公开(公告)号：CN109478591A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780037856.8

申请日：2017-06-19

申请人： IQE公司

发明人： 王望南 ,  安德鲁·克拉克 ,  吕蒂斯·达吉斯 ,  迈克尔·莱比 ,  罗德尼·佩尔策尔

IPC分类号： H01L41/08 ,  H01L41/319 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02

CPC分类号： H01L41/0815 ,  H01L41/319 ,  H03H9/02015 ,  H03H2003/021

摘要： 本发明提出了一种层型结构(1100，1030)，其包含外延生长在金属层之上的结晶压电III-N层(1110，1032)，所述金属层外延生长在半导体(1102，1002)上的稀土氧化物层之上。所述稀土氧化物层包括至少两个分立部分(1104，1004)，并且所述金属层包括至少一个金属部分(1108，1006)，所述金属部分与邻近的分立部分部分交叠，优选地在气隙(1008)上形成桥，所述层型结构特别适合用于RF滤波器。

公开(公告)号：CN108336982A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810039429.X

申请日：2018-01-16

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 韩源 ,  金大虎 ,  金龙石 ,  韩昇勋 ,  李文喆 ,  林昶贤 ,  李成俊 ,  尹湘基 ,  金泰润 ,  孙尚郁

IPC分类号： H03H9/02 ,  H03H9/05

CPC分类号： H03H9/02118 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/02157 ,  H03H9/132 ,  H03H9/17 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/023

摘要： 本发明提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器，包括：基板；膜层，与所述基板一起形成腔；下电极，设置在所述膜层上；压电层，设置在所述下电极的平坦表面上；以及上电极，覆盖所述压电层的部分并使所述压电层的侧部暴露于空气，其中，所述压电层包括台阶部，所述台阶部从所述压电层的所述侧部延伸并设置在所述下电极的所述平坦表面上。

公开(公告)号：CN108075740A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711143853.0

申请日：2017-11-17

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 尹湘基 ,  朴炯哉 ,  朴南洙 ,  金钟云 ,  李文喆

IPC分类号： H03H3/007 ,  H03H9/02 ,  H03H9/17

CPC分类号： H03H9/17 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/081 ,  H01L41/18 ,  H01L41/29 ,  H01L41/35 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02118 ,  H03H9/02157 ,  H03H9/13 ,  H03H9/173 ,  H03H2003/021

摘要： 本公开提供一种体声波谐振器及制造该体声波谐振器的方法，所述体声波谐振器包括：基板，所述基板上设置有基板保护层；膜层，与所述基板一起形成腔；及谐振部，设置在所述膜层上。所述腔通过使用通过混合卤化物基气体和氧气而获得的混合气体去除牺牲层形成，并且在形成所述腔后，所述膜层和所述基板保护层中的至少一者具有170或更小的厚度差。

公开(公告)号：CN106257831A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201610428988.0

申请日：2016-06-16

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 李泰京 ,  韩成 ,  李华善 ,  辛承柱 ,  申兰姬

IPC分类号： H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H03H9/05 ,  H03H9/56 ,  H03H9/58

CPC分类号： H03H9/13 ,  H03H9/02149 ,  H03H9/173 ,  H03H9/54 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/0504 ,  H03H9/564 ,  H03H9/582 ,  H03H2003/021

摘要： 本发明公开一种体声波谐振器及包括该体声波谐振器的滤波器。根据本发明的一实施例的体声波谐振器可以包括：基板；第一电极和第二电极，形成在所述基板上；压电层，形成在所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括钼-钽合金。

公开(公告)号：CN103916100B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310062693.2

申请日：2013-02-28

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 蔡俊胤 ,  许丰家 ,  黄俊哲 ,  王钦宏

IPC分类号： H03H9/15

CPC分类号： H03H9/178 ,  B81B7/02 ,  H03H3/0072 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02007 ,  H03H9/02244 ,  H03H9/0595 ,  H03H9/17 ,  H03H9/205 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/027 ,  H03H2009/02496

摘要： 本发明公开一种微机电共振装置，上述微机电共振装置包括单一或多个共振单元，其中上述的每一个些共振单元包括一基材，其中具有一沟槽；一对第一电极，设置于上述沟槽的一对侧壁上；一压电材料，填充于上述沟槽，且覆盖上述第一电极；一第二电极，嵌入上述压电材料且通过上述压电材料与上述对第一电极隔开，其中位于上述沟槽中的上述第二电极与上述对第一电极平行。

公开(公告)号：CN105610407A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510765123.9

申请日：2015-11-11

申请人： 太阳诱电株式会社

发明人： 谷口真司 ,  西原时弘 ,  横山刚 ,  坂下武

IPC分类号： H03H9/02 ,  H03H9/13

CPC分类号： H03H9/706 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/02118 ,  H03H9/173 ,  H03H9/175 ,  H03H9/564 ,  H03H9/568 ,  H03H2003/021

