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公开(公告)号：CN114744485B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202210267493.X
申请日：2022-03-18
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明涉及半导体光电子学技术领域；Al组分正向渐变的单波导结构波导层的载流子损耗较大，反向渐变结构远场发散角小，内损耗严重，载流子的损耗和泄漏导致980 nm半导体激光器的阈值电流增大，工作电压增加，本发明提供一种具有Al组分的双波导半导体激光器结构及其制备方法，波导层内波导Al组分正向渐变，外波导Al组分反向渐变的双波导结构，正向渐变内波导结构提高了有源区载流子的限制能力，反向渐变外波导提高了波导层的载流子限制能力，本发明解决载流子泄漏和光学损耗严重的问题，降低了非辐射复合和泄漏电流，从而降低激光器的串联电阻和工作电压，提高激光器的输出功率和电光转换效率。
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公开(公告)号：CN109244202A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811203117.4
申请日：2018-10-16
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明提供了一种含有应变补偿结构的GaN基量子阱LED外延结构，包括由下而上设置的蓝宝石衬底层、GaN低温形核层、U-GaN层、N-GaN层、含有应变补偿结构的InGaN/GaN量子阱有源区、电子阻挡层和P-GaN层，所述含有应变补偿结构的InGaN/GaN量子阱有源区包括底垒层、顶垒层、位于底垒层和顶垒层之间的多个InGaN量子阱层和设置在各个InGaN量子阱层之间的中间垒层，所述中间垒层包括应变补偿层，所述应变补偿层为晶格常数小于GaN的垒层。本发明通过在InGaN/GaN量子阱LED外延结构中引入应变补偿结构，带来如下有益效果：消除了InGaN/GaN多量子阱结构中的应变积累，提高了GaN基量子阱LED的内量子效率。
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公开(公告)号：CN107069431A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710414669.9
申请日：2017-06-05
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： H01S5/32316
摘要： 一种基于3D打印的GaAs基边发射激光器制备方法。制备流程，包括：外延片生长、台面刻蚀、深沟刻蚀、3D打印绝缘钝化层、3D打印P面电极、GaAs衬底减薄、抛光、3D打印N面电极、真空划片、钝化、3D打印前腔面增透膜及后腔面增反膜。其中，绝缘钝化层、P面电极、N面电极、前腔面增透膜及后腔面增反膜均由3D打印技术来制备完成。通过引入3D打印技术，本发明带来如下两方面的有益效果：(1)简化了制备过程：3D打印绝缘钝化层免去了套刻、腐蚀开孔的步骤；3D打印P面电极避免了金属电极的带胶剥离过程；(2)减少了杂质的引入：减少了套刻、刻蚀及带胶剥离的过程，所以减少了光刻胶、腐蚀液等化学试剂的引入，同时也降低了其它杂质引入的几率。
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公开(公告)号：CN104795729A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510077930.1
申请日：2015-02-14
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： H01S5/343
摘要： 本发明属于半导体光电子学技术领域，具体公开了一种应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构，该结构包括采用金属有机化学气相沉积方法在衬底上至下而上依次外延生长的缓冲层、下匹配层、下限制层、下过渡层、下波导层、多量子阱层、上波导层、上过渡层、上限制层、上匹配层和电极接触层。本发明是在改善多量子阱层的势垒层和势阱层材料突变异质界面质量、降低晶格常数应变失配率过大，减少量子阱有源区总的累积应变失配率，避免量子阱异质界面发生晶格弛豫现象，从而对降低激光器的阈值电流、增大输出功率，提高光电转换效率以及延长寿命可靠性等进行改进，得到的新型结构材料体系的半导体激光器。
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公开(公告)号：CN102689904B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210166884.9
申请日：2012-05-25
申请人： 太原理工大学
