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公开(公告)号：CN101933153A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200880111194.5
申请日：2008-10-09
发明人： 史蒂芬·R·福里斯特 , 韦国丹 , 徐崑庭
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC分类号： B82Y30/00 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/0735 , Y02E10/544 , Y10S977/932 , Y10S977/948
摘要： 一种器件包括半导体材料的多个栅栏层以及第二半导体材料的量子点的多个交替层，第二半导体材料嵌入在第三半导体材料之间并且与第三半导体材料直接接触，所述多个交替层被设置在p型和n型半导体材料之间的堆叠中。第二半导体材料的每个量子点和第三半导体材料形成具有II型带对准的异质结。还提供了用于制造该器件的方法。
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公开(公告)号：CN101622718A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200780042145.6
申请日：2007-11-06
发明人： 史蒂芬·R·福里斯特 , 韦国丹
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要： 在第一电极与第二电极之间的堆叠中设置的多个第一半导体材料层和多个多点型围栏势垒。每个多点型围栏势垒基本由第二半导体材料的多个量子点构成，该第二半导体材料嵌入在两个第三半导体材料层之间并且与该两个第三半导体材料层直接接触。量子点的波函数重叠为至少一个中间带。第三半导体材料层布置成隧穿势垒，以要求第一材料层中的第一电子和/或第一空穴执行量子力学隧穿，以达到在相应的量子点内的第二材料，并且要求第一半导体材料层中的第二电子和/或第二空穴执行量子力学隧穿，以达到另一第一半导体材料层。
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公开(公告)号：CN101933153B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200880111194.5
申请日：2008-10-09
发明人： 史蒂芬·R·福里斯特 , 韦国丹 , 徐崑庭
IPC分类号： H01L31/0352 , B82Y30/00 , H01L31/0735 , H01L31/18
CPC分类号： B82Y30/00 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/0735 , Y02E10/544 , Y10S977/932 , Y10S977/948
摘要： 一种器件包括半导体材料的多个栅栏层以及第二半导体材料的量子点的多个交替层，第二半导体材料嵌入在第三半导体材料之间并且与第三半导体材料直接接触，所述多个交替层被设置在p型和n型半导体材料之间的堆叠中。第二半导体材料的每个量子点和第三半导体材料形成具有II型带对准的异质结。还提供了用于制造该器件的方法。
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公开(公告)号：CN101622718B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200780042145.6
申请日：2007-11-06
发明人： 史蒂芬·R·福里斯特 , 韦国丹
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要： 在第一电极与第二电极之间的堆叠中设置的多个第一半导体材料层和多个多点型围栏势垒。每个多点型围栏势垒基本由第二半导体材料的多个量子点构成，该第二半导体材料嵌入在两个第三半导体材料层之间并且与该两个第三半导体材料层直接接触。量子点的波函数重叠为至少一个中间带。第三半导体材料层布置成隧穿势垒，以要求第一材料层中的第一电子和/或第一空穴执行量子力学隧穿，以达到在相应的量子点内的第二材料，并且要求第一半导体材料层中的第二电子和/或第二空穴执行量子力学隧穿，以达到另一第一半导体材料层。
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公开(公告)号：CN105037246A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510321457.7
申请日：2012-02-07
发明人： 斯蒂芬·R·弗里斯特 , 马克·E·汤普森 , 韦国丹 , 王思轶 , 林肯·霍尔 , 维亚切斯拉夫·V·迪夫 , 肖新
IPC分类号： C07D209/86 , C07D279/22 , C07C215/82 , C07C215/78 , C07C215/44 , H01L51/46
CPC分类号： H01L51/0072 , B82Y10/00 , C07C2601/04 , C09B57/007 , C09B57/008 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01G9/2059 , H01L51/0046 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0071 , H01L51/4246 , Y02E10/549 , C07D209/86 , C07C215/44 , C07C215/78 , C07C215/82 , C07D279/22 , H01L51/0052
摘要： 本发明公开了包含芳基方酸化合物的有机光敏器件及其制造方法。在式I的方酸化合物中：每个Y1和Y2独立地选自任选被取代的氨基和任选被取代的芳基。本发明还描述了包含由一种或多种所述方酸化合物形成的供体-受体异质结的有机光电器件。本发明还公开了制造所公开的器件的方法，所述方法可以包括一个或多个用于沉积所述方酸化合物的升华步骤。
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公开(公告)号：CN103797075A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280008386.X
申请日：2012-02-07
发明人： 斯蒂芬·R·弗里斯特 , 马克·E·汤普森 , 韦国丹 , 王思轶 , 林肯·霍尔 , 维亚切斯拉夫·V·迪夫 , 肖新
CPC分类号： H01L51/0072 , B82Y10/00 , C07C2601/04 , C09B57/007 , C09B57/008 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01G9/2059 , H01L51/0046 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0071 , H01L51/4246 , Y02E10/549
摘要： 本发明公开了式I的方酸化合物：其中每个Y1和Y2独立地选自任选被取代的氨基和任选被取代的芳基。本发明还描述了包含由一种或多种所述方酸化合物形成的供体-受体异质结的有机光电器件。本发明还公开了制造所公开的器件的方法，所述方法可以包括一个或多个用于沉积所述方酸化合物的升华步骤。
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公开(公告)号：CN102177599A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200980137181.X
申请日：2009-09-25
申请人： 密歇根大学董事会
发明人： 史蒂芬·R·福里斯特 , 布赖恩·E·拉希特 , 韦国丹
CPC分类号： H01L27/302 , B82Y10/00 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/0078 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , H01L2251/308 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了包含位于第一电极和第二电极之间的两个或更多个有机光活性区的有机光伏器件，其中每个有机光活性区包含供体和受体，并且其中有机光伏器件在两个或更多个光活性区之间包含至少一个激子阻挡层和至少一个电荷重结合层或电荷转移层。已经发现，本发明公开的有机叠层太阳电池能够获得高的开路电压。本发明还公开了所述有机光伏器件的制造方法和使用方法。
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