-
-
公开(公告)号:CN115443353A
公开(公告)日:2022-12-06
申请号:CN202180028189.3
申请日:2021-03-30
摘要: 本发明要解决的问题在于提供一种能够抑制在AlN层中产生裂纹的新颖技术。本发明是一种AlN衬底的制造方法,包括:降低SiC基底衬底(10)的强度的脆加工步骤(S10);和在SiC基底衬底(10)上形成AlN层(20)的晶体生长步骤(S20)。此外,本发明是一种抑制在AlN层(20)中产生裂纹的方法,包括:在SiC基底衬底(10)上形成AlN层(20)之前降低SiC基底衬底(10)的强度的脆加工步骤(S10)。
-
公开(公告)号:CN115398047A
公开(公告)日:2022-11-25
申请号:CN202180028216.7
申请日:2021-03-30
摘要: 本发明要解决的问题是提供一种能够抑制位错向氮化铝生长层引入的新颖技术。解决上述问题的本发明是一种氮化铝衬底的制造方法,包括去除碳化硅衬底的一部分并形成包含劣角的图案的加工步骤和在形成有所述图案的所述碳化硅衬底上形成氮化铝生长层的晶体生长步骤。此外,本发明是一种抑制位错向氮化铝生长层引入的方法,包括在碳化硅衬底上形成氮化铝生长层之前去除所述碳化硅衬底的一部分并形成包含劣角的图案的加工步骤。
-
公开(公告)号:CN115443352A
公开(公告)日:2022-12-06
申请号:CN202180028128.7
申请日:2021-03-30
摘要: 本发明要解决的问题在于提供一种能够制造大口径的AlN衬底的新颖技术。本发明涉及一种AlN衬底的制造方法,包括在具有贯通孔(11)的SiC基底衬底(10)上形成AlN层(20)的晶体生长步骤(S30)。此外,本发明还涉及一种形成AlN层(20)的方法,包括在SiC基底衬底(10)的表面上形成AlN层(20)之前在SiC基底衬底(10)上形成贯通孔(11)的贯通孔形成步骤(S10)。
-
公开(公告)号:CN115398604A
公开(公告)日:2022-11-25
申请号:CN202180028148.4
申请日:2021-03-30
IPC分类号: H01L21/324 , C30B33/02 , C30B33/04 , B23K26/382 , H01L21/268 , C30B29/38
摘要: 本发明要解决的问题是提供一种能够去除引入到氮化铝衬底中的应变层的新颖技术。本发明是一种氮化铝衬底的制造方法,其包括通过在氮气氛下对所述氮化铝衬底进行热处理而去除所述氮化铝衬底的应变层的应变层去除步骤。这样,本发明可以去除引入到氮化铝衬底中的应变层。
-
公开(公告)号:CN105474409B
公开(公告)日:2018-02-13
申请号:CN201480046204.7
申请日:2014-08-15
申请人: 东洋铝株式会社
IPC分类号: H01L31/0224 , H01B1/22
CPC分类号: H01B1/22 , H01L31/022425 , H01L31/028 , Y02E10/547
摘要: 本发明提供一种糊状组合物,以及具备使用该糊状组合物而形成的背面电极的太阳能电池元件,所述糊状组合物用于在硅半导体基板的背面上形成电极,其能够在增大开路电压的同时,抑制电流密度减小。该糊状组合物用于在构成晶体硅太阳能电池的硅半导体基板的背面上形成电极,该糊状组合物含有铝粉、Al‑B合金粉末、玻璃粉及有机载体。该糊状组合物中硼的浓度为0.005质量%以上且在0.05质量%以下。
-
公开(公告)号:CN107592944A
公开(公告)日:2018-01-16
申请号:CN201680025134.6
申请日:2016-04-26
申请人: 东洋铝株式会社
IPC分类号: H01L31/0224 , C03C8/18 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01L31/068
摘要: 本发明提供一种PERC型太阳能电池用铝膏组合物,其可赋予PERC型太阳能电池单元以高转换效率,同时对硅基板的密着性也优异,且即使在高温高湿环境下也能抑制电特性的降低及烧成后的空隙的产生。所述PERC型太阳能电池用铝膏组合物至少含有玻璃料作为构成成分。所述玻璃料不含有Pb及碱金属,而含有B2O3成分。
-
公开(公告)号:CN105474409A
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201480046204.7
申请日:2014-08-15
申请人: 东洋铝株式会社
IPC分类号: H01L31/0224 , H01B1/22
CPC分类号: H01B1/22 , H01L31/022425 , H01L31/028 , Y02E10/547
摘要: 本发明提供一种糊状组合物,以及具备使用该糊状组合物而形成的背面电极的太阳能电池元件,所述糊状组合物用于在硅半导体基板的背面上形成电极,其能够在增大开路电压的同时,抑制电流密度减小。该糊状组合物用于在构成晶体硅太阳能电池的硅半导体基板的背面上形成电极,该糊状组合物含有铝粉、Al-B合金粉末、玻璃粉及有机载体。该糊状组合物中硼的浓度为0.005质量%以上且在0.05质量%以下。
-
公开(公告)号:CN107592944B
公开(公告)日:2019-11-29
申请号:CN201680025134.6
申请日:2016-04-26
申请人: 东洋铝株式会社
IPC分类号: H01L31/0224 , C03C8/18 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01L31/068
摘要: 本发明提供一种PERC型太阳能电池用铝膏组合物,其可赋予PERC型太阳能电池单元以高转换效率,同时对硅基板的密着性也优异,且即使在高温高湿环境下也能抑制电特性的降低及烧成后的空隙的产生。所述PERC型太阳能电池用铝膏组合物至少含有玻璃料作为构成成分。所述玻璃料不含有Pb及碱金属,而含有B2O3成分。
-
-
-
-
-
-
-
-