公开(公告)号：CN103887334B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201310706281.8

申请日：2013-12-19

申请人： 安世有限公司

发明人： 雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克 ,  斯 ,  杰伦·克龙 ,  约翰尼斯·唐克斯 ,  斯蒂芬·海尔 ,  简·雄斯基

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/475 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： GaN异质结结构具有三层电介质结构。栅电极的底部和中部一起限定了栅脚，并且与两个电介质层相关联。较薄的第一电介质与栅电极底部处的栅极边缘相邻。第二电介质层与传统结构中的层相对应，并且第二电介质层与栅脚的主要部分齐平。

公开(公告)号：CN103390639B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201310167053.8

申请日：2013-05-08

申请人： 安世有限公司

发明人： 约翰尼斯·唐克斯 ,  斯蒂芬·海尔 ,  罗曼恩·德尔侯恩 ,  汉·布鲁克曼

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66431

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底(10)、在所述衬底上的至少一个半导体层(12)，以及在所述至少一个半导体层上的欧姆接触(20)，所述半导体层包括第13族元素氮化物，所述欧姆接触包括在所述至少一个半导体层上的含硅部分(22)以及与所述含硅部分相邻并且在其上方延伸的金属部分(24)，所述金属部分包括钛和另一种金属。本发明还公开了一种制造这种半导体器件的方法。