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公开(公告)号：CN116555895A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310590748.0
申请日：2023-05-24
申请人： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 , 北方民族大学
摘要： 本发明提供了一种用于轻掺磷多根拉制单晶硅棒掺杂量的计算方法，属于直拉单晶硅生产技术领域，该方法考虑到多根拉制时磷母合金与需求阻值的硅熔体中的杂质含量并不对等，需求阻值的硅熔体中的杂质含量偏大的实际情况，提出了新的计算公式，在计算单根之后拉制的硅棒的掺杂量时，以向坩埚内补加的硅料量及补加后的硅熔体中杂质浓度为主进行掺杂量的计算，得到的掺杂量准确性较高，提高了的掺杂量的计算准确性，进而提高了硅棒头部电阻率的打靶准确性。
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公开(公告)号：CN116555897A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310594940.7
申请日：2023-05-24
申请人： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 , 北方民族大学
摘要： 本发明提供一种基于功率拉晶的晶体直径控制方法，属于半导体晶体制造技术领域，包括以下步骤：S1：在PLC控制模块内将晶体拉速偏差范围设定为±0.01mm/min以内，并设定晶体直径、晶体直径偏差范围、加热器功率及上述参数对应的动作判断条件；S2：通过相机采集晶体直径信号并将晶体直径信号反馈至PLC控制模块，PLC控制模块将晶体实时直径与晶体设定直径比较，根据判断结果采用ADC1控制模式来调整晶体拉速和加热器功率；S3：PLC控制模块通过计算晶体直径偏差并判断晶体直径偏差是否在设定的晶体直径偏差范围内，根据判断结果决定是否启用判断干预模式以控制功率的增加或降低，采用该方法可以使拉速偏差达到±0.01mm/min以内时，直径偏差仍控制在±1.0mm之内。
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公开(公告)号：CN117107352A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310923647.0
申请日：2023-07-26
申请人： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要： 一种降低硅单晶拉制过程中微缺陷形成的装置及安装方法，该装置包括降温部件、法兰和辅助降温组件；降温部件包括内筒和外筒，内筒的中间为空心结构，用于在硅单晶拉制过程中通过硅单晶，内筒的上端与法兰固定；外筒密封包裹在内筒的外表面，外筒的上端与法兰的下表面固定，外筒和内筒之间的密封空间内设置有水道，该水道的进水口和出水口分别正对设置于外筒两侧；辅助降温组件包裹在降温部件的外表面上，且降温部件的外表面与该辅助降温组件的内表面之间存在间隙，该辅助降温组件上设置有若干个气体导向孔，用于在单晶硅拉制过程中氩气通过气体导向孔吹向降温部件的外表面。本方案能够降低单晶硅中缺陷的含量，从而提高拉制的单晶硅的质量。
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公开(公告)号：CN117516252A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311683992.8
申请日：2023-12-07
申请人： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC分类号： F28F25/00 , F28F27/00 , F25D31/00 , C02F1/66 , C02F103/02
摘要： 一种冷却塔用节水系统和方法，该系统包括储水箱、补水箱、冷却装置、增压泵、PH调节装置和输水管路；储水箱的入口与冷却塔的排污口连通，出口与输水补水箱的入口连通，储水箱中的出口位置设置有高液位开关，用于在储水箱中的液位达到预设液位阈值时开启；补水箱的出口与增压泵的一端连通，另一端与PH调节装置的入口连通，用于抽取补水箱中的冷却水输送至PH调节装置；PH调节装置的出口与冷却塔的补水口连通，用于将PH调节装置中PH值调节合格的冷却水输送至冷却塔；冷却装置设置于储水箱和补水箱附近，用于对储水箱和补水箱中的冷却水进行降温；具有连通关系的各设备之间通过输水管路连通。本方案能够提高冷却水的利用率，减少水资源的浪费。
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公开(公告)号：CN116764337A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310772064.2
申请日：2023-06-27
申请人： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要： 一种真空泵前置除尘装置，包括分离仓、引流分离机构；分离仓为内部中空且内径从上至下逐渐增大的筒体，分离仓的内壁上设有集尘板，分离仓的上端设有盖板，分离仓的顶部设有与分离仓内部连通的第一管道，分离仓的下端设有集尘室，在集尘室的底部设有与分离仓内部连通的第二管道，集尘室的底部还设有与分离仓连通的第三管道；引流分离机构沿分离仓的轴线纵向可转动的设置于分离仓的内部，引流分离机构的下端正对第二管道的出口端。本发明可实现分离仓的自动清洁、以及化合物颗粒的自动回收；在此过程中，无需人工再对分离仓进行清理，不仅清理程序简单，而且降低劳动强度、提高了工作效率。本发明还提供了一种单晶炉。
