公开(公告)号：CN117714907B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410170097.4

申请日：2024-02-06

Applicant: 安徽大学

Inventor： 赵强 ,  李超凡 ,  俞书航 ,  杜妍 ,  李文浩 ,  彭春雨 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC: H04N25/772 ,  H04N25/778

Abstract: 本发明涉及滤波器设计技术领域，具体涉及用在CMOS图像传感器的FIR滤波器以及ADC模块。本发明提供了一种用在CMOS图像传感器的FIR滤波器，包括：1个全局计数器、N列列级电路。本发明公开的FIR滤波器通过优化电路结构实现N列列级电路共享使用全局计数器，大大减少了晶体管数量与版图面积。经过实验对比，本发明的用在CMOS图像传感器的FIR滤波器相较于现有传统FIR滤波器，晶体管数量降幅约30%。本发明解决了现有CMOS图像传感器使用的传统FIR滤波器面积偏大的问题。

公开(公告)号：CN117420872A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311231097.2

申请日：2023-09-22

Applicant: 安徽大学

Inventor： 赵强 ,  石冰清 ,  李超凡 ,  李文浩 ,  刘天翔 ,  彭春雨 ,  戴成虎 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC: G05F1/567

Abstract: 本发明属于电路技术领域，具体涉及一种低温漂高性能的带隙基准电路及电压基准模块。其包括第一启动电路、带隙基准核心电路和曲率补偿电路。第一启动电路用于在电路启动时将运放输出点电压拉低，使带隙基准电路摆脱由简并点引起的0电流状态。带隙基准核心电路由6个PMOS管M1～M6、2个PNP晶体管Q1～Q2、2个电阻R0～R1，以及运算放大器OP1构成，用于生成所需的低温漂的基准电压Vref。曲率补偿电路由2个PMOS管M7～M8、1个PNP晶体管Q3，以及两个电阻R2～R3构成；用于实现对带隙基准电路中的温漂系数进行高阶补偿。本发明解决现有带隙基准源无难以在低温漂和高性能等多项指标上实现均衡的问题。

公开(公告)号：CN117375617A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311426060.5

申请日：2023-10-30

Applicant: 安徽大学

Inventor： 王甲飞 ,  俞书航 ,  杜妍 ,  李文浩 ,  郭益新 ,  李超凡 ,  石冰清 ,  强斌 ,  彭春雨 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC: H03M1/12 ,  H04N25/40

Abstract: 本发明涉及模数转换器技术领域，更具体的，涉及一种用于CMOS图像传感器的两步式列级模数转换器。本发明的两步式列级模数转换器包括：公共开关模块、斜坡发生器、N个相同结构的列级电路单元。本发明将快闪ADC和单斜ADC进行电路结构和功能上的融合，一方面基于快闪ADC功能状态对信号电压Vsig进行粗量化并存储在存储电容中、将高2位数字码转换结果存入锁存器，另一方面，基于单斜ADC功能状态对信号电压Vsig进行细量化得到低10位数字码并存入静态存储器，从而完成对12bit的整个转换。本发明的转换器可以缩短量化时间，并提高转换速度，解决了现有传统单斜ADC转换速度低、量化时间长、转换周期长的问题。

公开(公告)号：CN117714907A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202410170097.4

申请日：2024-02-06

Applicant: 安徽大学

Inventor： 赵强 ,  李超凡 ,  俞书航 ,  杜妍 ,  李文浩 ,  彭春雨 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC: H04N25/772 ,  H04N25/778

Abstract: 本发明涉及滤波器设计技术领域，具体涉及用在CMOS图像传感器的FIR滤波器以及ADC模块。本发明提供了一种用在CMOS图像传感器的FIR滤波器，包括：1个全局计数器、N列列级电路。本发明公开的FIR滤波器通过优化电路结构实现N列列级电路共享使用全局计数器，大大减少了晶体管数量与版图面积。经过实验对比，本发明的用在CMOS图像传感器的FIR滤波器相较于现有传统FIR滤波器，晶体管数量降幅约30%。本发明解决了现有CMOS图像传感器使用的传统FIR滤波器面积偏大的问题。