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公开(公告)号：CN114280631B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202111601669.2
申请日：2021-12-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种硅片BMD辅助定位装置及硅片BMD的测量方法，包括固定夹具、定位板，所述固定夹具包括夹紧组件、架体，所述夹紧组件一端与所述架体的一侧滑动连接，所述夹紧组件的另一端与所述架体的另一侧接触，所述架体能够沿所述定位板滑动，本发明通过硅片BMD辅助定位装置，将硅片的解理面对准定位板，然后通过夹紧组件将硅片夹紧，将架体翻转180°，再将定位板移开，以将硅片的解理面对准显微镜，使得显微镜在计数时，因为硅片始终保持水平，在显微镜观察BMD数目时，显微镜只需进行一次调整，便可使显微镜观察的区域均清晰，进而针对同一深度时，BMD计数时更加准确。
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公开(公告)号：CN114280631A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111601669.2
申请日：2021-12-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种硅片BMD辅助定位装置及硅片BMD的测量方法，包括固定夹具、定位板，所述固定夹具包括夹紧组件、架体，所述夹紧组件一端与所述架体的一侧滑动连接，所述夹紧组件的另一端与所述架体的另一侧接触，所述架体能够沿所述定位板滑动，本发明通过硅片BMD辅助定位装置，将硅片的解理面对准定位板，然后通过夹紧组件将硅片夹紧，将架体翻转180°，再将定位板移开，以将硅片的解理面对准显微镜，使得显微镜在计数时，因为硅片始终保持水平，在显微镜观察BMD数目时，显微镜只需进行一次调整，便可使显微镜观察的区域均清晰，进而针对同一深度时，BMD计数时更加准确。
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公开(公告)号：CN114280078A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111586944.8
申请日：2021-12-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: G01N21/956 , G01N21/01 , H01L21/66
Abstract: 单晶硅体内BMD的批量评价方法，选取不同氧含量的数个原始硅片；对数个原始硅片分别进行FTIR检测，获得每一原始硅片中心间隙氧的起始值；对每一个原始硅片采用相同的热处理工艺处理，得到处理硅片；对数个处理硅片分别进行FTIR检测，获得每一处理硅片中心间隙氧的剩余值；对数个处理硅片分别进行BMD检测，获得每一个处理硅片的BMD数值；对上述获得的中心间隙氧的起始值、中心间隙氧的剩余值、BMD数值的数据进行线性拟合，获得BMD个数与中心间隙氧的变化值的相关性公式，将待测试硅片通过FTIR检测待测试硅片的间隙氧的变化量，将间隙氧的变化量放入相关性公式中，得到BMD的数目。
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公开(公告)号：CN114280072A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111586949.0
申请日：2021-12-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种单晶硅体内BMD的检测方法，包括预处理步骤，所述预处理步骤具体为：将原始硅片以第一预定升温速率加热至第一预定温度，通入第一预定气体，反应第一预定时间，进行预处理，得到有致密薄膜的原始硅片，以隔绝原始硅片内部间隙氧元素、空位向外扩散的途径；通过对硅片进行预处理阻止硅片内部间隙氧元素、空位向外扩散，并且使硅片内部空位、间隙氧扩散均匀，进而在热处理时在硅片内部生成均匀的BMD，因为硅片内部的BMD分布均匀，使得硅片在显微镜下进行BMD计数时不会因为密度区域选取而存在误差，从而BMD的检测数量更精确。
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公开(公告)号：CN118685850B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202410762951.6
申请日：2024-06-13
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低硅单晶氧含量的装置及方法，属于单晶硅生产技术领域，包括：单晶炉，单晶炉内部设置有坩埚；热屏，热屏设置在坩埚的上方，热屏包括上段热屏和下段热屏，上段热屏包括倾斜段和竖直段，下段热屏包括下段外侧和下段内侧，下段外侧与竖直段连接，且下段外侧倾斜设置，以增大熔体表面氧元素的挥发量；石墨中轴，石墨中轴设置在坩埚的下方，石墨中轴中心设置有合金中轴，合金中轴下方安装有升降装置，且合金中轴内部通入有冷却水，以在拉晶过程中通过升降装置控制合金中轴的位置，来控制坩埚的温度，减少氧元素的产生。本发明通过改进热屏及中轴的结构，在保证大尺寸单晶硅长晶稳定的情况下，将单晶硅棒中的氧含量控制在5ppma以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118771605A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411038764.X
