延层间弱的范德华力，依靠机械拉力实现衬底与外延结构的分离，实现衬底的重复使用，降低了器件的制造成本。

公开(公告)号：CN104576850A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201510022433.1

申请日：2015-01-16

申请人： 太原理工大学

发明人： 李天保 ,  贾伟 ,  许并社 ,  余春艳 ,  章海霞

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0066 ,  H01L33/06

摘要： 本发明涉及一种垂直结构发光二极管的制备方法，以解决目前垂直结构发光二极管制备中存在的成本较高、良率低的技术问题。一种垂直结构发光二极管的制备方法，利用表面石墨烯化的薄片状Ti3AlC2材料作为衬底材料，生长发光二极管外延结构，外延结构包括n型掺杂层、多量子阱发光层和p型掺杂层。本发明以表面石墨烯化的Ti3AlC2材料作为衬底材料，一方面利用石墨烯层状结构特有的层间范德华力，生长了受晶格常数匹配约束较小的外延薄膜材料，另一方面利用Ti3AlC2材料在HF酸溶液中反应分解的特点，制备了垂直结构发光二极管，降低了器件的制造成本，提高了器件的成品率。

公开(公告)号：CN104242058A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410526595.4

申请日：2014-10-09

申请人： 太原理工大学

发明人： 许并社 ,  董海亮 ,  梁建 ,  马淑芳 ,  余春艳

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01S5/20

摘要： 本发明属于半导体光电子学技术领域，具体公开了一种无铝半导体激光器结构，该结构包括采用金属有机化学气相沉积方法在衬底上至下而上依次外延生长的缓冲层、下匹配层、下限制层、下过渡层、下波导层、多量子阱层、上波导层、上过渡层、上限制层、上匹配层和电极接触层。本发明是在非对称波导层的基础上对器件的波导层材料和限制层材料如何影响模式限制因子、吸收损耗、阈值电流、输出功率以及长寿命可靠性等进行改进，得到的新结构材料体系的半导体激光器，其中，下、上限制层采用导带差小的InGaP材料，下、上波导层采用导带差小的InGaAsP材料并且选择无铝的非对称的直波导结构。