一种随机激光标签制作及防伪方法

    公开(公告)号:CN117103885A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202310675833.7

    申请日:2023-09-19

    申请人: 安徽大学

    摘要: 本申请公开了一种随机激光标签的制作及防伪方法,用于制作随机激光标签,并利用该标签实现防伪的应用。本申请方法包括:将一定质量的丙烯酸、丙烯酰胺、聚丙烯酸钠、纤维素、金纳米棒以及聚乙二醇双丙烯酸酯、2‑羟基‑2‑甲基苯丙酮和荧光染料混合均匀,得到水凝胶前驱体溶液;然后将所述水凝胶前驱体溶液注射到喷墨打印系统的储液瓶中,通过喷墨打印的方式制作标签图案;打印完成后再利用紫外固化的方式使所述水凝胶前驱体溶液交联,完成水凝胶标签的制作;最后利用泵浦光照射水凝胶标签,通过光谱仪读取标签辐射的随机激光光谱中所含波峰的波长信息,利用不同水凝胶标签所携带波峰的波长信息不同且无法仿制的特性,实现标签的防伪应用。

    基于自对准工艺的二维层状薄膜材料异质结光电子器件

    公开(公告)号:CN115020527A

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202210386480.4

    申请日:2022-04-11

    申请人: 安徽大学

    摘要: 基于层状材料异质结的光伏探测器,所述的光伏探测器包括在基底上设有自下到上的结构:衬底绝缘层,底电极,包括不同折射率的Ti/Au、Ag、Pt金属电极层和绝缘层AlOx层,绝缘层AlOx层能调节腔体的厚度,金属电极层能与上层的顶电极来形成谐振器;二维层状薄膜层,指n‑p‑n或p‑g‑n型二维层状薄膜材料薄膜层,指起码一个n‑p或p‑n异质结,一个n‑p或p‑n异质结以上的结;金属电极层,源电极层和漏电极层分别设置在所述半导体层上,顶栅电极层设置在顶栅介电绝缘层上。本发明自对准工艺下的二维层状薄膜材料n‑p‑n异质结光探测器,与传统光探测器相比,体积更小,具有低暗电流、高探测效率和宽的探测波段。

    一种窄带隙二维磁性薄膜异质结非制冷红外探测器

    公开(公告)号:CN113130681A

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN202110400291.3

    申请日:2021-04-14

    申请人: 安徽大学

    摘要: 一种基于层状材料异质结的光电探测器,包括在衬底上设有自下到上的结构:衬底绝缘层,底面反射电极层,所述电极层置于所述衬底绝缘层上;异质结包括n‑型二维层状薄膜材料薄膜,p‑型二维层状薄膜材料薄膜层在上述n‑型二维层状薄膜材料薄膜层上,上述二维层状异质结置于所述底电极层上,其中异质结结区与底面反射电极层重合且紧密接触;顶电极层,所述顶电极层设置在所述p‑n结上方p‑型二维材料的一侧或部分区域;透明顶栅绝缘层,所述透明顶栅绝缘层覆盖在整个异质结器件正上方,透明顶栅绝缘层包括高介电材料如二氧化铪和PMMA;所述的透明顶栅电极设置在p‑n结正上方,包含石墨烯、ITO等透明材料。

    一种窄带隙二维磁性薄膜异质结非制冷红外探测器

    公开(公告)号:CN113130681B

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202110400291.3

    申请日:2021-04-14

    申请人: 安徽大学

    摘要: 一种基于层状材料异质结的光电探测器,包括在衬底上设有自下到上的结构:衬底绝缘层,底面反射电极层,所述电极层置于所述衬底绝缘层上;异质结包括n‑型二维层状薄膜材料薄膜,p‑型二维层状薄膜材料薄膜层在上述n‑型二维层状薄膜材料薄膜层上,上述二维层状异质结置于所述底电极层上,其中异质结结区与底面反射电极层重合且紧密接触;顶电极层,所述顶电极层设置在所述p‑n结上方p‑型二维材料的一侧或部分区域;透明顶栅绝缘层,所述透明顶栅绝缘层覆盖在整个异质结器件正上方,透明顶栅绝缘层包括高介电材料如二氧化铪和PMMA;所述的透明顶栅电极设置在p‑n结正上方,包含石墨烯、ITO等透明材料。