公开(公告)号：CN104253022B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201410290791.6

申请日：2014-06-25

申请人： 安世有限公司

发明人： 迈克尔·因赞特 ,  奥拉夫·温尼克 ,  克劳斯·莱曼

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L23/60 ,  H01J9/025 ,  H01L21/74 ,  H01L21/76205 ,  H01L27/0288 ,  H01L29/0615 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提出了一种电场间隙器件及其制造方法。在一组沟道的侧壁周围对衬底材料进行氧化。屏蔽结构意味着在顶部比底部存在更多的氧化物生长，结果是沟道之间的未氧化衬底材料区域形成了在顶部具有尖顶尖端的锥形形状。这些尖顶衬底区域然后用于形成阴极。

公开(公告)号：CN105006413B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201510199715.9

申请日：2015-04-23

申请人： 安世有限公司

发明人： 克劳斯·莱曼 ,  奥拉夫·温尼克 ,  迈克尔·安托万·阿曼德·因赞德

IPC分类号： H01J9/12

CPC分类号： H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J1/308 ,  H01J9/24 ,  H01J19/24 ,  H01J19/54 ,  H01J21/04 ,  H01L27/0248

摘要： 用于形成静电放电装置的场致发射二极管的方法的实施例包括形成第一电极、牺牲层和第二电极。所述牺牲层隔开所述第一电极和第二电极。所述方法还包括通过去除所述牺牲层，在所述第一电极和第二电极之间形成腔体。所述腔体隔开所述第一电极和第二电极。所述方法还包括：在形成所述第一电极和第二电极之后，通过至少一个进入孔在至少所述第一电极和第二电极之一上沉积电子发射材料。所述进入孔远离所述第一电极和第二电极上的电子发射位置。

公开(公告)号：CN104253021B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201410276234.9

申请日：2014-06-19

申请人： 安世有限公司

发明人： 迈克尔·安东尼·阿曼德·因赞特 ,  克劳斯·莱曼 ,  奥拉夫·温尼克

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/02

CPC分类号： H02H9/06 ,  H01J9/025 ,  H01J9/18 ,  H01L23/60 ,  H01L27/0288 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种形成电场间隙器件的方法，例如横向场致发射ESD保护结构，其中在介电层之间形成有阴极层。形成有阳极沟道，并衬有牺牲介电层。在阳极沟道内形成有导电的阳极柱，随后阳极柱附近的牺牲介电层被蚀刻掉。刻蚀留下了阴极层的悬空部分，其定义了至相邻的阳极柱之间的横向间隙。这一部分具有由阴极层的角部定义的尖的端部表面，由于横向间隙与牺牲介电层的厚度相应，因而可以被精准地定义。