摘要： 一种碳化硅纳米线及其阵列的制备方法，属于纳米技术领域。包括如下步骤：（1）将正硅酸乙酯加入乙醇水溶液中，向其中滴入氨水，混合均匀后，再向其中加入纳米碳粉，混合均匀；（2）凝胶化处理，所得凝胶经干燥、研磨，得到干凝胶粉末；（3）取上述干凝胶粉放入氧化铝舟中一侧，单晶硅片放入氧化铝舟的另一侧，将所述氧化铝舟放入氧化铝管中，其中所述氧化铝舟上的干凝胶粉居于氧化铝管的正中央，单晶硅片置于氧化铝管中的下风口处；在氩气气氛下，升温，恒温反应2~6小时，反应结束后，降至室温，在氧化铝管壁上得到碳化硅纳米线，在单晶硅片上得到纳米线阵列。本发明提供了一种简单的、反应条件可控的SiC纳米线及其阵列的制备方法。
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公开(公告)号：CN100547121C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200710062158.1
申请日：2007-06-12
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： C25D11/10
摘要： 本发明涉及一种制取多孔阳极氧化铝膜的强烈阳极氧化法，它是以铝片做阳极、铂片做阴极、氩气做保护气体，以高氯酸、无水乙醇的混合溶液做铝片的电化学抛光剂，以草酸、无水乙醇、去离子水的混合溶液做电解液，以磷酸、铬酸、去离子水的混合溶液做氧化铝膜的腐蚀剂，通过铝片退火、清洗、电化学抛光、温和阳极氧化、腐蚀铝片氧化膜、强烈阳极氧化、剥离氧化膜，最终制得浅黄色、高纯度、有序、多孔纳米级氧化铝膜，氧化铝膜孔形为圆形，孔径为30～35nm，孔间距为80～100nm，孔深为162.4μm，氧化铝膜的生长速率为54μm/h，比温和阳极氧化法制备阳极氧化铝的薄膜生长速率2μm/h提高27倍。
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公开(公告)号：CN101372760A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810079375.6
申请日：2008-09-10
申请人： 太原理工大学
IPC分类号： C30B29/42 , C30B23/00 , H01L21/203
摘要： 本发明涉及一种发红光的掺氧砷化镓多晶薄膜的制备方法，它是以砷化镓、氧化镓、氧化铟为原料，以砷化镓基片为薄膜生长载体，以盐酸、无水乙醇、双氧水、去离子水为清洗剂，以氩气为载气和保护气体，以次氯酸纳、氢氧化钠、磷酸、去离子水为废气回收剂，制备是在管式高温炉中进行的，在石英管内高温区段置放L形石英舟，在L形石英舟左部放置原料粉末，右部斜置砷化镓基片，在800±5℃状态下，在氩气气氛中，原料粉末进行形态转换、气相沉积、薄膜生长，在基片上生成灰黑色掺氧砷化镓多晶薄膜，薄膜为胶粘式颗粒联结而成波浪状，发红光，制备中的有毒气体进行回收，不污染环境，此制备方法工艺流程短、薄膜成形快、产物纯度高，可达99％。
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公开(公告)号：CN1320175C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200510012467.9
申请日：2005-04-19
申请人： 太原理工大学
摘要： 本发明为一种氧化锌空心四足晶须束的制取方法，它是以氧化锌、炭粉为原料、聚乙烯醇为粘合剂、蒸馏水为溶剂，通过研磨、过筛、烘干、混合搅拌、配制粘稠溶液、压制圆环坯、高温烧结、冷却、检测分析、包装储存，获取高纯度的氧化锌空心四足晶须束，该制取方法简单，使用设备少，制取成本低，产物收率高，纯度好，其纯度可达99%，原料来源丰富，拓展了化合物氧化锌的用途，可使氧化锌广泛用于声波，光波元件、光电传感器、平面显示器等领域，是十分理想的制取氧化锌空心四足晶须束的方法。
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公开(公告)号：CN1297629C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200510012788.9
申请日：2005-09-01
申请人： 太原理工大学 , 山西至诚科技有限公司
IPC分类号： C09K11/80
摘要： 本发明为一种铈、钆激活的钇铝石榴石荧光粉的制取方法，它是以氧化钇、氧化铝、氧化铈、氧化钆、硼酸、氟化钡、碳粉、无水乙醇为原料，氧化铈、氧化钆为激活剂，硼酸和氟化钡为助熔剂，无水乙醇为球磨介质，碳粉为还原剂，通过原料混合、研磨、球磨机球磨、高温管式炉煅烧、冷却、精细研磨、过筛、检测、包装储存，最终得到高纯度的钇铝石榴石荧光粉黄色粉末，产物颗粒为球形，细微均匀，形成了单一的钇铝石榴石YAG相，发光性能优良，极适宜用作白光二极管所需的荧光粉，该制取方法使用设备少，工艺流程简单，原料来源丰富，制取成本低，产物收率高，产收率可达95%，纯度好，纯度可达98%，是十分理想的制取钇铝石榴石荧光粉的方法。
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