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    SiC衬底的制造方法及其制造装置和减少SiC衬底的宏观台阶聚束的方法
    2.
    发明授权
    SiC衬底的制造方法及其制造装置和减少SiC衬底的宏观台阶聚束的方法 有权

    公开(公告)号：CN114207195B

    公开(公告)日：2024-09-13

    申请号：CN202080018847.6

    申请日：2020-03-03

    申请人： 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

    发明人： 金子忠昭 ,  吉田奈都纪 ,  青木一史

    IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B33/12

    摘要： 本发明要解决的问题是提供一种抑制了宏观台阶聚束的形成的SiC衬底的制造方法及其制造装置。本发明的特征在于包括：主体容器(20)，能够收纳SiC衬底(10)，并且通过加热在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压；以及加热炉(30)，收纳所述主体容器(20)并进行加热，使得在内部空间中产生包含Si元素的气相物种的蒸气压并形成温度梯度，其中，所述主体容器(20)具有：蚀刻空间(S1)，在将所述SiC衬底(10)配置在所述温度梯度的高温侧的状态下，使配置在所述温度梯度的低温侧的所述主体容器(20)的一部分和所述SiC衬底(10)相对而形成；以及Si蒸气供给源(25)，能够将Si蒸气供给到所述主体容器(20)内。

    SiC衬底的制造方法及其制造装置
    4.
    发明授权
    SiC衬底的制造方法及其制造装置 有权

    公开(公告)号：CN114174567B

    公开(公告)日：2023-12-15

    申请号：CN202080018853.1

    申请日：2020-03-03

    申请人： 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

    发明人： 金子忠昭 ,  吉田奈都纪 ,  青木一史

    IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  C30B33/02 ,  C30B33/12

    摘要： 本发明要解决的问题是提供一种制造基底衬底层较薄的SiC衬底并可抑制其变形或破损的SiC衬底的制造方法及其制造装置。本发明的特征在于包括：主体容器(20)，能够收纳SiC基底衬底(10)，并且通过加热在内部空间中产生包含Si元素的气相物种和包含C元素的气相物种的蒸气压；以及加热炉(30)，收纳所述主体容器(20)，并进行加热以使得在内部空间中产生包含Si元素的气相物种的蒸气压和形成温度梯度。其中，所述主体容器(20)具有在所述SiC基底衬底(10)的一面形成生长层(11)的生长空间(S1)和对所述SiC基底衬底(10)的另一面进行蚀刻的蚀刻空间(S2)。

    碳化硅衬底的评价方法
    5.
    发明公开
    碳化硅衬底的评价方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN116391064A

    公开(公告)日：2023-07-04

    申请号：CN202180069677.9

    申请日：2021-10-27

    申请人： 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

    发明人： 金子忠昭 ,  堂岛大地

    IPC分类号： C30B29/36

    摘要： 本发明要解决的问题在于提供一种适合于大口径的SiC衬底的评价的新颖的评价方法。本发明是一种SiC衬底的评价方法，其特征在于，包括以相对于SiC衬底(10)的{0001}面的法线N倾斜的入射角度θ入射电子射线PE来取得图像I的图像取得步骤，所述入射角度θ为10°以下。

    SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭及它们的制造方法
    6.
    发明公开
    SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭及它们的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN114375351A

    公开(公告)日：2022-04-19

    申请号：CN202080055201.5

    申请日：2020-08-05

    申请人： 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

    发明人： 金子忠昭

    IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B33/02 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

    摘要： 本发明所要解决的技术问题是提供一种能够实现高品质的SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭的新颖技术。本发明是一种SiC衬底(11)的制造方法，其具有对SiC原衬底(10)进行热处理的热处理步骤(S1)，热处理步骤(S1)包括下述(a)、(b)、(c)步骤中的两个以上的步骤：(a)去除SiC原衬底(10)的应变层(101)的应变层去除步骤(S11)；(b)去除SiC原衬底(10)上的宏观台阶聚束(MSB)的聚束去除步骤(S12)；(c)在SiC原衬底(10)上形成减少了基底面位错(BPD)的生长层(105)的基底面位错减少步骤(S13)。

    SiC衬底的制造方法
    7.
    发明公开
    SiC衬底的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN114342045A

    公开(公告)日：2022-04-12

    申请号：CN202080055175.6

    申请日：2020-08-05

    申请人： 学校法人关西学院 ,  丰田通商株式会社

    发明人： 金子忠昭 ,  小岛清

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/78 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B33/12

    摘要： 本发明所要解决的技术问题是提供一种新颖的SiC衬底的制造方法。根据本发明的SiC衬底的制造方法的特征在于包括：蚀刻步骤(S10)，蚀刻SiC原衬底(10)；晶体生长步骤(S20)，在SiC原衬底(10)上使SiC衬底层(13)生长来获得SiC衬底体(20)；以及剥离步骤(S30)，剥离SiC衬底体(20)的一部分来获得SiC衬底(30)，蚀刻步骤(S10)和晶体生长步骤(S20)是将SiC原衬底(10)和SiC材料(40)对置并进行加热使得在SiC原衬底(10)和SiC材料(40)之间形成温度梯度的步骤。