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公开(公告)号：CN117535784A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311506894.7
申请日：2023-11-13
申请人： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06 , G16C60/00 , G06F30/23 , G06F111/10 , G06F119/08
摘要： 一种降低200mm半导体级单晶硅缺陷的拉晶方法，该方法包括以下步骤：步骤1：设计至少两种用于对200mm半导体级单晶硅进行拉制的热场，得到对应各热场的热场参数；步骤2：分别针对设计的每个热场，利用各热场的热场参数进行仿真模拟，得到仿真模拟结果；步骤3：对各热场的仿真模拟结果进行综合分析，从设计的至少两种热场中筛选出拉制200mm半导体级单晶硅时产生缺陷最少的最优热场；步骤4：按照最优热场的参数在单晶炉中进行热场部署，并进行200mm半导体级单晶硅的拉制。本方案能够节省拉晶时间和实验成本，同时能够大大降低半导体单晶硅中的缺陷。
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公开(公告)号：CN116971024A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310952348.X
申请日：2023-07-31
申请人： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开一种二次加料系统，包括单晶炉和二次加料装置，所述二次加料装置包括加料筒、提拉杆和石英锥，单晶炉包括主炉室和副炉室，石英锥通过提拉杆的提升后封堵在加料筒的下端口，升降籽晶提拉绳使二次加料装置完全进入副炉室内，隔离阀包括壳体和安装在壳体内的隔离板，自壳体的上法兰自壳体的下法兰之间设置腔体，腔体的内壁上设置内凸缘，内凸缘上设置密封圈安装槽，密封圈安装槽的上端开口宽度小于密封圈安装槽的中部的宽度，密封圈安装在密封圈安装槽内，通过开口缩小的密封圈安装槽将密封圈固定防止在二次加料的过程中因隔离板转动打开过程中气流不稳定而出现掉落的情况。本发明还公开一种使用上述二次加料系统的二次加料方法。
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公开(公告)号：CN116607206A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310338426.7
申请日：2023-03-31
申请人： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要： 一种等径过程中的温度补偿方法，包括：从数据库中获取至少两炉等径过程中的温度数据；其中温度数据由若干组等径过程中晶体长度与其所对应的温度值构成；针对每一炉温度数据，计算温度数据中各温度值对应的补温参数；利用各炉的补温参数计算各预定晶体长度所对应的补温设定参数；将补温设定参数导入单晶炉的系统中，以实现对单晶在等径过程中的温度补偿。本方案采用的数据量更多，数据覆盖面也大，从而得到的温度补偿数据更加可靠，对于晶体的正常生长也更加有利，而且在计算出补温设定参数后，可以直接导入单晶炉的系统中，不需要人工处理，可以节省大量的时间和人力。
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公开(公告)号：CN116572410A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310771039.2
申请日：2023-06-27
申请人： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供控制多线切割控制切割硅片形貌的方法，涉及切割硅片的控制方法技术领域，通过在主辊的轴向设置第二水冷腔，在机架上开设第一水冷腔，并通过监测部监测主辊、机架的膨胀量在第二水冷腔、第一水冷腔内通入第二预定温度曲线、第一温度曲线的冷水，并配合砂浆液的温度曲线，防止由于晶锭受热膨胀引起的位置偏差和主辊的位移偏差形成相对位移导致切割硅片产生较大的形貌变量，以及正负补偿由于机架膨胀导致晶锭在不同切割区域的膨胀状况，使得整个切割过程的形状可控，进而提高硅片的平坦度，使硅片NT 10*10、NT 2*2的降低，进而nano提高，从而使硅片warp值整体降低区域平坦，硅片质量更好。
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公开(公告)号：CN117038428A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310724899.0
申请日：2023-06-19
申请人： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324
摘要： 一种改善硅片电阻率性能的预处理方法，包括步骤1：利用研磨机对硅片表面进行打磨，以使硅片表面平整；步骤2：将打磨好的硅片浸没在预先制备的碱腐蚀液中进行碱洗；步骤3：将碱洗后的硅片浸没在预先制备的混酸溶液中进行第一次酸洗；步骤4：对酸洗后的硅片进行氧化热处理和快速冷却，以去除硅片中的热施主；步骤5：将冷却后的硅片通过混酸溶液进行第二次酸洗，得到用于进行电阻率性能测试的硅片。本方案能够提高硅片的电阻率稳定性，并能够通过去热施主的方式还原出硅片的真实电阻率，提高硅片电阻率检测的准确性。
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