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公开(公告)号：CN108385160A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810199856.4
申请日：2018-03-12
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种调节感应加热提拉法晶体生长温场梯度的装置及其方法，一种调节感应加热提拉法晶体生长温场梯度的装置包括炉膛、氧化锆底座、氧化锆保温桶、盖板、金属环、坩埚和感应加热线圈，所述氧化锆底座安装在炉膛内，所述氧化锆保温桶安装在氧化锆底座上，氧化锆保温桶内设有固定槽，所述金属环安装在固定槽内，所述坩埚安装在氧化锆底座上其并与氧化锆保温桶接触。本发明通过在坩埚上方加入一个感应加热金属环，产生附加热场，从而调节提拉法晶体生长时的温场，可有效克服晶体生长中的孪晶、开裂等问题。
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公开(公告)号：CN108560053B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201810370782.6
申请日：2018-04-24
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
摘要： 本发明公开一种镧、镝、铈共掺的硅酸钇镥闪烁材料及其晶体生长方法，该闪烁晶体化学式：La2pDy2qCe2m(Lu1‑nYn)2(1‑p‑q‑m)SiO5,其中0＜p≤0.02，0＜q≤0.02，0＜m≤0.03,0.01≤n≤0.1，且p、q、m满足0＜p+q+m≤0.05；其生长方法：S1：高温固相合成多晶料块；S2：压制并在保护气体气氛下熔融多晶；S3：等径生长，并采用PID算法自动降温、退火。本发明通过在Ce:LYSO中掺杂Dy、La，增加晶体生长的空位，避免晶体氧化过度，保证晶体闪烁性能，扩大晶体发光光谱，采用冷等静压技术提高Lu、Y离子的格位代替率，利用PID算法实现自动控温生长，确保批量生长晶体的一致性。
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公开(公告)号：CN109112633A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201811088723.6
申请日：2018-09-18
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高效中红外激光晶体Er,Pr:YSAG及其制备和实现中红外激光输出的方法，该方法以对称性高的含钪石榴石晶体材料钇钪铝石榴石单晶为基质，以Er3+作为激活离子，通过在晶体中掺杂Pr3+离子，从而有效抽空Er3+离子的2.6-3.0μm激光下能级4I13/2的粒子数，降低该能级的荧光寿命，减少激光阈值、提高激光输出效率和功率。本发明采用半导体激光器对晶体进行泵浦从而实现2.6-3.0μm波段的激光输出，在激光医疗、科学研究及军事等领域有着重要的应用前景。目前，采用InGaAs LD激光器为泵浦源，泵浦Er,Pr:YSAG晶体实现了波长位于2.694和2.825μm的双波长中红外激光输出。
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公开(公告)号：CN109112633B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201811088723.6
申请日：2018-09-18
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高效中红外激光晶体Er,Pr:YSAG及其制备和实现中红外激光输出的方法，本研究采用氧化铝为合成原料克服了含Ga类晶体生长过程中出现的Ga2O3易挥发，从而导致晶体生长过程中容易出现的组分不均问题，从而提出了生长大尺寸高均匀钇钪铝石榴石晶体的方法，以Er3+作为激活离子，通过在晶体中掺杂Pr3+离子，从而有效抽空Er3+离子的2.6‑3.0μm激光下能级4I13/2的粒子数，降低该能级的荧光寿命，减少激光阈值、提高激光输出效率和功率。本发明采用半导体激光器对晶体进行泵浦从而实现2.6‑3.0μm波段的双波长激光输出，在激光医疗、科学研究及军事等领域有着重要的应用前景。目前，采用InGaAs LD激光器为泵浦源，泵浦Er,Pr:YSAG晶体实现了波长位于2.694和2.825μm的双波长中红外激光输出。
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公开(公告)号：CN108560053A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810370782.6
申请日：2018-04-24
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
