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公开(公告)号：CN111001577A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911251156.6
申请日：2019-12-09
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种碎硅料处理方法，属于原材料处理技术领域。所述方法包括：利用自动筛选机的非金属筛网筛选出目标直径的硅料；将筛选出的目标直径的硅料经过磁选机磁选；将磁选后的硅料加入配制好的硝酸、氢氟酸混合溶液中酸洗；将酸洗后的硅料进行超声波清洗；将超声波清洗后的硅料甩干并烘干。本发明提高了碎硅料品质和硅料利用率，工作效率高，最终实现了效益创收。
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公开(公告)号：CN114457412A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210071762.5
申请日：2022-01-21
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
摘要： 本发明属于单晶硅制备技术领域，具体公开了一种废弃硅料再利用方法，包括：S10，对所述废弃硅料进行预处理；S20，通过直拉法将预处理后的所述废弃硅料拉制成棒状预备料；S30，将所述棒状预备料进行破碎处理，筛选出粒径符合预设目标的硅料；S40，将筛选出的所述硅料与常规硅料混合，制备单晶硅棒。本方案实现了废弃硅料的再利用，不仅能够保证拉制单晶硅棒的品质，而且可以节约硅料成本，在目前硅料价格远远大于废弃硅粉料的处理成本的情况下，通过本方案可以节省单晶硅棒的制造成本，提高企业利润，具有很好的实用性。
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公开(公告)号：CN111069095A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911410570.7
申请日：2019-12-31
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅料筛选装置，包括给料箱、硅料筛选带、传输振动器、电路控制器、抓取装置和收料箱，所述给料箱出料端与所述硅料筛选带一端承接，所述传输振动器安装于所述硅料筛选带下方，所述抓取装置安装于所述硅料筛选带上方，所述硅料筛选带另一端与所述收料箱进料端承接，沿所述硅料筛选带的传输方向平行设置有具有预定间距的多个金属条，所述多个金属条与所述电路控制器相连，使得所述多个金属条间形成多个通电电路，所述电路控制器包括电路检测模块，所述抓取装置与所述电路检测模块联动，使得所述抓取装置根据电路检测结果和预设定位程序进行抓取操作。
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公开(公告)号：CN110965121A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911403765.9
申请日：2019-12-31
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种低衰减多晶硅及其制备方法。该多晶硅包括：硼元素和镓元素，其中所述硼元素的浓度为0.93～1.05×1017原子数/立方厘米，镓元素的浓度为1.42～1.66×1017原子数/立方厘米。本发明提供的低衰减多晶硅同时掺杂硼元素和镓元素，并具有合理的掺杂浓度，相较于硼元素作为受主杂质的多晶硅，降低了光衰减对多晶硅性能的影响，相较于镓元素作为受主杂质的多晶硅，使得多晶硅的电阻区间更窄，更均匀。
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公开(公告)号：CN110923807B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911410265.8
申请日：2019-12-31
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
摘要： 本发明公开一种提高单晶硅品质的热场及方法。热场包括石英坩埚以及同轴等径设置的主加热器和副加热器，主加热器相对于石英坩埚的中上部设置，由若干个等长的主加热瓣环设而成；副加热器相对于石英坩埚的下部设置，由若干个等长的副加热瓣环设而成，主加热器和副加热器的表面还喷涂有用以避免碳挥发的耐高温水基纳米涂层。方法包括采用前述热场生产单晶硅，包括清洁多晶硅料、清炉、装料、化料、二次加料、引颈、放肩、等径、收尾和提出的步骤。本发明提供的热场可以减少热对流，降低单晶硅中单晶氧元素等杂质的含量，由该方法制得的单晶硅中氧、碳、金属等杂质含量少，用于生产电池片时，可以有效提高电池的效率，降低电池片的衰减。
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公开(公告)号：CN110923807A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911410265.8
