公开(公告)号：CN107978600A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710078633.8

申请日：2017-02-14

申请人： 力旺电子股份有限公司

发明人： 陈冠勋 ,  罗明山 ,  苏婷婷

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11524

CPC分类号： G11C16/14 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/10 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7885

摘要： 本发明公开了一种单层多晶硅非易失性存储单元，包含选择晶体管及串接选择晶体管的浮置栅极晶体管。选择晶体管包含一选择栅极、一选择栅极氧化层、一源极掺杂区、一第一轻掺杂漏极区，接合源极掺杂区、一共享掺杂区，以及一第二轻掺杂漏极区，接合共享掺杂区。浮置栅极晶体管包含一浮置栅极、一浮置栅极氧化层、共享掺杂区、一第三轻掺杂漏极区，接合共享掺杂区，以及一漏极掺杂区，与共享掺杂区间隔开。一漏极侧延伸修正区，位于浮置栅极晶体管的一间隙壁下方，且接近漏极掺杂区。

公开(公告)号：CN104867969B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201510175983.7

申请日：2009-02-27

申请人： 日产自动车株式会社

发明人： 谷本智 ,  桐谷范彦 ,  牧野俊晴 ,  小仓政彦 ,  德田规夫 ,  加藤宙光 ,  大串秀世 ,  山崎聪

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L29/872

摘要： 在接合元件中，通过在半导体层内形成耗尽层，在正向施加电压时存在于电极层的电子无法移动到半导体层。因此，半导体层的大多数空穴不会与半导体层内的传导电子重新结合而消失，而是扩散到半导体层并到达电极层。由此，能够不受电阻值的影响，对空穴发挥良导体的作用，能够流过与由Si、SiC半导体形成的半导体元件相同或者以上的电流。本发明能够适用于金刚石、氧化锌、氮化铝、氮化硼等施主能级和受主能级中的至少一方位于与对应于动作温度的热激发能相比足够深的位置处的所有半导体材料。另外，即使如硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓、锗等那样在室温下具有较浅的杂质能级的材料，在热激发能变得足够低的低温条件下使其进行动作时也能够应用本发明。

公开(公告)号：CN103390639B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201310167053.8

申请日：2013-05-08

申请人： 安世有限公司

发明人： 约翰尼斯·唐克斯 ,  斯蒂芬·海尔 ,  罗曼恩·德尔侯恩 ,  汉·布鲁克曼

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66431

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底(10)、在所述衬底上的至少一个半导体层(12)，以及在所述至少一个半导体层上的欧姆接触(20)，所述半导体层包括第13族元素氮化物，所述欧姆接触包括在所述至少一个半导体层上的含硅部分(22)以及与所述含硅部分相邻并且在其上方延伸的金属部分(24)，所述金属部分包括钛和另一种金属。本发明还公开了一种制造这种半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN107408511A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680013366.X

申请日：2016-01-14

申请人： 爱沃特株式会社

发明人： 深泽晓 ,  生川满久 ,  川村启介

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/812

摘要： 本发明提供一种能够提高耐压和结晶品质的化合物半导体基板。化合物半导体基板具备：Si(硅)基板、在Si基板的表面形成的SiC(碳化硅)层、在SiC层的表面形成的AlN(氮化铝)层、在AlN层的表面形成的复合层、以及在复合层的表面形成的GaN(氮化镓)层。复合层包含AlN(氮化铝)层以及在AlN层的表面形成的GaN层。在至少1个复合层中，GaN层中的C和Fe的平均浓度高于AlN层中的C和Fe的平均浓度。

公开(公告)号：CN107230705A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201610178255.6

申请日：2016-03-25

申请人： 北京大学 ,  北大方正集团有限公司 ,  深圳方正微电子有限公司

发明人： 刘美华 ,  孙辉 ,  林信南 ,  陈建国

IPC分类号： H01L29/45 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/452 ,  H01L21/28 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783

