制造由硅或硅基材料构成的结构化粒子的方法

    公开(公告)号:CN102239584B

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN200980148882.3

    申请日:2009-10-02

    Inventor: M·格林 F-M·刘

    CPC classification number: H01M4/134 C09K13/08 H01M4/049 H01M10/052 Y02E60/122

    Abstract: 本发明提供了蚀刻硅以形成柱体的方法,所述柱体可用作Li离子电池中的阳极材料;作为蚀刻程序的一部分,该方法包括将银沉积到硅上。被蚀刻的硅粒子显示在图1中。蚀刻硅之后存在的银可以通过用硝酸处理而除去。这种除去的银可以再循环,由此降低整个方法的成本。在一个实施方案中,该方法包括:用包含HF、Ag+离子和硝酸根离子的蚀刻溶液处理硅,例如颗粒或块状材料,由此蚀刻该硅以形成在其表面上具有蚀刻柱体的硅;该硅包括银的表面沉积物,将所述被蚀刻的硅与用过的蚀刻溶液分离,使用硝酸从所述被蚀刻的硅溶解银,以形成含有Ag+离子和硝酸根离子的溶液,将所述含有Ag+离子和硝酸根离子的溶液与另外的HF混合,以形成另外的蚀刻溶液,和使用所述另外的蚀刻溶液处理另外的硅。

    制造由硅或硅基材料构成的结构化粒子的方法

    公开(公告)号:CN102239584A

    公开(公告)日:2011-11-09

    申请号:CN200980148882.3

    申请日:2009-10-02

    Inventor: M·格林 F-M·刘

    CPC classification number: H01M4/134 C09K13/08 H01M4/049 H01M10/052 Y02E60/122

    Abstract: 本发明提供了蚀刻硅以形成柱体的方法,所述柱体可用作Li离子电池中的阳极材料;作为蚀刻程序的一部分,该方法包括将银沉积到硅上。被蚀刻的硅粒子显示在图1中。蚀刻硅之后存在的银可以通过用硝酸处理而除去。这种除去的银可以再循环,由此降低整个方法的成本。在一个实施方案中,该方法包括:-用包含HF、Ag+离子和硝酸根离子的蚀刻溶液处理硅,例如颗粒或块状材料,由此蚀刻该硅以形成在其表面上具有蚀刻柱体的硅;该硅包括银的表面沉积物,-将所述被蚀刻的硅与用过的蚀刻溶液分离,-使用硝酸从所述被蚀刻的硅溶解银,以形成含有Ag+离子和硝酸根离子的溶液,-将所述含有Ag+离子和硝酸根离子的溶液与另外的HF混合,以形成另外的蚀刻溶液,和-使用所述另外的蚀刻溶液处理另外的硅。

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