摘要： 本发明公开一种镧、镝、铈共掺的硅酸钇镥闪烁材料及其晶体生长方法，该闪烁晶体化学式：La2pDy2qCe2m(Lu1-nYn)2(1-p-q-m)SiO5,其中0＜p≤0.02，0＜q≤0.02，0＜m≤0.03,0.01≤n≤0.1，且p、q、m满足0＜p+q+m≤0.05；其生长方法：S1：高温固相合成多晶料块；S2：压制并在保护气体气氛下熔融多晶；S3：等径生长，并采用PID算法自动降温、退火。本发明通过在Ce:LYSO中掺杂Dy、La，增加晶体生长的空位，避免晶体氧化过度，保证晶体闪烁性能，扩大晶体发光光谱，采用冷等静压技术提高Lu、Y离子的格位代替率，利用PID算法实现自动控温生长，确保批量生长晶体的一致性。
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公开(公告)号：CN108456927A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810370909.4
申请日：2018-04-24
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
摘要： 本发明公开一种大尺寸LiTaO3晶体的全自动控制晶体生长方法，包括以下步骤：S1：制备原料；S2：搭建温场；S3：充保护气体；S4：控制晶体生长及降温过程：按照6～30rpm的转速旋转钽酸锂籽晶，当晶体直径d生长至D的40％时，在旋转晶体的同时，以0.2～4mm/h的拉速向上提拉，当晶体直径生长至90％时，利用PID算法自动调控温场系统的加热功率，在60～120h内降至室温；S5：多线定向切割。本发明采用两步法完成等径生长，在放肩阶段前段，仅进行晶体横向生长，并通过PID算法主动完成降温过程，使晶体成品率≥90％，确保批量生长晶体的均匀性，具有晶体生长速度可控、生长尺寸大、重复性好的优点，适合大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN208164049U
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201820683795.4
申请日：2018-05-09
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
IPC分类号： B28D7/04
摘要： 本实用新型公开了一种圆形晶体整修固定装置，包括底板，所述底板的表面对称固定连接有两个支撑板，所述支撑板上均开设有两个通孔，所述支撑板上且位于通孔的位置上滑动连接有固定柱，所述固定柱的内部开设有圆孔，所述圆孔的内部设置有连接柱，所述连接柱贯穿圆孔且延伸至圆孔的外部，所述连接柱上且位于圆孔内部的一端通过挤压弹簧与圆孔的底面固定连接，所述圆孔内壁上对称固定连接有固定杆。该圆形晶体整修固定装置，通过设置弧形夹板、固定柱、连接柱、挤压弹簧、连接杆和定位螺栓之间的作用，使得便于对弧形夹板进行移动，从而方便对其进行固定整修，通过设置挤压弹簧和压缩弹簧使得对圆形晶体进行固定夹紧，便于整修。
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公开(公告)号：CN208151526U
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201820683585.5
申请日：2018-05-09
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
IPC分类号： C30B35/00
摘要： 本实用新型公开了一种晶体生产多段式加热器，包括加热器壳体，所述加热器壳体的上端固定连接有定位板，所述定位板的上端设有盖板，且盖板与定位板之间通过紧固螺钉螺纹连接，所述加热器壳体的内部底端固定连接有第一隔板，所述第一隔板的上端安装有第二隔板，所述第二隔板的上端安装有第三隔板，所述第一隔板的底端中心处固定连接有加热器，所述第一隔板的顶端固定连接有导热管，且导热管的两侧固定连接有散热管。通过控制第一电磁阀、第二电磁阀和第三电磁阀即可完成各组坩埚内晶体原料分段加热，当第三电磁阀打开后，成型后的晶体材料落入储存室中由出料口向外排出，省时省力，分段加热效果好，有利于广泛的推广与普及。
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公开(公告)号：CN208132684U
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201820683584.0
申请日：2018-05-09
申请人： 安徽晶宸科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种晶体热抛光装置，包括底座，所述底座上端设有凹槽，所述凹槽下端设有齿轮箱，所述齿轮箱一侧设有电机，所述电机的输出轴与齿轮箱的输入轴固定连接，所述齿轮箱的输出轴通过联轴器与凹槽内的固定座固定连接，所述固定座上端设有晶体固定件，所述凹槽上端内侧设有电加热片，所述底座上端设有磨头固定件，所述磨头固定件由第一支撑杆和第二支撑杆组成，所述第一支撑杆一端设有第一磨头，且第一支撑杆通过固定柱固定在底座上端，所述第二支撑杆一端设有弯头，且弯头的端部设有第二磨头。与传统的晶体热抛光装置相比，本实用新型操作简单，使用方便，可有效提高生产效率。
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