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公开(公告)号：CN100413036C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN03121837.7
申请日：2003-04-21
IPC: H01L21/318
CPC classification number: C23C16/4411 , C23C16/345 , C23C16/44
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能以很好的再现性堆积成所需膜质的氮化硅膜的薄膜制作装置及其制作方法。它是在连接有排气系统和气体供给系统的真空容器内，配置发热体和基板，维持该发热体在预定温度，分解或活化由上述气体供给系统供给的原料气体，使氮化硅薄膜堆积在基板表面的化学蒸镀装置和蒸镀方法，其特征是：在上述真空容器内部，配置用以包围上述发热体和基板的内壁，形成成膜空间，设置将原料气体输入上述成膜空间的气体输入手段，同时，设置上述内壁的加热手段和/或冷却手段，形成将该内壁的温度控制在预定值的结构。
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公开(公告)号：CN100401173C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200510136942.3
申请日：2005-12-15
Applicant: 佳能安内华株式会社
IPC: G02F1/1341 , G02F1/1333
Abstract: 液晶皿(10)具有储存液晶(20)的槽部(10D)，当将槽部的液晶注入到液晶显示面板内部时，避免脱泡工序中的液体断裂状态，从而可以提高昂贵的液晶材料的利用效率。对形成沟槽的内面的侧面和底面实施处理，形成亲水性得到了提高的疏水性减小部位(11)。其结果是，沟槽内部的液晶的流动性变得平滑且由于液晶内部的气泡所产生的空间的形成得到了抑制。在液晶皿的上表面上，上面(10U)整面覆盖槽部的上端缘(10E)而由疏水性材料形成，不是疏水性减小部位。因此，当在液晶皿中储存液晶时，液晶能够从液晶皿的上表面充分地堆积起来。
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公开(公告)号：CN1293621C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN03809924.1
申请日：2003-05-23
Applicant: 安内华株式会社
CPC classification number: H01L21/67173 , C23C14/56 , H01L21/67748
Abstract: 本发明是一种基板处理装置及处理方法，其可抑制利用载体所致处理室环境的污染，且可连续进行稳定搬送及高品质的基板处理，其目的在于提供一种可对应今后不断进展的大型基板，并可对应各种基板尺寸具有高通用性的基板处理装置及处理方法，本发明的基板处理装置包括，加载互锁真空室，搬入装载有基板的载体；基板转移室，具有用来在与载体之间进行基板转移的转移机构；基板处理室，对于基板进行规定处理，其特征在于具备在上述加载互锁真空室及上述基板转移室之间可移动的第一载体，以及可移动在上述基板转移室及上述基板处理室之间的第二载体，并利用上述转移机构，可使基板在上述第一及第二载体之间转移。
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公开(公告)号：CN1288725C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200310114387.5
申请日：2003-11-13
Applicant: 安内华株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/513
CPC classification number: H01J37/32623 , C23C16/26 , C23C16/5096
Abstract: 本发明公开了一种能够限制等离子而不存在等离子密度不均匀和电功率损失的实用的等离子加工装置。此装置包括等离子屏蔽罩，其包围了等离子发生区以防止等离子扩散。该屏蔽罩具有至少一个开口。此装置包括用于防止等离子通过等离子屏蔽罩的开口而扩散出去的防扩散电极。等离子屏蔽罩上的暴露在等离子中的表面由绝缘体制成。防扩散电极处于朝向开口扩散的电子或者已经从等离子中通过开口扩散出去的电子将流入其自身中的位置处。
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公开(公告)号：CN1797135A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510136942.3
申请日：2005-12-15
Applicant: 佳能安内华株式会社
IPC: G02F1/1341 , G02F1/1333
Abstract: 液晶皿(10)具有储存液晶(20)的槽部(10D)，当将槽部的液晶注入到液晶显示面板内部时，避免脱泡工序中的液体断裂状态，从而可以提高昂贵的液晶材料的利用效率。对形成沟槽的内面的侧面和底面实施处理，形成亲水性得到了提高的疏水性减小部位(11)。其结果是，沟槽内部的液晶的流动性变得平滑且由于液晶内部的气泡所产生的空间的形成得到了抑制。在液晶皿的上表面上，上面(10U)整面覆盖槽部的上端缘(10E)而由疏水性材料形成，不是疏水性减小部位。因此，当在液晶皿中储存液晶时，液晶能够从液晶皿的上表面充分地堆积起来。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1228821C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN03110796.6
