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公开(公告)号：CN117512607A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311400528.3
申请日：2023-10-26
申请人： 富乐德科技发展(大连)有限公司
摘要： 本发明公开了一种交叉树杈型复杂气道铝部件的均匀性改善工艺，包括：将气道铝部件固定在正负压力清洗治具中进行酸洗；再漂洗；再高压清洗；再吹干部件；再放入烘箱干燥；再使用喷砂专用治具进行喷砂处理。再通过正压方式冲洗部件外侧及气道内；配制氢氟酸水溶液用于浸泡部件；再漂洗洗掉部件表面大部分的酸；配制硝酸水溶液用于浸泡部件；再漂洗洗掉部件表面大部分的酸；再进行高压清洗；再通过正压方式冲洗部件外侧及气道内；再吹干、加热干燥；检查并进行品检测量；1000级超音波；再冲洗；再吹干、加热干燥。此工艺能大大提高部件均匀性，同时减轻腐蚀，可以使复杂气道铝部件进行重复使用，降低成本。
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公开(公告)号：CN112170276A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010888492.8
申请日：2020-08-28
申请人： 富乐德科技发展(大连)有限公司
IPC分类号： B08B1/00 , B08B1/04 , B08B3/08 , B08B13/00 , B08B5/02 , B08B3/02 , B08B3/12 , F21V33/00 , B24B53/00 , B24B27/033
摘要： 本发明公开了一种半导体设备中研磨装置内零件的清洗工艺，包括：对防护外壳、薄膜内圈夹具、薄膜底部夹具、薄膜中部夹具、薄膜上部夹具、传感器柱塞、传感器夹具、阻尼平衡环、阻尼平衡环夹具采用低度清洗工艺进行处理，对法兰、滚动密封圈压环、薄膜上盖夹具采用中度清洗工艺进行处理，对薄膜外圈夹具、内罩、外罩采用中高度清洗工艺进行处理，对研磨头主体采用高度清洗工艺进行处理。本申请将研磨头拆解下的零部件逐一进行清洁，在零部件无严重损伤的情况下，去除附着在零部件表面或者孔内的脏污、研磨液残渣、晶圆残渣等杂质。
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公开(公告)号：CN110543065B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201910701226.7
申请日：2019-07-31
申请人： 富乐德科技发展(大连)有限公司
IPC分类号： G03B15/00
摘要： 一种用于半导体设备化学机械研磨头维修再生的设备，属于半导体设备研磨头维修再生设备领域。包括定位拍照板、支撑机构、导轨、滑块和底座；所述底座底部的两侧分别设有滑块，滑块位于相应的导轨上，导轨一端位于支撑机构内，支撑机构包括多个下支架，下支架通过升降螺杆与上支架连接，上支架上安装定位拍照板。本发明通过导轨和底座移动部品可以准确的对部品进行定位，定位拍照板能够保证每次拍照距离一致，定位拍照板上的标号可以便于对四等分照片进行顺序拼接并且便于找到问题区域位置。
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公开(公告)号：CN112251760B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202010888489.6
申请日：2020-08-28
申请人： 富乐德科技发展(大连)有限公司
IPC分类号： C23G3/00
摘要： 本发明公开了一种自动控制清洗装置，包括相连通的上壳体和下壳体，在上壳体中设有提拉清洗机构，在下壳体上部分别设有酸洗母槽和水洗槽，所述酸洗母槽和水洗槽构成溢流装置；所述提拉清洗机构包括横移轨道、升降支架、多孔托盘，所述多孔托盘两侧设有两组对称的凸座，每个凸座上开有安装孔，所述安装孔中转动连接有对应的升降支架，所述升降支架上部与横移轨道相连。本装置能够控制酸洗、漂洗的时间与提拉频次，确保清洗效果的稳定性与一致性，提高作业效率，在部件得到有效清洗的基础上保证不受酸碱等特殊作业环境干扰，避免人员接触强腐蚀性酸液，改善了人员职业健康环境。
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公开(公告)号：CN113977431A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111145078.9
申请日：2021-09-28
申请人： 富乐德科技发展(大连)有限公司
IPC分类号： B24B27/033 , B24B41/06 , B24B49/16
摘要： 本发明公开了一种针对半导体刻蚀及成膜设备内部精密部件的表面研磨装置，包括支撑框架，该支撑框架上固定有升降伺服电机，所述升降伺服电机与丝杠相连，所述丝杠上转动连接有升降座，该升降座与两侧的直线电机相连，所述直线电机安装在横向承载板上，所述横向承载板两端通过滑块与支撑框架的纵向导轨滑动连接；每个所述直线电机侧面通过磁铁滑动连接有横向支撑板，所述横向支撑板一侧设有气缸，该气缸底部安装有打磨头。本装置使用方便，大大提升了操作人员的工作效率，同时研磨后的零件品质也可以得到更好的控制。
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公开(公告)号：CN111534825A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010407235.8