摘要： 本发明提供一种功率半导体器件及其制作方法，涉及半导体元器件技术领域。该功率半导体器件包括：半导体有源层、覆盖在所述半导体有源层上的第一介质层；穿过所述第一介质层，且与所述半导体有源层欧姆接触的电极，所述电极包括自下而上依次形成的第一Ti层、Al层、第二Ti层和TiN层。解决了在制作电极的过程中为了防止退火时电极被氧化而采用含金的材料导致制作成本较高的问题。

公开(公告)号：CN106531791A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610827160.2

申请日：2016-09-14

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 冈崎拓行 ,  仓桥健一郎 ,  小山英寿 ,  北野俊明 ,  加茂宣卓

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/28581 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/78

摘要： 得到一种能够提高耐湿性而不使绝缘膜变厚的半导体装置及其制造方法。氮化物半导体膜物半导体膜(4)上。由氮化硅构成的第1绝缘膜(11)形成于氮化物半导体膜(4)上，与栅极电极(6)的侧面的至少一部分接触，在第1绝缘膜(11)与氮化物半导体膜(4)之间形成界面。由原子层交替排列的氧化铝构成的第2绝缘膜(12)覆盖栅极电极(6)及第1绝缘膜(11)。(4)形成于衬底(1)上。栅极电极(6)形成于氮化

公开(公告)号：CN105895674A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610080926.5

申请日：2016-02-05

申请人： 国际商业机器公司

发明人： J·P·德索扎 ,  K·E·弗格尔 ,  J·吉姆 ,  S·L·马瑞尔 ,  D·K·萨达纳

IPC分类号： H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L21/24

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/246 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66219 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/242 ,  H01L29/36

摘要： 本发明涉及用于减少结泄漏的掺杂的氧化锌和n-掺杂。一种半导体装置，包括衬底和在衬底上的包括掺杂的III-V材料的p掺杂层。n掺杂层形成于p掺杂层上，n掺杂层包括掺杂的III-V材料。接触界面层形成于n掺杂层上。接触界面层包括II-VI材料。接触金属形成于接触界面层上，以形成电子装置。

公开(公告)号：CN103123930B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201210167343.8

申请日：2012-05-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑兆钦 ,  柯志欣 ,  万幸仁

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/20 ,  H01L29/452 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522

摘要： 本发明公开了一种具有改进的器件性能的器件及其制造方法。示例性器件包括III-V族化合物半导体衬底，该III-V族化合物半导体衬底包括具有（110）晶体定向的表面、以及设置在III-V族化合物半导体衬底上方的栅叠层。栅叠层包括：设置在具有（110）晶体定向的表面上方的高-k介电层、以及设置在高-k介电层上方的栅电极。本发明还提供了用于减小高-k介电层和III-V族化合物半导体器件之间的费米能级牵制的（110）表面定向。

公开(公告)号：CN105324846A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480031743.3

申请日：2014-04-03

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： Y·近藤 ,  S·和田 ,  H·山崎 ,  M·岩本

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/338 ,  H05K3/40

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452

摘要： 使用第一气体组合和第二气体组合在III-N族HEMT的势垒层(118)中蚀刻金属接触开口(132)，第一气体组合向下蚀刻到势垒层(118)中，第二气体组合进一步向下蚀刻到势垒层(118)中达位于沟道层(116)的顶表面上方的深度，沟道层(116)的顶表面接触势垒层(118)并位于势垒层(118)下方。

公开(公告)号：CN105164810A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201480024438.1

申请日：2014-05-05

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： A·M·海尔德 ,  J·约翰

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/452 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462

摘要： 可以通过在半导体层(104)上形成含硅栅极介电层(108)来形成半导体器件(100)。栅极金属层在栅极介电层(108)上形成；在形成过程中，栅极金属层包括2原子百分比到10原子百分比的硅。栅极金属层被图案化以形成金属栅极(112)。随后形成源极接触孔和漏极接触孔(116)，且在接触孔(116)中形成并图案化接触金属(118)。后续接触退火以至少750℃的温度加热接触金属(118)和栅极(112)至少30秒。