申请日：2003-02-08
Applicant: 安内华株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23F4/00 , C23C16/513 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32082 , C23C16/505 , H01J37/32165
Abstract: 本发明公开了利用两个不同频率的射频波的射频等离子体处理的技术，在其中能够充分并且稳定地生成和保持等离子体。第一频率是用于通过引起放电来生成等离子体，第二频率是用于在被处理的基片上生成自偏电压。在施加第一频率的射频波以后通过一个时滞来施加第二频率的波。本发明还公开了在射频等离子体处理中的阻抗匹配技术，在其中为了引起放电和稳定等离子体来优化被提供的阻抗。
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公开(公告)号：CN1501452A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310114387.5
申请日：2003-11-13
Applicant: 安内华株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/513
CPC classification number: H01J37/32623 , C23C16/26 , C23C16/5096
Abstract: 本发明公开了一种能够限制等离子而不存在等离子密度不均匀和电功率损失的实用的等离子加工装置。此装置包括等离子屏蔽罩，其包围了等离子发生区以防止等离子扩散。该屏蔽罩具有至少一个开口。此装置包括用于防止等离子通过等离子屏蔽罩的开口而扩散出去的防扩散电极。等离子屏蔽罩上的暴露在等离子中的表面由绝缘体制成。防扩散电极处于朝向开口扩散的电子或者已经从等离子中通过开口扩散出去的电子将流入其自身中的位置处。
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公开(公告)号：CN1423103A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02155778.0
申请日：2002-12-04
CPC classification number: G05D23/1393
Abstract: 一种载冷剂供给装置,将纯水等的载冷剂调整成适合于所述负荷的目标温度于循环地供给至少一个负荷,具有:设在流动有从所述负荷侧返回的载冷剂载冷剂冷却流路中的、利用工业用水冷却所述载冷剂用的热交换器；对所述载冷剂加热用的加热器；设在所述冷却流路与所述加热流路的连接部上的混合部；设在所述混合部的出口侧的混合部出口侧温度传感器；根据来自所述混合部出口侧温度传感器的输出来调整冷却后的载冷剂与加热后的载冷剂的混合比的混合调整装置；作为设在所述混合部与所述负荷之间的储罐、即构成使所述载冷剂以缓慢低速度地通过其中的、具有约10升以上容积的储罐,因此,可降低装置的运转成本且使装置小型化,并可稳定控制载冷剂的温度。
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公开(公告)号：CN1676445B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200510059852.9
申请日：2005-03-31
Applicant: 佳能安内华株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种基板搬送装置， 该基板搬送装置由安装有基板托盘的承载器，承载器搬送机构，与以非接触方式对承载器的顶部进行导向的承载器导向机构构成，其特征在于该导向机构由第一排磁铁和第二排磁铁构成，该第一排磁铁沿搬送通路而安装于上述承载器的顶部，该第二排磁铁在第一排磁铁的上方或下方，沿搬送通路而安装于真空室中。另外的特征在于按照下述方式设置磁铁，该方式为：沿与搬送方向相垂直的方向，以规定间距间隔开地设置多排的第一排磁铁和第二排磁铁，在面对的磁铁排之间，作用有吸力，在相邻的磁铁排之间，作用有排斥力。通过本发明可抑制基板托盘的摆动，进而抑制灰尘的产生，可实现稳定的高速搬送。
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公开(公告)号：CN1289258C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN03136775.5
申请日：2003-04-16
CPC classification number: B25B11/002 , Y10T279/23
Abstract: 本申请公开了一种ESC台结构，其中吸附电极被吸附在缓和层和覆盖层之间。缓和层与覆盖层具有在电介质板和吸附电极之间的热膨胀系数。本申请还公开了一种ESC台结构，其中吸附电极被吸附在缓和层与覆盖层之间，该缓和层与覆盖层具有与吸附电极内应力指向相反的内应力。本申请进一步公开了一种基底加工装置，用于在基底温度保持高于室温时在基底上执行加工，包括在加工期间用来吸附住基底的静电吸附台。
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