摘要： 压电薄膜谐振器、滤波器和双工器。一种压电薄膜谐振器包括：基板；位于基板上的压电膜；下电极和上电极，该下电极和上电极隔着压电膜的至少一部分彼此面对；以及插入压电膜中的插入膜，该插入膜位于下电极和上电极隔着压电膜彼此面对的谐振区内的外周区域的至少一部分中，并且不位于谐振区的中心区域中，其中，谐振区内的被插入所述插入膜的第一区域中的压电膜和插入膜的总膜厚度与不插入所述插入膜的第二区域中的压电膜的膜厚度之差小于插入膜的膜厚度。

公开(公告)号：CN102916673B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201210272191.8

申请日：2012-08-01

申请人： 太阳诱电株式会社

发明人： 上田政则 ,  谷口真司 ,  西原时弘

IPC分类号： H03H9/17 ,  H03H3/02

CPC分类号： H03H3/04 ,  H03H9/171 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/023 ,  H03H2003/025 ,  H03H2003/0407 ,  Y10T29/42

摘要： 本发明提供了压电薄膜谐振器及其制造方法。一种压电薄膜谐振器包括：下电极，其设置在基板上；压电膜，其设置在下电极上并包括至少两层；上电极，其设置在压电膜上，并具有面对下电极且与下电极一起夹着压电膜的区域；和绝缘膜，其设置在下电极和上电极彼此面对的区域中，并在所述至少两层的各层之间，其中绝缘膜的上表面比绝缘膜的下表面平坦。

公开(公告)号：CN102904542B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210228562.2

申请日：2012-07-02

申请人： 日本电波工业株式会社

发明人： 原田雅和 ,  山田博章 ,  有路巧 ,  高桥岳宽 ,  水泽周一

IPC分类号： H03H9/02

CPC分类号： H03H9/131 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02133 ,  H03H9/02157 ,  H03H9/1035 ,  H03H9/177 ,  H03H2003/021

摘要： 本发明提供压电振动片以及压电元件，压电振动片包括激振部、框部以及连结部。激振部包含沿着第一方向延伸的第一边及沿着第二方向延伸的第二边，第二方向与第一方向正交。连结部在第三方向上的厚度为第一厚度，所述第三方向与第一方向及第二方向正交。激振部包含第一区域、第二区域以及第三区域。激振电极形成在第一区域。第二区域以第一厚度而直接连结于连结部。第三区域配置在第一区域与第二区域之间。而且在第三方向上的厚度为第二厚度，第二区域在第三方向上的厚度形成得比第二厚度更厚。

公开(公告)号：CN104579233A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310501329.1

申请日：2013-10-23

申请人： 中兴通讯股份有限公司 ,  天津大学

发明人： 张浩 ,  杜良桢 ,  庞慰 ,  程微 ,  江源 ,  孙海龙

IPC分类号： H03H9/54 ,  H03H3/02

CPC分类号： H03H9/172 ,  H03H3/04 ,  H03H9/171 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/023 ,  H03H2003/025 ,  H03H2003/0421 ,  H03H2003/0428 ,  H03H2003/0435 ,  H03H2003/0442 ,  H03H2003/0471

摘要： 本发明公开了一种薄膜谐振器的制作方法及装置。本发明的制作方法包括：检测已经淀积的各膜层的厚度；当检测到的膜层厚度不在标准厚度范围内时，判断质量加载层是否已经淀积，若否，则选取未淀积的膜层进行厚度补偿，根据补偿后的膜层厚度和目标频率偏移计算出产生所述目标频率偏移所需的质量加载层的厚度；所述标准厚度范围由所述谐振器的目标频率以及工艺生产能力决定；按照补偿后的未淀积的膜层厚度以及重新计算出的质量加载层的厚度进行后续的薄膜淀积；本发明的制作方法及装置能够精确地产生所需的频率偏移，提高产品的良率。

公开(公告)号：CN102569640B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201210012692.2

申请日：2008-10-23

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 神藤始 ,  芳井义治

IPC分类号： H01L41/27

CPC分类号： H01L41/27 ,  G02F1/035 ,  H01L41/187 ,  H01L41/25 ,  H01L41/257 ,  H01L41/312 ,  H01L41/335 ,  H01L41/337 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/023 ,  H03H2003/027 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49155

摘要： 本发明提供一种能够有效利用压电体材料来形成均匀厚度的极薄压电膜的复合压电基板的制造方法。包括：a)准备压电体基板和支撑基板；b)从压电体基板的表面注入离子，在压电体基板内在距离表面规定深度的区域中形成缺陷层；c)对形成了缺陷层的压电体基板的表面和支撑基板的表面中的至少一个，去除附着在表面(2a、10a)中的杂质，使构成表面(2a、10a)的原子直接露出并活性化；d)在压电体基板的表面上接合支撑基板，形成基板接合体；e)采用形成于压电体基板内的缺陷层来分离基板接合体，从压电体基板剥离压电体基板的表面和缺陷层之间的剥离层，形成与支撑基板相接合的复合压电基板(30)；f)对复合压电基板的剥离层的表面进行平滑化。