申请日：2024-07-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC: C02F3/30 , C02F9/00 , C02F1/00 , C02F1/52 , C02F1/66 , C02F1/56 , C02F101/14 , C02F101/30 , C02F101/38 , C02F103/34
Abstract: 本发明提供一种利用生化系统降低氢氟酸系统排水中总氮的方法，涉及硅片清洗废水处理技术领域，将含氟废水进行水解酸化，以将含氟废水中的有机物断链，降低COD，得到第一处理废水；将第一处理废水进行接触氧化，控制溶解氧含量，得到第二处理废水，将第二处理废水进行沉淀，泥水分离后，废水外排，回流污泥回用至S1步骤；通过水解酸化及接触氧化步骤使得好氧过成中将有机氮转化为硝酸盐氮或亚硝酸盐氮，在缺氧或厌氧状况下硝酸盐氮或亚硝酸盐氮将转化为氮气排出水体，从而实现脱氮，以使废水总氮量为40mg/L以下，使得废水排放达标。
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公开(公告)号：CN118372380A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410373657.6
申请日：2024-03-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于电阻率的硅单晶晶棒分段方法，涉及单晶晶棒加工技术领域，包括步骤1：获取历史中对硅单晶晶棒进行分段的晶棒历史数据；其中，晶棒历史数据包括：晶棒长度、晶棒头尾部电阻率和晶棒分段后各段的头部电阻率和尾部电阻率；步骤2：对晶棒历史数据进行处理，得到针对各电阻率区间的电阻率分布关系；步骤3：根据对待分段硅单晶晶棒目标电阻率区间的要求，利用对应该目标电阻率区间的电阻率分布关系，确定待分段硅单晶晶棒中满足目标电阻率区间要求的目标长度区间；步骤4：按照目标长度区间进行切割分段，得到满足目标电阻率区间要求的硅单晶晶棒。本方案能够提高晶棒分段的准确性，且能够减少资源的浪费。
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公开(公告)号：CN117626413A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311631502.X
申请日：2023-11-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种单晶生长过程中固液界面形状的调整方法，属于晶体生长技术领域，本发明通过根据产品需求参数和热场条件，确定出拉晶预调整工艺参数的上下限范围，在该上下限范围内设定不同值进行拉晶试验，然后对拉制的试验晶棒进行取样检测得到固液界面形状，基于各设定值与其对应的固液界面形状，建立该拉晶预调整工艺参数与固液界面形状的变化关系，然后基于这种变化关系在单晶生长过程中调整该工艺参数，进而调整固液界面形状，以减小固液界面形状变化对单晶硅径向性质平均性的影响，提高晶体径向性质的均匀性，并更好的调控晶体缺陷的面内分布，得到高品质、高均匀性的单晶产品。
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公开(公告)号：CN114561699A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210078574.5
申请日：2022-01-24
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 , 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种直拉硅单晶增氧的控制系统及方法，包括壳体，所述壳体固定连接有第一电机，所述第一电机连接有齿轮组件，所述第一电机输出侧靠近齿轮组件端连接有驱动机构，所述齿轮组件侧端连接有从动轴，所述从动轴上端固定连接有盛放壳，所述从动轴连接有第二皮带轮组件，所述第二皮带轮组件连接有清洁杆，所述壳体固定连接有抽气机，所述壳体固定连接有涡流室，所述涡流室固定连接有冷气管，本发明涉及直拉单晶硅生产技术领域。该直拉硅单晶增氧的控制系统及方法，冷气经管道经波纹管将冷气连接杆导至分离件端，在冷气的作用下，转板顶起，冷气经转板所展开的注气槽及滤板排放至石英坩埚底端，石英坩埚遇冷收缩。
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公开(公告)号：CN114217191A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202210165177.1
申请日：2022-02-23
Applicant: 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 , 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统及方法，包括测试台，所述测试台上端设置有测试工装，所述测试工装包括安装于测试台上的托盘，所述托盘上设置有放置筒，所述放置筒内设置有推动组件，所述推动组件上设置有按压机构，所述按压机构上设置有卡接机构；本发明涉及硅单晶氧化膜技术领域。该抑制硅单晶氧化膜绝缘耐压低下的控制系统及方法，通过设置的按压机构，使得一排待测产品全部脱离与导电层的接触即可排除不合格的产品，通过设置的推动组件，操作控制杆使待测产品逐个脱离与导电层的接触，不合产品脱离与导电层的接触后，绝缘耐压仪即可检测出合格的信号，从而可以迅速排除不合格产品。
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