申请日：2020-05-14
申请人： 富乐德科技发展(大连)有限公司
IPC分类号： C23G1/08 , C23G3/00 , B24B27/033 , B24C1/06 , C23C14/22
摘要： 本发明公开了一种去除半导体设备不锈钢部件钛及氮化钛沉积膜的工艺，属于半导体设备部件清洗翻新技术领域，包括配置IPA溶液，所述IPA溶液液位高于待去膜不锈钢部件；将待去膜不锈钢部件浸泡在IPA溶液中；配置氢氟酸及硝酸的混合酸溶液a；把待去膜不锈钢部件浸泡在混合酸溶液a中；进行高压水洗；将待去膜不锈钢部件外侧光滑面进行打磨抛光；将待去膜不锈钢部件放入氢氟酸及硝酸的混合酸溶液b中一段时间；对待去膜不锈钢部件进行高压水洗；高压水洗后将待去膜不锈钢部件进行烘干。该工艺在充分保护部件本体不被腐蚀损耗的情况下，去除表面已经沉积的钛及氮化钛残膜，使其表面绝对洁净，能够达到设备腔体内的微环境使用要求。
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公开(公告)号：CN115863132A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211466163.X
申请日：2022-11-22
申请人： 富乐德科技发展(大连)有限公司
摘要： 本发明公开了一种清洗半导体等离子蚀刻装置气体分压喷淋器表面及气孔内多种沉积物的工艺，包括密封防水保护；对陶瓷板与本体之间粘连层的粘连程度检测；对气孔进行冲洗；通过CDA对气孔进行吹扫；使用混合溶液A对气孔进行冲洗；用无尘布蘸取混合溶液B对陶瓷面进行擦拭；打磨；用无尘布蘸取混合溶液C对气体分压喷淋器正面的陶瓷面进行擦拭；通过CDA对气孔进行吹扫；烘干；密封防水保护；对陶瓷板与本体之间粘连层的粘连程度洗后检测；进行超声清洗；吹扫；最终烘干。本工艺使气体分压喷淋器表面以及气孔内绝对洁净，保证反应气体通路的绝对洁净，大大降低了杂质污染到反应气体的可能性，使清洗后的部件能够达到设备腔体内微环境使用要求。
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公开(公告)号：CN113714178A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110901844.3
申请日：2021-08-06
申请人： 富乐德科技发展(大连)有限公司
IPC分类号： B08B3/02 , B08B1/00 , B08B3/12 , B08B13/00 , H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种半导体设备腔体内阳极氧化铝与陶瓷喷涂材质静电吸盘超洁净清洗工艺，包括：使用压缩空气对静电吸盘背面冷却液孔进行吹扫并用无尘布蘸取异丙醇进行擦拭；先使用异丙醇、丙酮分别对静电吸盘正面、侧面、背面进行全面擦拭；使用耐酸碱定制胶带对静电吸盘的电极端口、裸铝及冷却液孔进行保护；冲洗氦气孔和提拉孔；将静电吸盘放入异丙醇溶液中浸泡，然后再用无尘布进行擦拭；使用圆饼状胶带将静电吸盘正面的陶瓷面及背面的阳极氧化面进行保护；对静电吸盘的台阶面及侧面进行精喷砂处理；去除陶瓷面及阳极氧化面的圆饼状胶带；本申请工艺能有效去除静电吸盘表面的沉积物同时获得较高洁净度，可满足各项制程参数要求。
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公开(公告)号：CN112251760A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010888489.6
申请日：2020-08-28
申请人： 富乐德科技发展(大连)有限公司
IPC分类号： C23G3/00
摘要： 本发明公开了一种自动控制清洗装置，包括相连通的上壳体和下壳体，在上壳体中设有提拉清洗机构，在下壳体上部分别设有酸洗母槽和水洗槽，所述酸洗母槽和水洗槽构成溢流装置；所述提拉清洗机构包括横移轨道、升降支架、多孔托盘，所述多孔托盘两侧设有两组对称的凸座，每个凸座上开有安装孔，所述安装孔中转动连接有对应的升降支架，所述升降支架上部与横移轨道相连。本装置能够控制酸洗、漂洗的时间与提拉频次，确保清洗效果的稳定性与一致性，提高作业效率，在部件得到有效清洗的基础上保证不受酸碱等特殊作业环境干扰，避免人员接触强腐蚀性酸液，改善了人员职业健康环境。
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公开(公告)号：CN115003031B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202210675175.7
申请日：2022-06-15
申请人： 富乐德科技发展(大连)有限公司
摘要： 本发明公开了一种改善阻焊厚铜板塞孔不良的加工方法，包括：步骤S1，前工段来料通过阻焊前处理；步骤S2，进行阻焊前塞孔；步骤S3，第一次阻焊时印刷厚铜板两面面油；步骤S4，预烤，将湿润面油初步固化；步骤S5，第一次曝光，使用LMS菲林+曝孔菲林技术；步骤S6，进行第一次显影；步骤S7，采用分段固化烘烤；步骤S8，烘烤后的厚铜板进行前处理；步骤S9，第二次阻焊时印刷厚铜板两面面油；步骤S10，第二次曝光，使用菲林技术；步骤S11，进行第二次显影；步骤S12，高温烘烤。本发明有效的避免了常规操作流程中在塞孔前0.3mm以下的VIA孔堵孔、孔小等问题，再塞孔就很难塞饱满，从源头杜绝了塞孔不良的质量问题。
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