公开(公告)号：CN1296977C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN02139983.2

申请日：2002-12-04

Applicant: 安内华株式会社

Inventor： 佐护康实 ,  小河原米一 ,  宫前昌典

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67069

Abstract: 提供一种有效防止微粒附着在基板上的性能好的绝缘膜刻蚀装置。基板(9)保持在处理室(1)内的基板支架(2)上，由气体导入系统(3)导入刻蚀用气体。在等离子体形成装置(4)中由装置形成等离子体，通过等离子体中活性种和离子的作用来进行基板(9)表面的绝缘膜的刻蚀。控制部(8)在刻蚀结束后，由搬运机器人(51)从处理室(1)内取出基板(9)，由排气系统排气处理室(1)后，通过气体导入系统(3)导入清洁用气体，并由等离子体形成用单元(4)形成等离子体，通过等离子体作用来去除堆积在处理室(1)内露出面上的膜。设置在比基板保持面低的冷却捕集器(12)被强制冷却，捕集堆积作用的气体分子后堆积多的膜。冷却捕集器(12)可交换，其前面有防止堆积的膜剥离的凹凸部，表面为氧化物或绝缘物。

公开(公告)号：CN1427457A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN02139983.2

申请日：2002-12-04

Applicant: 安内华株式会社

Inventor： 佐护康实 ,  小河原米一 ,  宫前昌典

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67069

Abstract: 提供一种有效防止微粒附着在基板上的性能好的绝缘膜刻蚀装置。基板(9)保持在处理室(1)内的基板支架(2)上，由气体导入系统(3)导入刻蚀用气体。在等离子体形成装置(4)中由装置形成等离子体，通过等离子体中活性种和离子的作用来进行基板(9)表面的绝缘膜的刻蚀。控制部(8)在刻蚀结束后，由搬运机器人(51)从处理室(1)内取出基板(9)，由排气系统排气处理室(1)后，通过气体导入系统(3)导入清洁用气体，并由等离子体形成用单元(4)形成等离子体，通过等离子体作用来去除堆积在处理室(1)内露出面上的膜。设置在比基板保持面低的冷却捕集器(12)被强制冷却，捕集堆积作用的气体分子后堆积多的膜。冷却捕集器(12)可交换，其前面有防止堆积的膜剥离的凹凸部，表面为氧化物或绝缘物。