一种提高钛/铝复合板界面结合强度的方法

    公开(公告)号:CN111906144B

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202010692052.5

    申请日:2020-07-17

    摘要: 本发明公开了一种提高钛/铝复合板界面结合强度的方法,属于金属材料表面工程技术领域。该方法包括下列步骤:将预处理好的金属钛板和铝板放入真空等离子体活化设备的样品台上;抽真空后,通入氩气到真空室,并对金属钛板和铝板施加一定的负偏压,打开离子溅射源,氩气被激发成氩离子轰击金属钛板和铝板表面,进行第一次刻蚀处理;然后关闭氩气,通入氮气到真空室,形成氮离子轰击金属钛板和铝板表面,进行第二次活化处理;最后,取出两种金属板进行平辊室温复合轧制。本发明处理的金属钛板和铝板均具有新鲜、干净的活化表面,表现出良好的粘附性与结合力,明显提高了钛/铝复合板的剪切强度,轧制后的复合板具有较高的界面结合强度。

    一种场发射类金刚石-二氧化钛纳米管复合薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN112126964B

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN202010971164.4

    申请日:2020-09-16

    IPC分类号: C25D11/26 C23C14/06 C23C14/35

    摘要: 本发明公开了一种场发射类金刚石‑二氧化钛纳米管复合薄膜的制备方法。制备方法包括:在预处理后的抛光钛基片上采用阳极氧化方法制备二氧化钛纳米管薄膜,电解液采用乙二醇‑氟化铵体系;然后将制备有二氧化钛纳米管薄膜的钛基片固定在真空室样品台上,以高纯甲烷作为反应气体,氩气作为工作气体,高纯石墨为溅射靶材,采用射频磁控溅射技术在二氧化钛纳米管薄膜表面沉积类金刚石薄膜,制得类金刚石‑二氧化钛纳米管复合薄膜。该方法利用类金刚石薄膜低电子亲和势的优势和纳米管自身特殊的尖端效应,使得制备的类金刚石‑二氧化钛纳米管复合薄膜表面具有较低的电子发射势垒和良好的场发射性能,作为冷阴极材料应用于场发射显示器和真空微电子器件领域。

    高磨耗比、高断裂强度微米金刚石厚膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN108611638B

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201810580017.7

    申请日:2018-06-07

    摘要: 本发明为一种高磨耗比、高断裂强度微米金刚石厚膜及其制备方法,属于超硬材料制备技术领域。本发明厚膜由紧密连接的多层微米金刚石膜层和多层金属膜层复合而成的,微米金刚石膜层和金属膜层依次间隔设置,且最顶层和最底层都为微米金刚石膜层;微米金刚石膜中(110)晶粒取向占优,晶粒尺寸为10‑200μm,膜厚度为50‑200μm;金属膜层的厚度为1‑10μm。制备时,采用化学气相沉积方法沉积金刚石膜层,采用薄膜合成方法制备金属膜层。本发明通过添加金属膜层阻断微米金刚石晶粒的长大,使后续的金刚石在金属层表面重新形核并生长。最终获得的金刚石厚膜主要由细小晶粒(110)取向占优的微米金刚石构成,具有高的磨耗比和高的断裂强度。

    一种金刚石单晶散热片的制备方法

    公开(公告)号:CN109280882A

    公开(公告)日:2019-01-29

    申请号:CN201811312711.7

    申请日:2018-11-06

    摘要: 本发明为一种金刚石单晶散热片的制备方法,解决了目前单晶金刚石化学惰性高、不易焊接等问题。该方法首先使用超声波空蚀仪,以含有Fe3+的盐溶液作为空泡产生介质,对金刚石单晶片表面进行空蚀处理;然后在表面制备一层强碳化物金属内层,接着再制备一层耐氧化外层,最后将制备的金刚石单晶片在高温下进行固溶处理即可。该方法利用空泡急速溃灭爆裂时产生的高速微射流,冲击金刚石单晶表面局部剥落形成微小的孔洞;强碳化物金属原子能够与金刚石表面的部分碳原子反应形成化学键结合;Au与强碳化物金属元素具有良好的固溶度和良好的耐氧化性能。因此,所制备的金刚石单晶散热片不但涂层与基体具有高的结合强度,而且具有良好的耐氧化性能。

    一种铜基体表面金刚石耐磨涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN114086179B

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202111369442.X

    申请日:2021-11-18

    摘要: 本文发明公开了一种铜基体表面金刚石耐磨涂层的制备方法,首先将金刚石颗粒和强碳化物金属元素颗粒通过电泳沉积在基体表面弥散分布以制备电泳沉积层,然后在保护气氛下,对电泳沉积后的铜基体进行退火处理,使强碳化物金属元素颗粒与金刚石颗粒和铜基体间分别在界面处全部形成金属碳化物和金属化合物的高强度结合,再在退火后的基体上化学气相沉积一层金刚石涂层。本发明制作的耐磨涂层与基体的结合强度高,不易脱落,耐磨性高,抗腐蚀能力强,导热性好,制作周期短,工艺简单。