申请日：2019-12-31
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
摘要： 本发明公开一种提高单晶硅品质的热场及方法。热场包括石英坩埚以及同轴等径设置的主加热器和副加热器，主加热器相对于石英坩埚的中上部设置，由若干个等长的主加热瓣环设而成；副加热器相对于石英坩埚的下部设置，由若干个等长的副加热瓣环设而成，主加热器和副加热器的表面还喷涂有用以避免碳挥发的耐高温水基纳米涂层。方法包括采用前述热场生产单晶硅，包括清洁多晶硅料、清炉、装料、化料、二次加料、引颈、放肩、等径、收尾和提出的步骤。本发明提供的热场可以减少热对流，降低单晶硅中单晶氧元素等杂质的含量，由该方法制得的单晶硅中氧、碳、金属等杂质含量少，用于生产电池片时，可以有效提高电池的效率，降低电池片的衰减。
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公开(公告)号：CN113862783A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111061608.1
申请日：2021-09-10
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
摘要： 本申请涉及单晶硅技术领域，具体公开了一种单晶硅制备方法，包括以下步骤：对拆炉后的热场进行清扫和首次除杂；安装首次除杂后的热场；对安装后的热场进行二次除杂；将硅料装填到单晶炉内，然后加热融化形成硅熔体；将籽晶预热，待硅熔体达到引颈温度后将籽晶浸入硅熔体中并提拉籽晶进行引颈生长；待引颈生长结束后进行放肩和转肩，然后进入等径生长；待等径生长结束后进行收尾；待收尾结束后提断，冷却后取出单晶硅棒。通过对热场进行二次除杂，避免了热场安装后的二次污染，提升了拉制首棒(第一棒)一次成晶率。
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公开(公告)号：CN111069095B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201911410570.7
申请日：2019-12-31
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种硅料筛选装置，包括给料箱、硅料筛选带、传输振动器、电路控制器、抓取装置和收料箱，所述给料箱出料端与所述硅料筛选带一端承接，所述传输振动器安装于所述硅料筛选带下方，所述抓取装置安装于所述硅料筛选带上方，所述硅料筛选带另一端与所述收料箱进料端承接，沿所述硅料筛选带的传输方向平行设置有具有预定间距的多个金属条，所述多个金属条与所述电路控制器相连，使得所述多个金属条间形成多个通电电路，所述电路控制器包括电路检测模块，所述抓取装置与所述电路检测模块联动，使得所述抓取装置根据电路检测结果和预设定位程序进行抓取操作。
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公开(公告)号：CN112725880A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011517912.8
申请日：2020-12-21
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
摘要： 本发明公开一种加料装置，包括钼杆、石英锥和护罩，钼杆的一端具有头部；石英锥内开设有轴向贯通设置的安装槽，所述安装槽包括由锥顶到锥底依次设置的第一安装槽和第二安装槽，所述第一安装槽与所述钼杆相适配，所述第二安装槽与所述头部相适配，所述钼杆穿设过所述第一安装槽向上延伸，并通过所述头部限位于所述第二安装槽中；护罩可拆卸地安装在所述石英锥的锥底，以将所述头部封堵于所述石英锥内部。本发明提供的加料装置中钼杆的头部不会被高温硅料氧化，也不会发生掉屑污染硅料的情况，可大大降低对硅料的污染，提升单晶硅的品质。
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公开(公告)号：CN114134560A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111281502.2
申请日：2021-11-01
申请人： 宁晋晶兴电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种向导流筒的容纳腔填充保温毡的方法以及导流筒，涉及单晶炉技术领域。其包括以下步骤：步骤S1：获取容纳腔模型；步骤S2：从所述容纳腔模型的外边缘向所述容纳腔模型的内边缘，沿垂直于所述容纳腔模型的外边缘的方向，将所述容纳腔模型划分为多个环形层，步骤S3：制备与每个所述环形层对应的保温毡层；步骤S4：将多个所述保温毡层按照多个所述环形层的顺序填充至所述容纳腔中。本发明提供的一种向导流筒的容纳腔填充保温毡的方法以及导流筒，能够解决单晶炉内筒体日益升级而相应保温材料不到位的问题，具有保温效果理想，制作简单、迅速、准确的优点。
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