    同时扩大单晶金刚石籽晶尺寸及数量的方法

    公开(公告)号:CN111850682A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202010719506.3

    申请日:2020-07-23

    IPC分类号: C30B25/00 C30B29/04

    摘要: 本发明为一种同时扩大单晶金刚石籽晶尺寸及数量的方法,首先采用化学气相沉积(CVD)法将尺寸为a×a×b的单晶金刚石沿b方向生长到高度h,再沿a×h面对角线将单晶金刚石切割形成两个三角形柱体单晶金刚石,最后将三角形柱体单晶金刚石的切割面作为生长面进行金刚石的同质外延生长,待生长高度达到h1,再沿底部顶点与顶部左、右两点连线以及过底部顶点平行生长方向将单晶金刚石切割成四瓣,得到两个钝角三角形柱体单晶金刚石籽晶和两个直角三角形柱体单晶金刚石籽晶。本发明操作简单,能够快速的将小尺寸的单晶金刚石籽晶变成大尺寸的单晶金刚石籽晶,同时增大单晶金刚石的尺寸及数量,还可以有效避免拼接法引入的界面缺陷和多晶。

    碳化硅-二氧化硅/金刚石多层复合自支撑膜及制备方法

    公开(公告)号:CN111763924A

    公开(公告)日:2020-10-13

    申请号:CN202010561137.X

    申请日:2020-06-18

    摘要: 本发明为一种高透过率抗氧化碳化硅-二氧化硅/金刚石多层复合自支撑膜,属于化学气相沉积技术领域。该多层复合自支撑膜由SiC-SiO2复合层与金刚石膜依次交替叠加而成,且其上表面、下表面及侧面均为SiC-SiO2复合层。该多层复合自支撑膜在制备时先采用等离子体辅助化学气相沉积法在石墨基体表面制备SiC-SiO2复合层,再在SiC-SiO2复合层上沉积金刚石膜,如此反复交替制备,最后再将石墨基体氧化去除即可。本发明没有采用传统的金刚石表面涂层工艺,通过制备多层复合自支撑膜将金刚石的抗蚀能力和SiC-SiO2的抗氧化能力结合起来,改善了目前金刚石作为红外光学材料应用时存在的抗氧化能力差的问题。

    金刚石膜-铜复合散热片的制备方法

    公开(公告)号:CN108715997B

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201810580016.2

    申请日:2018-06-07

    摘要: 本发明为一种金刚石膜‑铜复合散热片的制备方法,解决了金刚石无法以高结合强度的膜层直接在铜表面沉积,而现有焊接法制备金刚石膜‑铜复合散热片时,对金刚石厚度要求高,且需要研磨抛光处理,操作复杂,生产周期长和成本高等问题。本发明通过在硅基片表面沉积金刚石薄膜,然后将金刚石膜/硅基片整体与铜进行钎焊,最后再去除硅基片,获得金刚石‑铜复合散热片。本发明沉积金刚石膜的厚度为50‑300μm即可满足散热片的制备及应用需求,同时不需要对金刚石膜进行抛光处理,能大幅降低散热片的制备周期和成本,同时操作也更加方便。此外,采用未抛光的金刚石直接进行焊接处理,有利于在金刚石膜和铜片间获得较高的焊接强度。

    金刚石膜-铜复合散热片的制备方法

    公开(公告)号:CN108715997A

    公开(公告)日:2018-10-30

    申请号:CN201810580016.2

    申请日:2018-06-07

    摘要: 本发明为一种金刚石膜-铜复合散热片的制备方法,解决了金刚石无法以高结合强度的膜层直接在铜表面沉积,而现有焊接法制备金刚石膜-铜复合散热片时,对金刚石厚度要求高,且需要研磨抛光处理,操作复杂,生产周期长和成本高等问题。本发明通过在硅基片表面沉积金刚石薄膜,然后将金刚石膜/硅基片整体与铜进行钎焊,最后再去除硅基片,获得金刚石-铜复合散热片。本发明沉积金刚石膜的厚度为50-300μm即可满足散热片的制备及应用需求,同时不需要对金刚石膜进行抛光处理,能大幅降低散热片的制备周期和成本,同时操作也更加方便。此外,采用未抛光的金刚石直接进行焊接处理,有利于在金刚石膜和铜片间获得较高的焊接强度。